Не нужно на 100% разбираться в премудростях электротехники, чтобы высказать мнение по теме. Заголовок «MOSFET или IGBT?» напоминает старое соревнование форматов: VHS или DVD? Кто же победит? И пусть скажут, сравнение не корректное. Но, DVD формат великолепный, качество звука и изображения замечательные, а мы все так привыкли к старому доброму VHS…
Для тех, кто не понимает о чем идет речь, поясним. На сегодняшний день существует две технологии изготовления сварочных инверторов,
Возникает закономерный вопрос: что же выбрать старое, проверенное временем, или относительно новое, но более технологичное?
Попробуем привести пару доводов и, как говорится, ближе к «телу»…
Что не говори, а IGBT занимают меньший объем и при этом позволяют получить более высокую силу тока на выходе, они меньше нагреваются. Разве это не аргумент в пользу IGBT? Возражения же заключаются в том, что схемы IGBT покамест не идеально продуманы и т.д., разработчикам не было времени на это и они звучат «натянуто».
Конечно, если покупать инвертор для бытовой сварки, то не так уж важно, какие у него транзисторы внутри. Вообще не важно, что внутри. Главное, чтобы электрод поджигался нормально, дуга не прыгала туда-сюда, чтобы электрод не залипал. Так же, желательно, чтобы инвертор работал при пониженном напряжении в сети, не боялся забросов напряжения, чтобы желтая лампа перегрева редко зажигалась.
Если речь идет о небольших объемах бытовых работ, то практически любой инвертор в этом станет вашим надежным другом и товарищем, та же Ресанта или Сварог, или Фубаг, или отечественный Форсаж и т.д. и т.п.
Но что, если нужен профессиональный аппарат, когда варить придется целый день. Наше мнение, здесь лучше IGBT. Почему? Возьмем для примера сварочный аппарат РICO 180— это же прелесть, а не сварочник! Приведем в качестве примера его систему охлаждения. Она интеллектуальная и включается только тогда, когда транзисторы нагреваются. А в РICO даже после 15 и более минут сварки на небольших токах вентилятор не шелохнется. Это значит, что схемы холодные, корпус аппарата холодный. И все это IGBT, они греются менее интенсивно, чем MOSFET и на более высоких токах. Ну и что мне с этого, скажете Вы? Очень просто. Чем меньше работает вентилятор, тем лучше! Особенно если Вы работаете в запыленных помещениях. Основной враг инвертора — это пыль. Она является основной причиной досрочного выхода инверторов из строя. Соответственно, чем меньше пыли затягивается в сварочный аппарат, тем лучше! А это значит, чем дольше не включаются кулеры, тем лучше! Получить это можно только с IGBT.
Несомненный плюс так же состоит в том, что достигается высокая мощность при еще более малом весе. Каждый грамм играет роль, если приходится целый день носить инвертор на плече.
Минус в свое время был в дороговизне ремонта IGBT и невозможности подчас найти запчасти. Но время идет, техника совершенствуется, а то, что было раньше дорогим и недоступным, становится обыденным и легкозаменяемым! Так что наше мнение, будущее за новыми технологиями. А Вы как думаете? Стоит с этим согласиться?
Сегодня уже ни для кого не секрет кто выиграл в битве «VHS или DVD».
Инверторы: принцип работы устройств и преимущества
Содержание:
Впервые источник питания для сварочного аппарата на основе инверторной технологии появился в 70-х годах прошлого века, и за прошедшее время он был значительно усовершенствован: появился электронный блок, значительно снизилась цена и существенно увеличилась надежность.
На сегодняшний день инверторный сварочный аппарат является самым совершенным среди сварочных «собратьев». В чем же заключается особенность этого источника питания? Рассмотрим подробнее далее.
Устройство и принцип работы инверторов
Вся суть инверторной технологии заключается в выпрямлении сетевого переменного тока в постоянный сварочный ток с промежуточным изменением его частоты. Как же происходит весь процесс преобразования? Рассмотрим поэтапно, в какой узел попадает ток и куда следует далее:
Все эти процессы преобразования энергии тока контролирует микропроцессорный блок управления, который и является самой дорогой частью инверторного сварочного аппарата.
IGBT или MOSFET?
Сегодня инверторные сварочные аппараты производятся по двум разным полупроводниковым технологиями:
Основное различие между ними — в транзисторах, отличающихся током коммутации. Транзисторы MOSFET, по сравнению с IGBT, имеют большие вес и габариты и стоят дешевле, однако их необходимо, соответственно, и большее количество.
Для наглядного сравнения рассмотрим устройство инвертора с силой тока в 200 А. В том случае, если он будет изготовлен по технологии MOSFET, то он будет содержать около 24 транзисторов MOSFET, а элементов IGBT потребуется в несколько раз меньше — около 10.
Другим немаловажным преимуществом технологии IGBT является возможность работы на более высоких частотах (60-85 кГц), что уменьшает вес инвертора.
