Компьютерные новости

Все разделы

Модули памяти Transcend SO-DIMM и Long-DIMM с расширенным температурным диапазоном

Компания Transcend предлагает полную линейку индустриальных модулей памяти форм-факторов SO-DIMM и Long-DIMM.

Transcend SO- DIMM имеют следующую ёмкость: 512 МБ DDR 400 МГц, 1

2 ГБ DDR2 533/667/800 МГц, и 1

4 ГБ DDR3 1333 МГц. Модули Long-DIMM доступны в вариантах 1

4 ГБ DDR3 1333 МГц.

Отметим, что новые модули памяти собраны из качественных микросхем DRAM для работы в круглосуточном режиме при непростых условиях – например, в транспорте, платёжных терминалах, встраиваемых системах, медицинском оборудовании и промышленном производстве.

Вдобавок, во всех новых модулях памяти используются конденсаторы индустриального класса, которые обеспечивают стабильное выходное напряжение. Такой подход гарантирует более эффективную фильтрацию сигнала в системах, требующих максимальной надёжности работы – например, в промышленных компьютерах, контролирующих опасное производство, медицинском оборудовании и так далее.

На все индустриальные модули памяти SO-DIMM и Long-DIMM распространяется пожизненная гарантия от производителя.

Источник

Выбираем оперативную память для твоего компьютера

Мы уже публиковали гайды по выбору самых разных компонентов компьютера — процессора, материнской платы, SSD-накопителя, монитора, даже о маршрутизаторе не забыли. Остались две очень важные для любого боярина покупки — оперативная память и видеокарта. О графических ускорителях поговорим позже, когда Nvidia и ее партнеры наконец-то выпустят в широкую продажу карточки 20-й серии. Сегодня же разберемся в тонкостях выбора оперативной памяти.

Как и со многими аспектами жизни, с ОЗУ непросто. Казалось бы, бери побольше объема, да и все. Но есть много тонкостей, которые могут испортить впечатление от покупки так, что никакие десятки гигабайтов не будут радовать. Итак, пойдем по порядку, чтобы, с одной стороны, не переплатить за ненужное, а с другой — не остаться у глючного компьютера в попытке чересчур сэкономить.

Опять же подчеркнем, что у компьютерных гуру эта статья может вызвать приступы презрительных усмешек и пальцевый зуд повышенной чесоточности. Все правильно, потому что наш гайд нацелен на людей, которые не посещали университетов компьютерной грамотности и не каждый день сталкиваются с проблемой выбора «самых правильных» таймингов.

Содержание

Типы оперативной памяти

А вы думали, что сначала надо определиться с объемом? Мол, больше гигабайтов — больше счастья? Нет, сперва стоит узнать, какой тип оперативки вам нужен.

Компьютерный рынок, несмотря на пессимистические прогнозы, постоянно развивается, и оперативная память совершенствуется вместе с ним. Время от времени появляются новые технологии и стандарты, позволяющие увеличить скорость работы памяти, уменьшить ее энергопотребление и тепловыделение. Так поколение за поколением выпускаются все новые и новые типы ОЗУ.

Узнать, к какому поколению относится планка памяти, легко по маркировке DDR (double data rate — «удвоенная скорость передачи данных»). Обычного DDR в настольных системах уже давно не встретишь, как и DDR2. На пожилых, но не вышедших в тираж сборках еще может встречаться DDR3, однако если речь идет об актуальных компьютерах с новенькой «требухой», то здесь без вариантов будет DDR4. Где-то на горизонте не первый год маячит память пятого поколения, но пока о ней можно забыть.

Таким образом, если мы ориентируемся на новые актуальные процессоры и материнские платы, то выбор сводится к типу памяти DDR4. К слову, даже если вы ошиблись и купили неподходящий тип ОЗУ, не надо бояться угробить компьютер — у вас банально не получится установить эту планку в материнскую плату. Каждый тип памяти выпускается на плате с особым разъемом, которому должен соответствовать разъем на материнке. Видите, что выемка на плашке памяти ну никак не совпадает с перегородкой в слоте? Поздравляем — этот тип ОЗУ не подходит для вашей машины! Осталось договориться с магазином и обменять его на что-нибудь более полезное.

С DDR4 понятно — дальше только о нем и будем говорить. Но что еще за DDR4 DIMM? А DDR4 SO-DIMM? Или вот DDR4 DIMM Registered? Что ж, DIMM — это всего лишь Dual In-line Memory Module (двухсторонний модуль памяти), то есть непосредственное и не очень нужное обозначение того, что перед вами модуль оперативной памяти определенного формфактора и ничего более (или менее). DDR4 DIMM — как раз то, что нужно для настольных компьютеров.

Модули памяти формата SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module), как ясно из англоязычной расшифровки названия, отличаются более компактными габаритами по сравнению с DIMM. Такие планки используются в системах с ограниченным внутренним пространством. Ноутбуки и мини-ПК — вот среда обитания такой памяти.

DDR4 DIMM Registered — это регистровая память с буфером, который частично берет на себя контроль за передачей данных в памяти. Такие модули считаются более надежными и отказоустойчивыми, при этом они обычно немного дороже и, поговаривают, чуть медленнее обычной DIMM. Используются практически только в серверах и малоинтересны для классического домашнего пользователя.

Коротко о главном. Собираете компьютер из новых актуальных комплектующих? Значит, можете не разбираться в типах памяти и сразу ставить галочку напротив DDR4 DIMM, игнорируя все остальные.

Объем памяти

Многие думают, что именно этот параметр самый важный. И это действительно почти так! Одновременно он же и самый простой. Да, здесь прекрасно работает принцип «чем больше, тем лучше». Но в разумных пределах.

Нет смысла покупать 64 ГБ оперативной памяти, если… Нет, оставим просто «нет смысла покупать 64 ГБ оперативной памяти». Конечно, вы можете сутками напролет обрабатывать терабайты видео, но тогда вряд ли читаете этот гайд.

Минимально допустимый на сегодня объем ОЗУ — 4 ГБ. Все, что ниже — выброшенные на ветер деньги. Этого объема хватит для веб-серфинга, просмотра кино, нетребовательных игр. В общем, то что надо для рабочей офисной машины.

