mosfet ru6888r чем заменить

Mosfet ru6888r чем заменить

Наименование прибора: RU6888R

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 88 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 65 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 340 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

RU6888R Datasheet (PDF)

0.1. ru6888r3.pdf Size:450K _ruichips

RU6888R3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,Insulation Slug RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureS Lead Free and Green

0.2. ru6888r.pdf Size:303K _ruichips

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

8.1. ru6888.pdf Size:461K _ruichips

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

8.2. ru6888m.pdf Size:303K _ruichips

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

8.3. ru6888s.pdf Size:295K _ruichips

RU6888SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

Источник

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:

Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).

Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.

Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде.

Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой.

Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.

Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

Источник

Китайский блок для майнинга UT-1800W полевик RU6888R

Пришло в ремонт это чудо китайское для майнинга.
Выбило-раскололся полевик в синхроннике RU6888R3 68V 88-65A 6mom TO-220.Заменил все на FDP025N06 60v 120-XA 1.9mom.Есть и другие типы на замену.
Но есть смешной вопрос к тем,кто встречался с заменой подобных полевиков.
В данном RU6888R3 сток НЕ соединен с радиатором,пришлось менять используя изоляторы втулки и прокладки.
Вопрос- какие замены-аналоги RU6888R3 есть с изолированным радиатором.Именно в корпусе TO-220 не TO-220F.
Беглый просмотр по базе данных ничего не дал.
Спасибо.

Я попал на «аналогичные грабли» с такими же транзисторами, оригинал у местных продавцов не нашёл. Просили отремонтировать побыстрее, потому приобрёл более мощную замену IRF1407. А даташит на RU6888R3 стал внимательно изучать, когда на выходе «неожиданно» оказалось к.з.

Как вариант- FDPF041N06BL1

Речь идет о корпусе TO-220,с TO-220F очевидно.

Всем доброго дня!
В последнее время на ремонт много блоков для майнинга приходит со сгоревшими полевиками и датчиками тока в обрыве. Приходится менять ШИМ.
Схемотехнически блоки все одинаковые, сделаны на СМ680ххх. Только в одних стоят СМ6800ТХ (PFC:PWM-1:1, 85КГц), а в других СМ6800UBX (PFC:PWM-1:2, 85КГц, 170КГц), хотя трансформаторы одинаковые и имеют одну маркировку и индуктивность обмоток. Возможно, китаец ставит, что на тот момент времени дешевле.

Ответы с исправлениями и дополнениями приветствуются.

Источник

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

На что нужно обратить внимание

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Читайте также: moneygram что это такое

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

Источник