Значение температуры, при которой включается термозащита, у IGBT также намного выше (она составляет около 90 °С против 60 °С у MOSFET), а это напрямую влияет на продолжительность непрерывной работы аппарата.
Рассмотрим два инвертора, выполненные по этим разным технологиям, со стороны ремонтопригодности. Оба имеют преимущества: IGBT-инвертор имеет меньшее количество элементов и транзисторов, которые в случае выхода из строя нужно будет менять, а транзисторы в MOSFET-инверторе имеют большие габариты и более простое расположение, что также облегчает их замену.
Три полезные функции
При сварке одна из самых непростых задач — это необходимость держать электрод на расстоянии нескольких миллиметров от поверхности. Если Вы все же коснетесь им металла, то электрод сразу прилипнет к детали и во вторичной обмотке произойдет короткое замыкание. Если его с силой не оторвать, то обычный трансформатор перегреется и сразу включится тепловая защита (а если ее нет, то сгорит обмотка).
Такие процессы часто происходят в обычных сварочных аппаратах, однако инвертор упрощает работу: благодаря функции antistick при малейшем касании поверхности детали моментально снижается сила тока, что исключает прилипание электрода к металлу. И любой пользователь без проблем оторвет его от детали.
С зажиганием дуги тоже не возникнет никаких проблем — в момент инициации автоматически повышается значение сварочного тока (функция HOT START).
В случае, если Вы слишком близко поднесли электрод к заготовке, то с помощью функции arc force повышается значение силы тока. В результате деталь и электрод подплавляются, что позволяет восстановить расстояние между ними, исключая прилипание.
Достоинства инверторов
Среди недостатков инверторных сварочных агрегатов можно выделить:
Применение инверторной технологии при производстве сварочных аппаратов стало настоящим прорывом, позволив значительно расширить функциональные возможности «сварочников». На нашем сайте вы найдете широкий ассортимент инверторных сварочных аппаратов, а также расходных материалов и комплектующих деталей. Для получения более подробной информации о конкретных моделях устройств или по оформлению покупки, пожалуйста, звоните по бесплатному номеру телефона 8-800-333-83-28.
Применение igbt транзисторов в инверторе
Применение высоковольтных мощных полупроводников позволило создавать компактные производительные сварочные инверторы. Последним словом в этой области после MOSFET инверторов стали сварочные аппараты на IGBT транзисторах.
Полевые полупроводники
Используемые в инверторах полупроводники по MOSFET технологии – это полевые силовые транзисторы с изолированным затвором. Управление полупроводником осуществляется напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, управляемых током. Канал ключа имеет высокую проводимость 1 мОм. В закрытом виде у них огромное входное сопротивление.
Изначально полевые полупроводники использовались и до сих пор применяются как ключи. В схемах импульсных источников питания применяются полевики с индуцированным затвором. В таком исполнении при нулевом напряжении на затвор-исток канал закрыт.
Для открытия ключа требуется подать потенциал определенной полярности. Для управления ключом не требуется силовых источников. Данные полупроводники часто используются в источниках питания и инверторах.
Биполярный прибор
IGBT – это биполярный транзистор с изолированным затвором, применяемый в инверторе. Фактически он состоит из двух транзисторов на одной подложке. Биполярный прибор образует силовой канал, а полевой является каналом управления.
Соединение полупроводников двух видов позволяет совместить в одном устройстве преимущества полевых и биполярных приборов. Комбинированный прибор может, как биполярный, работать с высокими потенциалами, проводимость канала обратно пропорциональна току, а не его квадрату, как в полевом транзисторе.
При этом IGBT транзистор имеет экономичное управление полевого прибора. Силовые электроды называются, как в биполярном, а управляющий получил название затвора, как в МОП приборе.
IGBT транзисторы для сварочных инверторов и силовых приводов, где приходится работать при высоких напряжениях, стали использовать, как только отладили технологию их производства. Они сократили габариты, увеличили производительность и мощность инверторов. Иногда они заменяют даже тиристоры.
В IGBT инверторе для обеспечения работы мощных переключателей применяются драйверы – микросхемы, усиливающие управляющий сигнал и ускоряющие быструю зарядку затвора.
Некоторые модели IGBT транзисторов работают с напряжением от 100 В до 10 кВ и токами от 20 до 1200 А. Поэтому их больше применяют в силовых электроприводах, сварочных аппаратах.
Полевые транзисторы больше применяют в импульсных источниках и однофазных сварочных инверторах. При токовых параметрах 400-500 В и 30-40 А они имеют лучшие рабочие характеристики. Но так как IGBT приборы могут применяться в более тяжелых условиях, их все чаще применяют в сварочных инверторах.
Применение в сварке
Простой сварочный инвертор представляет собой импульсный источник питания. В однофазном инверторном источнике питания переменный ток напряжением 220 В и частотой 50 или 60 Гц выпрямляется с помощью мощных диодов, схема включения мостовая.
Затем инвертор преобразует постоянное напряжение в переменное, но уже высокой частоты (от 30 кГц до 120 кГц). Проходя через понижающий высокочастотный трансформатор (преобразователь), напряжение понижается до нескольких десятков вольт. Потом этот ток преобразуется обратно в постоянный.
