f13007d транзистор чем заменить

Характеристики транзистора MJE13007

Если проанализировать характеристики биполярного транзистора MJE13007, можно предположить что он разрабатывался для установки в высоковольтных индуктивных цепях переключения мощности, где критично время спада. Они особенно подходят для установки схемы переключения, работающих под напряжением 115 В и 220 В, таких как импульсные регуляторы и инверторы, а также могут использоваться в системах управления двигателями, соленоидами, переключающими реле и схемам отклонения. Структура этого устройства n-p-n. Буквы MJE в названии говорят о то что разработан он был компанией Motorola.

Цоколевка

Изготавливается MJE13007 в корпусе ТО-220. Выводы транзистора расположены в следующем порядке: слева расположена база, потом идёт коллектор и самая правая ножка – это эмиттер. Часто его маркируют без первых букв MJE, как 13007. Масса – 2,5 г. Внешний вид и распиновка представлены на рисунке.

Технические характеристики

В начале рассмотрим, как это делают производители в технической документации, максимально допустимые характеристики. Они устанавливают предел возможностей MJE13007, так как при превышении данных показателей транзистор может выйти из строя. Их измеряли при стандартной температуре +25°С. Вот они:

Теперь рассмотрим электрические значения MJE13007. От них зависит сфера применения и возможности транзистора. Они измерялись при той же температуре, что и предельно допустимые характеристики. Остальные важные параметры тестирования приведены в строке «Условия измерения».

Аналоги

Наиболее подходящие аналоги 13007:

Существует также отечественный аналог, это КТ8126А.

Производители и Datsheet

Назовём главных производителей 13007 и приведёт их datasheet:

В магазинах продаются транзисторы компаний:

Источник

Транзистор 13007

13007 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S, TO263, TO3P).

Основная информация представленна для модели FJP13007. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Корпус, цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для использования в высокочастотных электронных схемах преобразователей, инверторов, импульсных модуляторов, систем электропривода и схем электронного балласта.

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Электрические параметры

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине h_FE

Модификации транзистора 13007

Данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

٭ — кроме того, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при коллекторном напряжении U_CE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при соотношении токов I_C/I_B = 3.

Рис. 3. Зависимость влияния напряжения коллектор-база U_CB на величину емкости коллекторного перехода C_ob.

Рис. 4. Ограничение предельной тепловой нагрузки транзистора (максимально допустимой рассеиваемой мощности P_C) при возрастании температуры корпуса T_c.

Рис. 5. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время задержки t_D и время нарастания t_R.

t_D + t_R = t_on – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

Рис. 6. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время сохранения импульса t_s (t_stg) и время спадания импульса t_f.

Характеристики сняты при условиях:

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

При снятии характеристик: напряжение питания UCC = 50 В, индуктивность L = 1 мГн.

Источник