fqp13n10 чем заменить в рации

Fqp13n10 чем заменить в рации

Наименование прибора: FQP13N10

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm

FQP13N10 Datasheet (PDF)

0.1. fqp13n10.pdf Size:618K _fairchild_semi

January 2001TMQFETQFETQFETQFETFQP13N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 12.8A, 100V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has bee

0.2. fqp13n10l.pdf Size:554K _fairchild_semi

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP13N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 12.8A, 100V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 8.7 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technolog

0.3. fqp13n10.pdf Size:239K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FQP13N10FEATURESDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R 180m@V = 10VDS(on) GSFast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

0.4. fqp13n10l.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FQP13N10LFEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV Gate

Источник

Тема: Усилители 30-100 ватт на полевиках

Опции темы

Поиск по теме

С этим конечно согласен полностью. Что бы хоть немного разобраться в практике построения транзисторных УМ, спалил не одну сотню этих самых IRF. В основном конечно при настройке, и желании выжать ещё чуть-чуть. Перепробовал почти всё, что у нас можно было приобрести. От 510 до 640. Благо тогда они стоили 10-15 рублей. Попадались и очень неплохие партии. Однажды, попались 520, с которыми удалось получить на 28 около 140-150 ватт. При этом, на НЧ получалось около 200. АЧХ было достаточно линейной, но конечно, за счёт довольно глубоких ООС. А вот линейность УМ в то время измерять было нечем. Вернее был и двухтональник в трансивере, и осциллограф. И на его экране всё было очень даже неплохо. Но в одном из своих предыдущих сообщений, я выложил фото. Как это «неплохо» и даже совсем «идеально», выглядит на экране СДР. А свой первый СДР я собрал в 2009. Когда собственно и появился на Форуме. А в это время, на выходе в трансивере у меня снова стояли КП 904.

Добрый вечер!!
Насчет использования на КВ в линейном режиме IRF510-640 уже вроде бы как-то привыкли, но вот недавно мне пришлось чинить какую-то китайскую CB станцию с большой выходной мощностью. могу даже поискать и найти ее название. Там что-то около 50 Ватт было заявлено. Вылетел выходной каскад. Каково же было мое удивление, когда я увидел на выходе 4 шт. FQP13N10. (1 или 2 шт. были пробиты). Вот уже никак не ожидал увидеть их в усилителе. Как минимум интересно, что они работают на этих частотах и от 12 Вольт от 4 шт. получается 50 Вт. Заказал на алиэкспрессе 10 шт за 3$. Т.е пока они очень дешевые. Пришли, заменил и станция ожила на передачу. Насчет линейности для SSB пока вопрос, конечно, но в АМ режиме в этой станции они работают. Спектр посмотреть нечем было, поэтому мое сообщение без цифр.. Может быть эта информация кому-то пригодится.
С уважением, Виталий 73!!

Защитный диод насильно никто специально не включал. Это паразитный диод обусловленный технологией изготовления. Он есть у всех полевых транзисторах изготовленных по DMOS и LDMOS технологии.
Кстати, когда RK4CI о падении КПД и мощности на 28МГц на IRF при 40В питании, то это происходило из за включения паразитного биполярного транзистора. Напряжение на базе паразитного биполярного транзистора зависит от проходной емкости. Когда мы поднимаем напряжение сток-исток, то это напряжение превышает порог открывания паразитного транзистора.

У меня при 40В такого не наблюдалось. Наблюдалось падение усиленя на ВЧ, объясняется проходной (просчитывается и моделируется) и входной емкостями (без залаза в «дебри»).

Добавлено через 13 минут(ы) :

Шо ж тут удивительного, этот транзистор очень даже приличный для КВ (относительно малые емкости, и сопр. в открытом состоянии). Мне по молодости на «безрыбье» пришлось менять в SY-501 (145МГц) РА транзистор, вытащил из СВ-шки на аналогичную мощность (не помню какой тр-р, а вскрывать лень сейчас), переставил, несмотря на разницу в цоколевках, пришлось повозиться, где он работает и по сей день.

Добавлено через 8 минут(ы) :

Какой же он «паразитный», когда его в даташитах специально изображают, а каким способом они его получили это их дело, но включен он туда специально. Предположительно для борьбы с «выбросами» при работе в ИБП или ключах.

Олег 9 в посте 107 привел изображение паразитных элементов в DMOS транзисторе. VD1 это и есть тот самый защитный диод. Для ключевых транзисторов его параметры актуальны. поэтому производители приводят его параметры. Для ВЧ усилителей он не актуален, поэтому практически никто из производителей ВЧ транзисторов его параметры не измеряет. Если есть в наличии мощный ВЧ DMOS или LDMOS транзистор, то этот диод обнаруживается обычным тестером, прозванивая цепь сток-исток, при закороченной цепи затвор-исток. Если была бы возможность, то для ВЧ транзисторов его бы не встраивали.
Напряжение на базе паразитного биполярного транзистора зависит от делителя из R1 и емкостного сопротивления XC1(пост 107). Чем выше рабочая частота и напряжение питания, тем больше напряжение на базе этого транзистора, тем больше вероятность, что он откроется. А вот сопротивление R1 зависит от технологии конкретного производителя,даже от конкретной партии транзисторов, поэтому предельная частота на которой откроется паразитный транзистор для каждого производителя будет своя.