8 ГБ хватит уже почти на все и почти для всех. Игры, кино в высоком разрешении, обработка фото и чуть-чуть видео, браузер с десятком-другим открытых вкладок. Все это без особых проблем будет бегать, но поочередно. Вариант без запаса, но жить можно.

16 ГБ — пока оптимальный вариант для абсолютного большинства пользователей. Браузер с «тыщей» вкладок уже можно не закрывать перед запуском требовательной игры. Вообще можно ничего не закрывать. Очень удобная емкость, с небольшим запасом, но без крокодильих слез за ненужные траты.

32 ГБ нужны, но пока только для специфических задач «не для всех». Столько памяти пригодится для работы, например, дизайнеров или все тех же спецов по редактированию видео. В домашнем компьютере 32 ГБ еще не стали стандартом, хотя изредка встречаются у энтузиастов, которым надо всего и побольше. Возможно, через пару лет столько ОЗУ начнут с удовольствием «кушать» отдельные ААА-проекты.

Коротко о главном. Для компьютера «посидеть в интернете» и при очень урезанном бюджете берите 4 ГБ и копите еще на столько же. 8 ГБ — разумный выбор, но по возможности все-таки лучше отдать предпочтение 16 ГБ и на ближайшее время забыть про оперативку. 32 ГБ — если вы вообще не хотите думать о ней.

Лучше два модуля по 8 ГБ, чем четыре по 4 ГБ

Выше мы говорили о разном объеме оперативной памяти — 4, 8, 16, 32 ГБ. Но почему нет ни слова о 9 или 12 ГБ? Ведь можно взять один модуль емкостью 4 ГБ, потом докупить еще 4 ГБ, подсобрать денег и впихнуть в компьютер еще 4 ГБ. Так обманем систему! Начнем с малого и потихонечку будем апгрейдиться!

Делать так никто не запрещает, но есть нюанс. Во-первых, исходить надо из того, что сегодня широко распространены планки памяти объемом 4, 8 и 16 ГБ. То есть установить 3 ГБ + 6 ГБ точно не получится. Во-вторых, компьютеры любят четное количество установленных планок памяти, то есть фактически два или четыре модуля. В-третьих, если вы забьете все четыре слота на материнской плате, это приведет к повышенной нагрузке на контроллер памяти, а потому может негативно сказаться на стабильности и производительности системы, а также возможном разгоне.

Таким образом получается, что оптимальнее всего использовать два слота (три — очень нежелательно, один — можно, но с прицелом на «добавку»). Можно и четыре, но вы должны быть уверены в качестве всех компонентов системы и в том, что не будете ее разгонять.

Так что же лучше — один модуль на 8 ГБ или два по 4 ГБ? Если речь о новой системе, логичнее купить один 8-гигабайтный модуль и начать откладывать на еще один такой же. А если выбор между одним модулем емкостью 16 ГБ и двумя по 8 ГБ? В таком случае предпочтительней второй вариант, и вот почему.

В современных компьютерах поддерживается двухканальный режим работы памяти, при котором увеличивается скорость передачи данных между памятью и компьютерными компонентами. То есть фактически забесплатно пользователь получает прирост к производительности компьютера. Мощность увеличится ненамного, но почему бы не воспользоваться таким приятным бонусом?

Без нюанса не обошлось и здесь — для двухканального режима работы необходимо два идентичных по характеристикам модуля памяти от одного производителя. Многие вендоры предлагают комплекты такой памяти — одинаковой и гарантированно работающей в этом режиме. Бывает, что такие комплекты стоят дороже, чем аналогичные модули, но вне комплекта. Вестись на «сборные» предложения не обязательно, достаточно купить идентичные планки одной серии (проверяйте маркировку).

Чтобы двухканальный режим заработал, память надо установить в «правильные» слоты на материнской плате. Обычно они обозначены одним цветом и размещаются через один. Например, синие 1-й и 3-й слоты, а также черные 2-й и 4-й.

Источник

Глоссарий терминов, имеющих отношение к компьютерной памяти

Введение

Данный глоссарий представляет собой набор терминов и сокращений, имеющих отношение к компьютерной памяти (с упором на DRAM как оперативную память). Все термины даны так, как они пришли к нам — а именно по-английски. Такая форма представляется правильной, ибо большинство русских терминов являются кальками с английского или вообще не имеют перевода. Кроме того, компетентные статьи на русском языке чаще всего используют английскую терминологию. Не исключено, что в будущем к глоссарию добавится небольшая «таблица соответствия» русских и английских терминов.

Глоссарий не претендует на абсолютную техническую достоверность и полноту. Предполагается, что информация дана в объеме, требуемом пользователю, нуждающемуся в понимании технического текста по данной проблеме или в общем повышении уровня знаний. Приведены также основные сведения о производстве и продаже модулей памяти. Более подробная информация может содержаться в других документах принадлежащего автору сайта, а также на сайтах производителей.

Названия статей выделены жирным, после аббревиатуры в скобках дается ее дешифровка. Далее (если есть) в кавычках курсивом дается «русская версия» (в варианте, либо наиболее распространенном, либо привычном автору). Если термин может иметь несколько различных значений, после части статьи, общей для всех значений, идет нумерованный список. Знаком равенства обозначается синонимичный (для данного значения) термин, английский или русский. Знаком *** выделены небольшие дополнительные статьи по терминам, окруженным наибольшим количеством легенд. В тексте статей даны гиперссылки на статьи по родственным терминам, которые могут быть необходимы для понимания. Ссылки даются в основном на русские термины, в то время как названия статей английские — это может причинить определенные неудобства, но лучшей идеи пока нет. Навигация может также осуществляться с помощью алфавитного указателя в начале документа.

Настоящий документ основан на опыте работы автора в данной области и представляет собой его личное мнение. Автор не несет ответственности за последствия, вызванные применением информации, содержащейся в данном документе. При обнаружении в тексте ошибок и неточностей просьба связаться с автором по адресу paul@box.omna.com.

access cycle — цикл обращения — последовательность (иногда ее длительность) операций устройства памяти между двумя последовательными актами чтения либо записи. Включает в себя, в частности, все операции, связанные с указанием адреса информации.

access time — время доступа (иногда ошибочно именуется скоростью) — время, необходимое на полный цикл обращения к информации, хранящейся по случайному адресу в чипе или модуле. Нужно иметь в виду, что в реальных условиях обращение чаще всего происходит не по случайному адресу, что позволяет использовать сокращенный цикл.

address depth — глубина адресного пространства — количество бит, которые могут быть сохранены на каждой линии ввода/вывода чипа или модуля.

address line — адресная линия — одна из линий, используемых для указания адреса запрашиваемой или сохраняемой информации. Поскольку информация организована в виде матрицы, адресные линии за полный цикл доступа используются дважды — для указания номера строки (RAS) и столбца (CAS). Поэтому число необходимых адресных линий равно 1/2log₂A, где A — размер адресного пространства (например, 10 для 1 мегабит), при условии, что матрица квадратная, что не всегда верно.

