m7a smd транзистор чем заменить
Диод M7 (SM4007)
M7 (SM4007) — кремниевые выпрямительные диоды общего назначения. Конструктивное исполнение – SMD-корпуса для поверхностного монтажа (MELF, SMA, SMB, SM-1, SOD-123 и др.).
Характерные особенности
Характеристики, представленные ниже в таблицах, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика, ед. измерения | Обозначение | Особенности измерений | Величина |
|---|---|---|---|
| Максимальное повторяющееся обратное напряжение, В | URRM | — | 1000 |
| Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, В | URSM | — | 700 |
| Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, В | UDC | — | 1000 |
| Максимальный среднеквадратичный прямой ток, А | IF(AV) | 60 Гц, полуволна синусоидального тока, 1 цикл, Ta = 25°C. | 1 |
| Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, А | IFSM | 60 Гц, полуволна синусоидального тока, 1 цикл, Ta = 25°C. | 30 |
| Диапазон рабочих температур п/п структуры, °С | TJ | — | |
| Диапазон температур хранения, °С | Tstg | — | -55°С…+150°С |
Электрические параметры
| Характеристика, ед. измерения | Обозначение | Величина | ||
|---|---|---|---|---|
| Максимальное падение напряжения в прямом направлении, мгновенное значение, В | UFM | IFM = 1,0 А | 1 | |
| Максимальный обратный постоянный ток при номинальном блокирующем напряжении, мкА | IRM | Ta = 25°C | 2,5 | |
| 50 | ||||
| Тепловое сопротивление (типовое значение), °С/Вт | RƟJA | P/n-переход – внешняя среда | 55 | |
| Емкость p/n-перехода при обратном напряжении (типовое значение), пФ | CJ | f = 1МГц, URM = 4 В постоянного тока. | 12 | |
Модификации диодов типа M7 (SM4007 от различных производителей)
| Тип | Корпус | Маркировка | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M7 | 1 | 30 | 1 | 2,5 | 50 | -/55 | 12 | — | ||||
| SM4007 ٭ | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C…+175°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 10 | 50 | 30/75 | 15 | SMB (DO-214AA) | — |
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C. +150°C | -55°C. +150°C | 1,1 | 5 | 50 | -/50 | 15 | MELF (DO-213AB) | — |
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C. +150°C | -55°С. +150°C | 1,1 | 5 | 100 | -/40 | 15 | MELF | — |
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C. +175°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | 50 | 20/50 | 15 | MELF | — |
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C…+175°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | 50 | 30/75 | 15 | MELF | — |
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C. +150°C | -65°C. +150°C | 1,1 | 5 | 50 | 30/75 | 15 | MELF (DO-41) | — |
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C. +175°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | 50 | -/50 | 15 | SM-1 | — |
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C. +175°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | 50 | 20/- | 15 | SM-1 | — |
| SM4007A | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C. +175°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | 50 | -/50 | 15 | SMA (DO-214AC) | — |
| SM4007A | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C. +125°C | -55°C. +125°C | 1,1 | 5 | 50 | -/50 | 15 | SMA | — |
| SM4007M | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C. +150°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | 50 | 30/60 | 15 | SOD-123M | A7 |
| SM4007Q | 1000/700/1000 | 1 | 30 | — | — | — | — | — | — | — | DO-213AB | — |
| SM4007AM | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C. +150°C | -55°C. +150°C | 1,1 | 5 | 50 | 22/30 | 9 | SMAM | S1M |
| SM4007DT | 1000/700/1000 | 1 | 40 | -55°C. +150°C | -55°C. +150°C | 1 | 5 | 50 | 9/39 | 6,5 | SOD-123DT | P7A |
| SM4007FL | 1000/700/1000 | 1 | 25 | -55°C. +150°C | -55°C. +150°C | 1,1 | 5 | 50 | 20/- | 15 | SOD-123FL | D7 |
| SM4007JD | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C. +150°C | -55°C. +150°C | 1,1 | 5 | 50 | 20/40 | 9 | SOD-123JD | A7 |
| SM4007MH | 1000/700/1000 | 1 | 25 | -55°C. +150°C | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | 50 | -/60 | 15 | SOD-123MH | A7 |
| SM4007PL | 1000/700/1000 | 1 | 25 | -65°C. +175°C | -65°C…+175°C | 1,1 | 5 | 50 | -/50 | 15 | SOD-123FL | A7 |
| SM4007WS | 1000/700/1000 | 0,3 | 10 | -65°C. +150°C | -65°C. +150°C | 1 | 5 | 50 | -/50 | 15 | SOD-323 | T7 |
| SM4007SPT | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C. +175°C | -65°C. +175°C | 1 | 5 | 50 | 20/50 | 15 | SOD-123S | — |
| SM4007LFR | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C. +175°C | -55°C. +175°C | 1,1 | 5 | — | — | 15 | MELF | — |
٭ — в таблице диоды SM4007 одинакового обозначения – от различных производителей.