Сергей Викт, спасибо за инфо, примем к сведению. К счастью обхожусь пока «ключевыми», где параметры этого «диода» указаны явно и эффекта Oleg9, до 40В в своих экземплярах не встречал.

Источник

Решено Помогите подобрать аналог FQPF13N10 и FQPF12P10

Музыкальный центр Samsung MAX-KJ750W

Транзисторы стоят парой в усилителе мощности, канал Subwoofer.
И вопрос не совсем по теме: В усилителях мощности транзисторы (биполярные или полевые) включенные по аналогичной схеме обязательно менять парой или нет?

Заранее благодарен всем за любую информацию!

Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки

Справочная информация

Этот блок для тех, кто впервые попал на страницы нашего сайта. В форуме рассмотрены различные вопросы возникающие при ремонте бытовой и промышленной аппаратуры. Всю предоставленную информацию можно разбить на несколько пунктов:

Неисправности

О прошивках

Большинство современной аппаратуры представляет из себя подобие программно-аппаратного комплекса. То есть, основной процессор управляет другими устройствами по программе, которая может находиться как в самом чипе процессора, так и в отдельных микросхемах памяти.

На сайте существуют разделы с прошивками (дампами памяти) для микросхем, либо для обновления ПО через интерфейсы типа USB.

Схемы аппаратуры

Начинающие ремонтники часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, пользовательские и сервисные инструкции. Это могут быть как отдельные платы (блоки питания, основные платы, панели), так и полные Service Manual-ы. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

Справочники

На сайте Вы можете скачать справочную литературу по электронным компонентам (справочники, таблицу аналогов, SMD-кодировку элементов, и тд.).

Современная элементная база стремится к миниатюрным размерам. Места на корпусе для нанесения маркировки не хватает. Поэтому, производители их маркируют СМД-кодами.

При создании запросов в определении точного названия (партномера) компонента, необходимо указывать не только его маркировку, но и тип корпуса. Наиболее распостранены:

Краткие сокращения

При подаче информации, на форуме принято использование сокращений и аббревиатур, например:

Частые вопросы

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Ответ в тему Помогите подобрать аналог FQPF13N10 и FQPF12P10 как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

Полезные ссылки

Здесь просто полезные ссылки для мастеров. Ссылки периодически обновляемые, в зависимости от востребованности тем.

Источник

Fqp13n10 чем заменить в рации

Наименование прибора: FQPF13N10

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Время нарастания (tr): 55 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm

FQPF13N10 Datasheet (PDF)

0.1. fqpf13n10.pdf Size:617K _fairchild_semi

January 2001TMQFETQFETQFETQFETFQPF13N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.7A, 100V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has bee

0.2. fqpf13n10l.pdf Size:552K _fairchild_semi

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQPF13N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.7A, 100V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 8.7 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technolog

November 2013FQP13N50C / FQPF13N50CN-Channel QFET MOSFET500 V, 13 A, 480 mDescriptionFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 13 A, 500 V, RDS(on) = 480 m (Max.) @ VGS = 10 V,transistors are produced using Fairchilds proprietary, Aplanar stripe, DMOS technology. This advanced Low Gate Charge (Typ. 43 nC)technology has been especia

TMQFETFQP13N50/FQPF13N50500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 12.5A, 500V, RDS(on) = 0.43 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially tailored

7.3. fqp13n50 fqpf13n50.pdf Size:883K _fairchild_semi

May 2006TMFRFETFQP13N50CF / FQPF13N50CF 500V N-Channel MOSFETFeatures Description 13A, 500V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge (typical 43 nC)DMOS technology. Low Crss (typical 20pF)This advanced technology has been especially t

TMQFETFQP13N50C/FQPF13N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 13A, 500V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 43 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20pF)This advanced technology has been especially tailored t

7.7. fqpf13n06l.pdf Size:669K _fairchild_semi

May 2001TMQFETFQPF13N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 60V, RDS(on) = 0.11 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.8 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especially tail

7.8. fqpf13n06.pdf Size:658K _fairchild_semi

May 2001TMQFETFQPF13N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.4A, 60V, RDS(on) = 0.135 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.8 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF)This advanced technology has been especially tailored

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

FQP13N50C / FQPF13N50CN-Channel QFET MOSFET500 V, 13 A, 480 mDescriptionFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 13 A, 500 V, RDS(on) = 480 m (Max.) @ VGS = 10 V,transistors are produced using ON Semiconductors Aproprietary, planar stripe, DMOS technology. This Low Gate Charge (Typ. 43 nC)advanced technology has been especially tail

7.12. fqpf13n50c.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor FQPF13N50CFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Источник

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:

Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).

Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.

Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде.

Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой.

Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.

Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

Источник