AGP (Accelerated Graphic Port)- технология, позволяющая графическому процессору получить доступ к оперативной памяти, минуя основной процессор. В отличие от unified memory у видеоподсистем с AGP в качестве буфера кадров по-прежнему используется высокоскоростная видеопамять.

architecture — архитектура — совокупность характеристик модуля памяти (включая тип памяти, емкость, время доступа, электрическую и логическую схему, разводку контактов и форм-фактор), полностью этот модуль определяющих. Теоретически два модуля одинаковой архитектуры должны быть полностью взаимозаменяемыми. Иногда под архитектурой понимают организацию модуля, что не совсем корректно (скажем, организация далеко не всегда однозначно определяет тип модуля).

asynchronous — асинхронный. Термин применяется к устройствам памяти, цикл обращения к которым состоит из стадий, имеющих разную длительность, что не позволяет оптимизировать совместную работу подсистемы памяти и процессора. В настоящее время происходит вытеснение асинхронных устройств синхронными.

audio RAM — термин, иногда применяемый в индустрии для партий микросхем, имеющих серьезные производственные дефекты (например, не работает одна из линий ввода-вывода). Нередко такие микросхемы реализуются по низким ценам для применения в устройствах бытовой электроники, в частности, в качестве буферов в проигрывателях компакт-дисков (отсюда название). К сожалению, имеются прецеденты изготовления модулей памяти на основе таких микросхем. Косвенные признаки таких модулей — отсутствие маркировки либо явная перемаркировка чипов, а также их необычное число.

bandwidth — пропускная способность, т.е. объем информации, который может пройти через систему в единицу времени. Применительно к подсистеме памяти — произведение пропускной способности линии ввода-вывода на ширину шины. Поскольку изменение последней в рамках принятой архитектуры «поколения» компьютеров невозможно, большинство новых технологий памяти имеют целью увеличение первой, которая фактически обратна времени доступа (с учетом сокращенного цикла).

BEDO (Burst EDO) — более быстрая (в тактах, а не наносекундах) разновидность EDO RAM. О поддержке этого стандарта производители чипсетов заявляли уже давно, однако BEDO RAM так и не появилась на рынке, и, судя по всему, уже никогда не появится, проиграв более быстрой SDRAM.

bit — бит. Мельчайшая единица хранения и передачи информации, соответствует логическому устройству, имеющему только два возможных состояния — 0 или 1. Обозначается строчной буквой b.

buffered — буферизованный (модуль). Из-за высокой совокупной электрической емкости современных модулей памяти большой собственно емкости время их «зарядки» становится недопустимо большим, что приводит к потере тактов. Чтобы избежать этого, некоторые модули (как правило, 168-контактные DIMM) снабжаются специальной микросхемой (буфером), которая сохраняет поступившие данные относительно быстро, что освобождает контроллер. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с небуферизованными, поэтому эти два типа DIMM имеют разное положение одного из ключей.

burst mode — пакетный режим, в отличие от обычного режима, при котором запрос по адресу возвращает только данные по этому адресу, в этом режиме такой запрос возвращает пакет данных по этому и последующим адресам.

bus — шина. Совокупность линий ввода-вывода, по которым информация передается одновременно. Ширина и частота шины естественным образом влияет на пропускную способность. Под главной, или системной шиной понимается шина между процессором и подсистемой памяти.

bus frequency — частота шины. Как правило, термин применяется к главной шине компьютера, т.е. той, на частоте которой работает память. Для современных процессоров и чипсетов Intel пока официально не превышает 66MHz, однако ожидается увеличение. Иногда называется внешней частотой.

bus width — ширина шины — количество линий ввода-вывода, т.е. число бит, которое может быть передано одновременно (для устройств с контролем четности из этого количества иногда исключают линии, «отвечающие» за четность, как не передающие информации). Для системной шины определяется в первую очередь типом процессора. Увеличение ширины системной шины — простой способ увеличить общую производительность системы, однако это требует коренной перестройки программного обеспечения и периферии. Все процессоры, начиная с Pentium, имеют ширину шины 64 бит. Размер одного банка памяти кратен (как правило, равняется) ширине системной шины.

byte — байт — единица информации, состоящая из 8 бит, широко используется для практического измерения объемов данных (например, размера файла, а также, что важно для нас, объема оперативной памяти). Обозначается заглавной буквой B.

CAS (Column Access Strobe) — регистр обращения к столбцу. Сигнал, поданный на линию CAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес столбца.

checksum — контрольная сумма, применяется при контроле четности. Бит, представляющий собой сумму значений всех бит, входящих в контрольную сумму (как правило это 8 бит) с отбрасыванием старших разрядов.

chipset — чипсет, набор микросхем материнской платы, реализующих архитектуру компьютера. Как правило, контроллер памяти входит в состав чипсета, поэтому зная, какой именно чипсет применен в компьютере, можно сделать выводы о применяемой памяти.

clock multiplying — умножение частоты — принцип, применяемый в компьютерах начиная с 486-го поколения для согласования растущей тактовой частоты процессора и остальной системы. В результате системная шина (а вместе с ней и подсистема памяти) работают на частоте, в фиксированное число раз меньшее, чем частота процессора. В то время, как процессоры Intel давно превысили частоту 200MHz, частота шины до недавнего времени не превышала 66MHz. Надо отметить, что реальное быстродействие системы зависит от обеих частот.