Те же данные представленны в виде картинки.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Аналоги
Для замены M7 могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и преобразовательных устройствах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производсто
| Тип | Корпус | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM4007 | 1000 | 1 | 30 | 1 | 2,5 | 50 | SMA-W | |
| КД210В | 1000 | 10 | 50 | ≤ 140°С | 1 | КД-11 | ||
| 2Д220Г/И | 1000 | 3 | 60 | — | 1,2/1,0 | 45 мкА | 1,5 мА | КД-10 |
| 2Д230Г/И | 1000 | 3 | 60 | -60°C.…+125°C | 1,5/1,3 | 45 мкА | 1,5 мА | КД-11 |
| КД243Ж | 1000 | 1 | 6 | -60°C. +125°C | 1,1 | 10 мкА | 0,1 мА | КД-4Б |
| 1000 | 9,6/3,2/4,8 | -60°C…+125°C | 1,4 | 40 мкА | КД-16 | |||
| 2Д254 | 1000 | 1 | 3,2 | — | 1,5 | — | — | — |
| КД257Д | 1000 | 3 | 15 | -60°C. +85°C | 1,5 | 0,2 мА | — | КД-29С |
| КД258Д | 1000 | 3 | 7,5 | -60°C. +85°C | 1,6 | 2 мкА | — | КД-29А |
Зарубежное производство
| Тип | TA = 125°C | Корпус | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM4007 | 1 | 30 | 1 | 2,5 | 50 | — | 55 | 12 | SMA-W | ||
| 1N4145 | 1000/700/1000 | 3 | 300 | -55°C. +150°C | 1 | 10 | 100 | — | 20 | 35 | DO-27 |
| 1N4249 | 1000/700/1000 | 1 | 40 | -65°C…+200°C | 1,2 | 1 | 25 | — | — | — | GPR-1A |
| 1N4948 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C. +150°C | 1,3 | 5 | 50 | — | 50 | 15 | DO-41 |
| 1N5054 | 1000/700/1000 | 1,5 | 48 | -65°C. +170°C | 1,3 | 500 | — | — | — | DO-41 | |
| 1N5408 | 1000/700/1000 | 3 | 200 | -65°C. +200°C | 1 | 5 | 100 | — | 40 | 50 | DO-201AD |
| 1N5622 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C. +200°C | 1,2 | 0,5 | 25 | — | — | 35 | GPR-1A |
| BY133 | 1300/940/1300 | 1 | 30 | -55°C…+150°C | 1,1 | 5 | 200 | — | 50 | 15 | DO-41 |
| BY255 | 1300/- /1300 | 3 | 100 | -50°C. +150°C | 1,1 | 20 | — | — | 25 | — | DO-201 |
| BY227MGP | 1250/875/1250 | 2 | 60 | -65°C. +175°C | 1,5 | 5 | 100 | — | — | 25 | DO-15 |
| BYD57M | 1000/-/1000 | 1 | 5 | -65°C…+175°C | 2,1 | 5 | 100 | 30 | 150 | 20 | SOD87 |
| BYT-11 | URRM = 1000 | 1 | 35 | -55°C. +150°C | 1,3 | 20 | — | — | 60 | — | F126 |
| BYT51M | URRM = 1000 | 1 | 50 | -55°C…+175°C | 1,1 | 1 | 100 | — | 45 | — | DO-15 |
| BYT54M | 1000/700/1000 | 1,25 | 30 | -55°C. +175°C | 1,5 | 5 | 150 | — | 45 | — | DO-41 |
| BYV36E | 1000/700/1000 | 1,6 | 30 | -55°C…+150°C | 1,45 | 5 | 100 | — | 45 | 18 | DO-15 |
| BYV96E | 1000/700/1000 | 1,5 | 35 | +175°C | 1,6 | 5 | 150 | — | 50 | — | DO-15 |
| BYW56GP | 1000/700/1000 | 2 | 50 | -65°C. +175°C | 1 | 5 | 100 | — | 35 | 50 | DO-15 |