COASt (Cache On A Stick) — «стандартные» модули расширения кэша, некоторое время (одновременно с появлением EDO) применялись довольно широко. Поскольку EDO первоначально рассматривалась в качестве дешевой альтернативы кэшу, введение данного стандарта легко устанавливаемого (и наоборот) кэша должно было предоставить максимальную возможность выбора конфигурации. В действительности под этим названием существует немалое количество типов и стандартов кэша, совместимых между собой зачастую лишь по разъемам. Устанавливаются вертикально и ничем, кроме трения, не фиксируются.

composite — композитный (модуль). Модуль памяти, собранный из чипов с меньшей глубиной адресного пространства, чем у самого модуля. Как правило, это происходит на ранней стадии производства модулей памяти большой емкости, когда соответствующие чипы редки и дороги. Дополнительная адресная линия модуля при этом эмулируется с помощью линии RAS чипа. Естественно, такой метод не способствуют ни быстродействию, ни совместимости, поэтому применять композитные модули следует с осторожностью. Композитный модуль, как правило, имеет дополнительную микросхему для конверсии адресного бита в RAS и необычно большое количество чипов. Само по себе большое количество чипов не является критерием композитности, но надо иметь в виду, что оно увеличивает электрическую емкость и энергопотребление, что также не улучшает работу модуля.

CPU frequency — частота процессора — рабочая частота процессора, называемая иногда также «внутренней» частотой. Равняется произведению частоты шины на фактор умножения частоты.

cycle time — длительность цикла (имеется в виду цикл обращения к памяти). При использовании термина необходимо указание, о какой организации цикла идет речь. По умолчанию термин совпадает со временем доступа.

density — плотность — емкость чипа в мегабитах. Помимо единицы измерения, отличается от емкости модуля еще и тем, что имеет отдельное значение «уровня технологии», по которой изготовлен данный чип. В настоящее время технология 16Mb является «основной», 64Mb также постепенно перестает быть дорогой диковиной. Надо отметить, что в виде опытных образцов существуют микросхемы плотностью 1Gb.

double-side — двусторонний — термин, вообще говоря, не несущий особой смысловой нагрузки, т.к. в общем случае расположение чипов по одну или две стороны модуля памяти имеет отношение к дизайну или технологии производства, но не к архитектуре (хотя существует, конечно, ряд систем с таким расположением разъемов, которое позволяет устанавливать модули с чипами, расположенными только с одной стороны). Как правило, термин ошибочно применяется вместо двухбанковый (который и сам по себе окружен путаницей).

DIMM (Dual In-Line Memory Module) — наиболее современная разновидность форм-фактора модулей памяти. Отличается от SIMM тем, что контакты с двух сторон модуля независимы (dual), что позволяет увеличить соотношение ширины шины к геометрическим размерам модуля. Наиболее распространены 168-контактные DIMM (ширина шины 64 бит), устанавливаемые в разъем вертикально и фиксируемые защелками. В портативных устройствах широко применяются SO DIMM.

DIP (Dual In-line Package) — микросхемы с двумя рядами контактов, расположенными вдоль длинных сторон чипа и загнутых «вниз». Чрезвычайно распространенная упаковка во времена «до» модулей памяти.

DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память — разновидность RAM, единичная ячейка которой представляет собой конденсатор с диодной конструкцией. Наличие или отсутствие заряда конденсатора соответствует единице или нулю. Основной вид, применяемый для оперативной памяти, видеопамяти, а также различных буферов и кэшей более медленных устройств. По сравнению со SRAM заметно более дешевая, хотя и более медленная по двум причинам — емкость заряжается не мгновенно, и, кроме того, имеет ток утечки, что делает необходимой периодическую подзарядку.

DRAM module — модуль памяти — устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти может содержать и другие микросхемы, в том числе шунтирующие резисторы и конденсаторы, буферы, logic parity и т.п.

ECC (Error Checking and Correction) — выявление и исправление ошибок (возможны другие дешифровки того же смысла) — алгоритм, пришедший на смену «контролю четности». В отличие от последнего каждый бит входит более чем в одну контрольную сумму, что позволяет в случае возникновения ошибки в одном бите восстановить адрес ошибки и исправить ее. Как правило, ошибки в двух битах также детектируются, хотя и не исправляются. ECC поддерживают практически все современные серверы, а также некоторые чипсеты «общего назначения». Надо отметить, что ECC не является панацеей от дефективной памяти и применяется для исправления случайных ошибок.

ECC DIMM — для 168-контактных DIMM термин идентичен понятию «DIMM с четностью», т.е. 72-битный.

ECC-on-SIMM — SIMM с интегрированным контроллером ECC, применявшиеся в некоторых моделях серверов IBM, Digital и HP. Распространения не получили.

EDO (Extended Data Out) — разновидность асинхронной DRAM, очень широко применявшаяся в последние 2 года. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по «конвейерной» схеме — линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения данных в процессе обращения к следующему адресу, что позволяет организовать цикл доступа более оптимально.

fast page — дословно быстрый страничный (режим). Очень старая схема оптимизации работы памяти, которая основана на предположении, что доступ, как правило, осуществляется по последовательным адресам. Позволяет наряду с обычным циклом (RAS, затем CAS), использовать сокращенный, при котором RAS фиксирован, и соответственно его зарядка не требует времени. На сегодняшний день fast page — наиболее медленная из реально применяемых организаций памяти, однако еще сравнительно недавно это был единственный выбор для систем с контролем четности.

flash — разновидность энергонезависимой памяти с низким (сопоставимым с DRAM) временем доступа по чтению и относительно высоким временем записи. Используется для компактных внешних запоминающих устройств, а также для хранения редко перезаписываемых программных компонент (например, BIOS или операционной системы некоторых узкофункциональных устройств). Существует, в частности, в виде форм-фактора SIMM.

generic — термин, противоположный brand-name (в каждом из смыслов). В наиболее общем виде — нечто, лишенное признаков либо производства известным производителем, либо предназначения конкретно для системы известного же производителя. В последнем смысле близок понятию «стандартный».

gold lead — золоченые контакты — разновидность покрытия контактов модуля. В SIMM в настоящее время применяется редко, для DIMM — практически обязательно.

IC (Integral Circuit) — интегральная схема — более умное название для чипа.

interleave — чередование — способ ускорения работы подсистемы памяти, основанный, как и многие другие, на предположении, что доступ происходит к последовательным адресам. Реализуется аппаратно на уровне контроллера и требует организации банка памяти таким образом, что суммарная ширина шины модулей превосходит ширину системной шины в k=2 n раз (это число называется коэффициентом interleave и иногда записывается в виде k:1). Таким образом, каждый банк состоит из k «нормальных» банков. Контроллер распределяет «нормальное» адресное пространство подсистемы так, что каждый из k последовательных адресов физически находится в разном банке. Обращение к банкам организовано со сдвигом по фазе (напомним, что отдельный цикл обращения может требовать 5 тактов шины и более). В результате при последовательном обращении к данным за один обычный цикл обращения можно получить до k обращений в режиме interleave. Реальный выигрыш, разумеется, меньше, кроме того, interleave заметно увеличивает минимальный размер банка (как в числе модулей, так и в емкости). В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.

I/O line (Input/Output Line)- линия ввода-вывода — каждая из линий, в совокупности составляющих шину, и способных пропустить один бит «за раз».

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) — организация, разрабатывающая стандарты на электронные устройства, в том числе на модули памяти.

JEIDA (Japanese Electronics Industry Development Association) — как следует из названия, японская организация, имеющая отношение к разработке стандартов на электронное оборудование.

key — ключ — вырез в модуле памяти, который вместе с выступом в разъеме предотвращает неправильную установку модуля. 30- и 72-контактные SIMM имели вырез в углу со стороны 1-го контакта, последний, кроме этого — вырез посередине (интересно, что японские компьютеры имели более высокий выступ посредине разъема SIMM, соответственно, «чужие» SIMM туда не устанавливались, а в обратную сторону совместимость была). У 72-контактных SO DIMM высота выреза была использована для контроля рабочего напряжения (опять же, невозможно было установить модули с рабочим напряжением 5 вольт в разъемы с напряжением 3.3 вольт, но не наоборот). Для 168-контактных DIMM было применено другое решение — ключи (и соответствующие выступы) стали смещать вдоль, что сделало невозможным установку «неправильного» модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство. Такие DIMM имеют 2 ключа, задающие напряжение питания и буферизованность.

L2 cache (Level 2 cache) — кэш 2-го уровня — кэш между процессором и подсистемой памяти. Работает, как правило, на частоте шины и смонтирован на материнской плате (хотя в старших процессорах Intel его начали устанавливать в одной микросборке или модуле с процессором, а также увеличили частоту). Для кэша 2-го уровня практически всегда используется SRAM. Характерные емкости — от 256kB до 1MB на процессор. Объем и быстродействие кэша 2-го уровня оказывают значительное воздействие на быстродействие системы в целом. Следует иметь в виду, что иногда установка в систему дополнительной памяти (как правило, свыше 64MB) может заметно замедлить ее работу, если контроллер не поддерживает кэширование этой памяти.

lead finish — покрытие контактов — термин, относящийся к модулям памяти. Контакты бывают «золоченые» (gold-lead) и «луженые» (tin-lead), причем на цене модуля материал покрытия никак не отражается. Производители компьютеров, как правило, рекомендуют уделять особое внимание соответствию материалов контактов модулей и разъемов, хотя, по мнению некоторых независимых источников, опасения по поводу гальванической коррозии, которую могут вызвать разные покрытия контактов, сильно преувеличены.

logic parity (bridge parity, fake parity, parity emulation etc) — ложная четность — техническое решение, позволяющее сэкономить на чипах четности, стоимость которых составляет заметную часть стоимости модуля памяти. Вместо чипов четности на модуль устанавливается логическая микросхема, которая при чтении данных вычисляет контрольную сумму и предъявляет ее контроллеру, как если бы она хранилась в модуле. Поскольку никакого контроля четности реально места не имеет, рекомендовать такие модули можно в единственном случае — если вы имеете материнскую плату, в которой невозможно отключить контроль четности, но не хотите за четность платить (скорее всего — это 486-я плата выпуска 1994 года и раньше). Следует также опасаться случаев, когда память с логической четностью выдается за память с четностью истинной — в частности, память вообще может не заработать в вашем компьютере (например, потому что он использует ECC, и вообще любые логические схемы понижают совместимость модуля), да и бескорыстным этот обман вряд ли будет, наконец, в самом лучшем случае вы будете пребывать в ложной уверенности, что ваша система выполняет контроль четности, когда это не так. Ложную четность иногда можно отличить, учитывая, что «логический» чип часто выпускается в упаковке TQFP. Косвенным признаком для 72-контактных SIMM также является наличие лишь одного чипа четности (двух для двухбанковых SIMM), хотя это может быть и Quad-CAS. Надо остерегаться и чипов с необычной (для микросхем памяти) маркировкой, хотя в наиболее неприятных случаях маркировка может быть подделана.

long DIMM — длинный DIMM — термин, как правило обозначающий 168-контактный DIMM, в более общем случае — противоположный SO DIMM.

low grade — низкосортный — термин применяется к чипам, не выдержавшим тестов на соответствие стандартам. В отличие от audio RAM, как правило, они не имеют «объемных» дефектов, но демонстрируют ухудшение характеристик (например, времени доступа) при допустимых стандартами отклонениях внешних параметров (температуры, напряжения питания). Как правило, «низкосортные» чипы продаются производителями со специальной маркировкой или в виде кремниевых пластин и предназначены изначально для некомпьютерного применения. Тем не менее, к сожалению, на рынок часто попадают модули памяти, изготовленные из таких чипов, что приводит к нестабильной работе компьютеров, в которые они установлены.

low profile — низкий (модуль) — модули памяти относительно низкой (по сравнению с допускаемой стандартами) высоты. В некоторые материнские платы (особенно если разъемы расширения памяти находятся на дополнительных картах) могут быть установлены только такие модули.

major — принятое в индустрии название 10-20 крупнейших производителей чипов DRAM, а также выпущенных ими чипов. Модули, произведенные этими производителями из собственных чипов и имеющие их маркировку, носят название major/major и считаются эталонными по качеству.

MDRAM (Multibank DRAM) — многобанковая DRAM — разновидность DRAM с interleave, организованным на уровне чипа, применяется преимущественно в графических подсистемах.