| GP210 | 1000/700/1000 | 2 | 70 | -65°C…+175°C | 1,1 | 5 | 50 | — | — | 40 | — |
| GPP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 60 | -65°C. +175°C | 1,1 | 5 | — | — | — | 25 | DO-15 |
| GPP10M | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C…+125°C | 1 | 5 | 50 | — | 50 | 15 | DO-41 |
| GPP20M | 1000/700/1000 | 2 | 70 | -65°C. +125°C | 1 | 5 | 50 | — | 40 | 20 | DO-15 |
| GP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 50 | -55°C…+150°C | 1,1 | 5 | 100 | — | — | 20 | DO-15 |
| GP110 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C. +175°C | 1 | 0,5 | 30 | — | 30 | 10 | DO-41 |
| MUR1100F | 1000/700/1000 | 1 | 35 | -55°C. +150°C | 1,75 | 5 | 50 | — | — | 20 | SOD-123F |
| RGP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 50 | -65°C. +175°C | 1,3 | 5 | 200 | — | 30 | 25 | DO-15 |
| RGP110 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C. +175°C | 1,2 | 0,5 | 25 | — | 55 | 15 | DO-41 |
Те же данные представленны в виде картинки.
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристи
Рис. 1. Ограничение анодного тока в открытом состоянии IF(AV) (среднеквадратичное значение) при увеличении температуры подводящих контактов TL.
Характеристика снята при однофазном токе, полуволне 60 Гц. Нагрузка резистивная или индуктивная. Длина подводящих контактов составляет 9,5 мм (надпись на поле рисунка).
Рис. 2. Ограничение амплитуды ударного прямого тока IFSM при увеличении количества прошедших через диод полуволн ударного тока длительностью 8,3 мс.
Метод испытания JEDEC: одиночная синусоидальная полуволна длительностью 8,3 мс (надпись на поле рисунка).
N [60 Гц] – количество циклов по методу JEDEC.
Рис. 3. Вольтамперная характеристика диода в проводящем направлении (прямая ветвь) – зависимость мгновенного значения анодного тока IF от приложенного прямого напряжения анод-катод UF (мгновенное значение).
Характеристика снята при температуре p-n перехода TJ = 25°C.
Длительность испытательного импульса (Pulse Width) = 300 мкс. Скважность (Duty Cycle) = 1%.
Рис. 4. Вольтамперные характеристики диода в непроводящем направлении (обратная ветвь) – зависимость мгновенного значения обратного тока (тока утечки) IRM от обратного приложенного напряжения URM (в процентах от пикового значения).
Характеристика снята при двух значениях температуры p-n перехода: 25°С и 100°С.
Рис. 5. Типичная зависимость емкости p-n перехода диода CJ от величины приложенного обратного напряжения UR.
Маркировка SMD транзисторов
Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.
С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.