Megahertz — мегагерц, MHz — 10 6 герц, т.е. операций в секунду. Единица измерения частоты, характерная для современных компьютеров, таймеры различных подсистем которых имеют частоты от нескольких мегагерц (шина ISA) до нескольких сотен мегагерц (процессоры). Системные шины имеют частоту от нескольких десятков до 100 мегагерц, до недавнего времени максимальная официальная частота для чипсетов Intel составляла 66 мегагерц.

memory controller — контроллер памяти — промежуточное устройство между системной шиной и модулями памяти. Контроллер определяет возможные тип и рабочий режим используемой памяти (в стандартных решениях зачастую и форм-фактор), организует interleave, контроль четности или ECC и т.п. Иногда имеется возможность настройки ряда параметров из BIOS Setup, в других случаях определение типа памяти и режима работы происходит автоматически. В настоящее время, как правило, контроллер памяти является частью чипсета, поэтому пара чипсет-BIOS нередко однозначно определяет возможности контроллера (хотя иногда, особенно в материнских платах высшего уровня, применяется специфический контроллер).

memory subsystem — подсистема памяти — понимаемая как единое целое (обычно с целью обсуждения, например, вопросов быстродействия) совокупность системной шины, контроллера памяти и модулей. В зависимости от постановки вопроса может включать либо не включать кэш 2-го уровня.

no-name — безымянный — чипы либо модули памяти, не имеющих маркировки (известного) производителя. Очень широко (особенно модули) представлены на рынке. Явным недостатком «безымянной» памяти является то, что никто, вообще говоря, не гарантирует ее качества (производителям качественной памяти нет ни малейшего резона скрывать свое имя).

non-volatile — энергонезависимая (память) — устройство памяти, сохраняющее информацию при выключенном питании, например, flash и различные виды EPROM.

operation mode — рабочий режим — организация цикла, при которой данная память работает (или способна работать), т.е. например fast page или EDO.

organization — организация — информация об устройстве чипа/модуля памяти, записываемая в виде произведения глубины адресного пространства на количество линий ввода/вывода. Кстати, для чипа это произведение дает его плотность, для модуля (если отбросить линии контроля четности и разделить результат на 8) — емкость. Организация не является исчерпывающим описанием логической схемы (см. для чипов например Quad-CAS или refresh).

package — упаковка — тип корпуса и расположения контактов чипа (например, SOJ, TSOP и т.п.).

page — страница. Довольно условный термин, чаще всего под страницей понимается набор доступных адресов при фиксированном адресе строки, иными словами, размер страницы равен числу столбцов. Надо учитывать, что строка, как правило, длинее из соображений refresh.

parity — четность, также контроль четности. Довольно старый принцип проверки целостности данных, передаваемых по любой шине (в том числе сохраняемых в памяти). Суть метода в том, что для некоторого количества (как правило, 8) бит данных на стадии записи вычисляется контрольная сумма, которая сохраняется как специальный бит четности. При чтении данных контрольная сумма вычисляется снова и сравнивается с битом четности. Если они совпали, данные считаются аутентичными, в противном случае генерируется сообщение об ошибке четности (как правило, приводящее к остановке системы). Метод активно применялся в прошлом, когда подсистема памяти являлась одной из самых ненадежных в компьютере. К явным недостаткам метода относятся дороговизна памяти, требующейся для хранения лишних бит четности, незащищенность от двойных ошибок (а также ложное срабатывание при ошибке в бите четности), остановка системы даже при непринципиальной ошибке (скажем, в видеокадре). В настоящее время, учитывая возросшее качество памяти и низкую вероятность ошибок, применяется все реже — в системах низкого уровня используется более дешевая память без контроля четности, в системах высокого — более результативная схема ECC.

parity bit — бит четности — дополнительный бит для контрольной суммы, а также линия ввода/вывода для его передачи.

parity chip — чип четности — чип, предназначенный для хранения бита четности в соответствующем SIMM, как правило однобитный (организации х1), хотя встречаются чипы типа Quad-CAS, объединяющие несколько независимых однобитных чипов в одной упаковке.

parity SIMM — SIMM с четностью. Для 30-контактного SIMM — с организацией x9, т.е. 8 основных бит плюс бит четности. Для 72-контактного SIMM, как правило, имеется в виду SIMM организации x36, причем на каждом из 4-х CAS находится 8 основных бит плюс бит четности. Такая организация отличает его от ECC SIMM x36. Никакого принципиального значения это разделение на группы по 9 бит не имеет, поскольку в подавляющем большинстве случаев доступ по отдельному CAS невозможен. Скорее всего, этот принцип идет от тех времен, когда 72-контактные SIMM только приходили на смену 30-контактным, чтобы сымитировать 4 30-контактных модуля и облегчить переход без значительной переработки контроллера. В принципе, под определение подпадают и довольно редкие модули x18 и x33.

PCB (Printed Circuit Board) — печатная плата. Качество дизайна и изготовления печатной платы может сильно повлиять на качество модуля памяти. В частности, считается, что предназначенная для модулей памяти печатная плата должна состоять как минимум из 4 слоев (для предотвращения «наводок»).

PC Card — более современное, хотя так окончательно и не прижившееся, название для стандарта PCMCIA. Не путать с memory card.

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association) — в противовес своему названию имеет мало отношения к памяти как таковой. Стандарт шины и разъема расширения для подключения внешних устройств (в том числе хранения информации, но отнюдь не оперативной памяти) к портативным компьютерам. Не путать с memory card.

pinout — разводка — соответствие между контактами чипа или модуля и его логической схемой. Внешне совершенно стандартный модуль может по той или иной причине иметь необычную разводку (и, следовательно, архитектуру).

pin — контакт, для пайки или установки в разъем, не обязательно в виде проволочки.

pipeline — конвейер — метод доступа к данным, при котором можно продолжать чтение по предыдущему адресу в процессе запроса по следующему.

POST (Power-On Self Test) — процесс определения системой своей конфигурации при загрузке (тестом фактически не является). В принципе, память с серьезными дефектами не будет распознана как таковая уже на этой стадии. Следует иметь в виду, что на результат POST могут повлиять установки BIOS Setup.

PRD (Presence Detect) — информация о типе, емкости и времени доступа модуля памяти, закодированная с помощью заземления или незаземления специально предназначенных для этой цели контактов. В частности, контакты с 67-го по 70-й 72-контактного SIMM, будучи электрически соединены (или наоборот) с 72-м контактом, обеспечивают 4 бит информации, в которых может быть записана емкость и время доступа SIMM. Контактные площадки под нулевые резисторы для заземления можно видеть с правой стороны SIMM, если смотреть на него, расположенного горизонтально с ключом в левом нижнем углу. PRD описано в JEDEC. Тем не менее подавляющее большинство контроллеров памяти PRD не использует, соответственно, в SIMM, произведенных «безымянными» изготовителями, PRD зачастую отсутствует, что может повлечь несовместимость с системами, которым PRD требуется. Старые модели IBM (эпохи PS/2) также использовали PRD, причем нестандартное. JEDEC описывает также PRD для DIMM. В последнее время (в частности, для SDRAM DIMM) применяется SPD.

profile — форм-фактор — в наиболее общем виде — тип разъема и геометрические размеры (включая размеры ключей, выступающих частей и т.д.) модуля памяти. Некоторые системы по причинам, происходящим из геометрии, работают с модулями стандартной архитектуры, но с некоторыми ограничениями форм-фактора (см. low profile).

proprietary — термин, обратный понятию «стандартный», т.е. предназначенный для конкретной системы и только для нее.

Quad-CAS — микросхема четности, предназначенная для 72-контактных SIMM и как бы объединяющая в себе 4 независимых однобитных чипа четности, доступ к каждому из которых идет по отдельной линии CAS. Как правило, речь идет о чипе организации 1х4 (сумма четырех 1х1). Выпускались, в частности, Micron. SIMM с таким чипом являются «истинными» SIMM с четностью, и их следует отличать от SIMM с «ложной четностью», имеющих то же количество чипов. В принципе, существовали и чипы Double-CAS (в частности, OKI), представлявшие собой сумму 2-х чипов.

Rambus DRAM — технология DRAM, разработанная компанией Rambus и позволяющая создавать память с высокой пропускной способностью (несколько сотен Mb/сек). Поскольку технология официально поддержана компанией Intel, высока вероятность того, что эта память будет основной в компьютерах будущего. Тем не менее, поскольку стандарт не является открытым, а защищен патентом и как следствие подлежит лицензированию, консорциум major-производителей ведет разработку конкурирующего стандарта SLDRAM. В настоящее время уже применяется в видеоподсистемах высокого уровня.

RAS (Row Access Strobe) — регистр обращения к строке. Сигнал, поданный на линию RAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес строки.

ROM (Read-Only Memory) — память без перезаписи — вообще говоря, любое запоминающее устройство, перезапись информации на котором невозможна в принципе. В настоящее время термин самостоятельной ценности не имеет, применяясь иногда в аббревиатурах (CD-ROM), в том числе и для описания устройств, допускающих перезапись, хотя в основном предназначенных для чтения (EEPROM).

refresh — подзарядка. Как известно, состоянием ячейки памяти DRAM является наличие/отсутствие заряда на конденсаторе. Этот заряд подвержен утечке, поэтому для сохранения данных конденсатор необходимо время от времени подзаряжать. Это достигается подачей на него время от времени напряжения (несложная диодная конструкция обеспечивает refresh только тех конденсаторов, на которых уже есть заряд). Нормальный цикл подзарядки происходит при фиксации адреса столбца и циклическом изменении адреса строки. Поэтому вообще говоря чип с меньшим количеством строк подзаряжается быстрее.
*** Часто встречаются упоминания о чипах, скажем 2k refresh, 4k refresh и т.п. Число nk здесь означает «длину строки», т.е. количество столбцов. История здесь следующая. Нормальное количество столбцов (как и строк) для чипа организации 4х4 (16-мегабитный чип с адресным пространством 4Mb, именно такие чипы используются для SIMM 16 и 32MB) равняется 2k (квадратный корень из 4M как размера квадратной матрицы). Однако с целью повышения быстродействия путем уменьшения времени refresh были разработаны чипы с «неквадратной» адресной матрицей, имевшие 1к строк и соответственно 4к столбцов (4к refresh, см. выше). К сожалению, стандартные контроллеры памяти PC того времени (к Mac, например, это не относилось) оказались не способны работать с такими чипами, кроме того, на их основе практически невозможно было создать память с четностью (из-за «квадратности» чипов четности). В результате словосочетание 4k refresh приобрело в массовом сознании абсолютно ругательный смысл (в частности, насколько мне известно, большинство Pentium-контроллеров прекрасно способны были работать с чипами 4k, но рынок отказывался их потреблять). Появление DIMM, которые использовали четность не «в манере» SIMM с четностью, а просто как дополнительные 8 бит, сняло ограничения, и сечас чипы 16Mb 4×4 4k refresh активно применяются.

registered — аналог понятию buffered для SDRAM DIMM, пока еще не нашло широкого употребления.

SDRAM (Synchronous DRAM) — синхронная DRAM — название синхронной памяти «первого поколения», широко применяющейся в настоящее время и имеющей пропускную способность порядка 100Mb/сек.

SDRAM clock — можно встретить указание, что те или иные чипы или модули SDRAM являются 2 clock или 4 clock. Под clock здесь понимается линия ввода сигнала таймера. Насколько можно судить, 4 clock чипы поддерживают внутричиповый interleave более высокого уровня (4-банковый?), т.е. являются вообще говоря более передовыми. Достоверной информации о совместимости этих двух типов SDRAM с разными чипсетами и реальных выигрышах в скорости пока нет.

SDRAM II — находящийся в стадии разработки SDRAM следующего поколения, который должен будет поддерживать вдвое большую (200Mb/сек) пропускную способность. Реальных шин с такой высокой частотой пока не существует.

SIMM (Single In-line Memory Module) — наиболее распространенный в течение долгого времени форм-фактор для модулей памяти. Представляет собой прямоугольную плату с контактной полосой вдоль одной из сторон, фиксируется в разъеме поворотом с помощью защелок. Контакты с двух сторон платы на деле являются одним и тем же контактом (single). Наиболее распространены 30- и 72-контактные SIMM (ширина шины 8 и 32 бит соответственно).

SIP (Single In-Line Package) — разновидность форм-фактора модулей памяти, вытеснены SIMM и в настоящее время почти не встречаются. Проще всего описать их как SIMM, у которого контакты не «наклеены» на плату, а имеют форму иголок (pin в первоначальном значении этого слова) и торчат в виде гребенки.

SLDRAM (SyncLink DRAM) — условное название высокоскоростной памяти, разрабатываемой консорциумом производителей в качестве открытого стандарта в противовес Rambus DRAM.

slot — разъем. Как правило, это название используется для разъемов, куда «вставляются» платы расширения, в том числе модули типа SIMM и DIMM. Разъемы, куда «втыкаются» ножки (чипов либо разъемов «противоположного пола»), называются socket.

SMT (Surface Mount Technology) — технология поверхностного монтажа, основной способ изготовления модулей памяти и многих других устройств на основе печатных плат. Смысл метода в том, что вместо пайки каждого контакта по отдельности все чипы «приклеиваются» на печатную плату, заранее покрытую припоем по трафарету, после чего плата прогревается в специальной печи, в результате чего припой плавится и чипы оказываются припаянными.

SO DIMM (Small Outline DIMM) — разновидность DIMM малого размера (small outline), предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно). Способ установки аналогичен SIMM.

SOJ (Small Outline J-shaped) — разновидность микросхем, одна из наиболее широко применяемых для упаковки DRAM. Контакты микросхемы изогнуты в форме буквы J коротким концом под микросхему.

SPD (Serial Presence Detect)- разновидность PRD у 168-контактных DIMM (как правило, небуферизованных). Выполнена не в виде набора резисторов на контактных площадках, а в виде единой микросхемы EPROM, причем записанная в ней информация не описана в databook производителей (и, предположительно, является предметом отдельного соглашения и включает «необычную» информацию наподобие имени производителя). Модули «безымянного» производства SPD, как правило, не имеют. По крайней мере некоторые платы на чипсете 440LX требуют от модулей наличия SPD. По разным версиям это предпринято либо для того, чтобы отсечь от рынка «безымянных» производителей, либо с целью обеспечить автоматическое определение времени доступа, что будет актуально для грядущих скоростных модулей и шин.

specific — специфический — в общем виде — модуль памяти, предназначенный для использования в конкретной системе (или классе систем) конкретного производителя. Термин несколько более мягкий, чем proprietary, так как не отрицает возможности того, что указанная система может расширяться и стандартными модулями.

speed — скорость или быстродействие — некорректный термин, может обозначать либо тактовую частоту, либо время доступа.

SRAM (Static RAM) — статическая память — разновидность RAM, единицей хранения информации в которой является состояние «открыто-закрыто» в транзисторной сборке. Используется приемущественно в качестве кэш-памяти 2-го уровня. Ячейка SRAM более сложна по сравнению с ячейкой DRAM, поэтому более высокое быстродействие SRAM компенсируется высокой ценой. Несмотря на низкое энергопотребление, является энергозависимой.

standard — стандартный — то есть соответствующий неким общеизвестным техническим спецификациям (для модулей памяти, как правило, JEDEC), и, следовательно, имеющий широкую область применения, не ограниченную конкретной системой.

static column — статический столбец. Память со статическим столбцом — выпускавшаяся некоторое время, но не получившая распространения из-за высокой цены более быстрая разновидность fast page.

synchronous — синхронный — устройство памяти, цикл обращения к которому состоит из операций, имеющих одинаковую длительность, что позволяет синхронизировать его с системным таймером для оптимального взаимодействия между устройством и шиной. Синхронные устройства являются более передовыми по отношению к асинхронным, и в настоящее время идет процесс полного перехода к ним.

system memory — оперативная память — память (в подавляющем большинстве случаев — DRAM), использующаяся для хранения активных программ и данных. Количество и быстродействие оперативной памяти оказывают чрезвычайно серьезное воздействие на быстродействие современных компьютеров. Работает на частоте системной шины. Доступ процессора к оперативной памяти происходит через кэш 2-го уровня. Некоторые подсистемы компьютера способны обращаться к оперативной памяти напрямую, минуя процессор.

timing diagram — временная диаграмма — количества тактов системной шины, необходимых для доступа к случайно выбранному адресу и следующим за ним адресам. Характерные диаграммы для разных типов памяти (в предположении, что они достаточно быстры, чтобы оптимально взаимодействовать с шиной) — 5-3-3-3 (fast page), 5-2-2-2 (EDO), 5-1-1-1 (SDRAM).

tin-lead — луженые контакты — разновидность покрытия контактов модуля, по непроверенным данным, с добавлением палладия. Большинство выпускаемых сейчас SIMM и разъемов для них имеют именно это покрытие.

TQFP (Thin Quad Flat Package) — разновидность микросхем плоской квадратной формы с контактами вдоль всех четырех сторон. Применяется в основном для многоконтактных чипов, в частности кэша.

TSOP (Thin Small Outline Package) — разновидность микросхем плоской формы. В настоящее время в области DRAM применяется довольно широко, особенно для упаковки низковольтных микросхем.

unbuffered — небуферизованный (модуль). Термин применяется к «обычным» 168-контактным DIMM, чтобы отличить их от буферизованных.

unified memory — объединенная память — технология, при которой видеоадаптеру выделяется часть системной памяти, так что нет необходимости устанавливать для него отдельную видеопамять. При всей своей экономичности и возможности программно менять количество видеопамяти технология является компромиссной, так как видеопамять должна, вообще говоря, быть более быстрой, чем «стандартная».

volatile — энергозависимая (память) — устройство памяти, теряющее информацию при отключении напряжения питания. К ним относятся, в частности, DRAM и SRAM.

voltage — напряжение питания. Современные чипы памяти имеют напряжение питания 3.3 или 5 вольт (последние пока еще более распространены). Как правило, напряжение питания модулей памяти предопределено конструкцией материнской платы и не может быть изменено для одного типа модулей. Плата, поддерживающая разные типы модулей (например, SIMM и DIMM), может поддерживать разное напряжение питания для каждого типа, но при этом необязательно оба сразу. Надо также отметить, что модули памяти являются одним из наиболее энергопотребляющих устройств компьютера, поэтому снижение их напряжение питания представляется естественным путем к системам с большим объемом памяти.

VRAM (Video RAM) — одна из первых разновидностей видеопамяти, позволяет производить чтение и запись информации за один цикл обращения.

WRAM (Window RAM)- разновидность видеопамяти, примененная, в частности, в видеокартах Matrox.

ZIP (Zig-Zag In-Line Package) — разновидность упаковки микросхем, в частности, применявшаяся для видеопамяти. Контакты расположены вдоль одной из длинных сторон чипа в зигзагообразном порядке.

Источник