Все преобразования необходимы для уменьшения габаритов сварочного аппарата. Традиционная схема сварочного инвертора получалась надежной, но имела очень большие габариты и вес. Кроме этого, характеристики сварочного тока с традиционным источником питания были значительно хуже, чем у инвертора.
Передача электроэнергии на высокой частоте позволяет использовать малогабаритные трансформаторы. Для получения высокой частоты постоянный ток преобразуется с помощью высоковольтных, мощных силовых транзисторов в переменный частотой 50-80 кГц.
Для работы мощных транзисторов напряжение 220 В выпрямляется, проходя через мостовую схему и фильтр из конденсаторов, который уменьшает пульсации. На управляющий электрод полупроводника подается переменный сигнал с генератора прямоугольных импульсов, который открывает/закрывает электронные ключи.
Выходы силовых транзисторов подключаются к первичной обмотке понижающего трансформатора. Благодаря тому, что они работают на большой частоте, их габариты уменьшаются в несколько раз.
Силовой инверторный блок
Переменное напряжение 220 В – это некоторое усредненное значение, которое показывает, что оно имеет такую же энергию, как и постоянный ток в 220 В. Фактически амплитуда равна 310 В. Из-за этого в фильтрах используются емкости на 400 В.
Мостовая выпрямительная сборка монтируется на радиатор. Требуется охлаждение диодов, поскольку через них протекают большие токи. Для защиты диодов от перегрева на радиаторе имеется предохранитель, при достижении критической температуры он отключает мост от сети.
В качестве фильтра используются электролитические конденсаторы, емкостью от 470 мкФ и рабочим напряжением 400 В. После фильтра напряжение поступает на инвертор.
Во время переключения ключей происходят броски импульсного тока вызывающие высокочастотные помехи. Чтобы они не проникали в сеть и не портили ее качество, сеть защищают фильтром электромагнитной совместимости. Он представляет собой набор конденсаторов и дросселя.
Сам инвертор собирается по мостовой схеме. В качестве ключевых элементов применяются IGBT транзисторы на напряжения от 600 В и токи соответствующие данному инвертору.
Они тоже с помощью специальной термопасты монтируются на радиаторы. При переключениях этих транзисторов возникают броски напряжения. Чтобы их погасить применяются RC фильтры.
Полученный на выходе электронных ключей переменный ток поступает на первичную обмотку высокочастотного понижающего трансформатора. На выходе вторичной обмотки получается переменный ток напряжением 50-60 В.
Под нагрузкой, когда идет сварка, он может выдавать ток до нескольких сотен ампер. Вторичная обмотка обычно выполняется ленточным проводом для уменьшения габаритов.
На выходе трансформатора стоит еще один мощный диодный мост. С него уже снимается необходимый сварочный ток. Здесь используются быстродействующие силовые диоды, другие использовать нельзя, потому что они сильно греются и выходят из строя. Для защиты от импульсных бросков напряжения используются дополнительные RC цепи.
Мягкий пуск
Для питания блока управления инвертора применяется стабилизатор на микросхеме с радиатором. Напряжение питания поступает с главного выпрямителя через резистивный делитель.
При включении сварочного инвертора конденсаторы начинают заряжаться. Токи достигают таких больших величин, что могут сжечь диоды. Чтобы этого не произошло, используется схема ограничения заряда.
В момент пуска ток проходит через мощный резистор, который ограничивает пусковой ток. После зарядки конденсаторов резистор с помощью реле отключается, шунтируется.
Блок управления и драйвер
Управление инвертором осуществляет микросхема широтно-импульсного модулятора. Она подает высокочастотный сигнал на управляющий электрод биполярного транзистора с изолированным затвором. Для защиты силовых транзисторов от перегрузок дополнительно устанавливаются стабилитроны между затвором и эмиттером.
Для контроля напряжения сети и выходного тока используется операционный усилитель, на нем происходит суммирование значений контролируемых параметров. При превышении или понижении от допустимых значений срабатывает компаратор, который отключает аппарат.
Для ручной регулировки сварочного тока предусмотрен переменный резистор, регулировочная ручка которого выводится на панель управления.
Сварочное оборудование на IGBT транзисторах имеет наилучшие характеристики по надежности. По сравнению с полевыми ключами биполярные транзисторы с изолированными затворами имеют преимущество больше 1000 В и 200 А.
При использовании в бытовых приборах и сварочных инверторах для домашнего пользования первое место до недавнего времени оставалось за сварочным оборудованием с MOSFET полупроводниками. Эта технология давно используется и хорошо отработана. Но у нее нет перспектив роста, в отличие от оборудования на IGBT транзисторах.
Новые модели уже ничем не уступают устройствам с полевыми приборами и на малых напряжениях. Только по цене первенство остается за аппаратами с полевыми транзисторами с индуцированным затвором.
Проверка боем: применение IGBT от ST в составе инверторов сварочных аппаратов MMA
STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT-транзисторов и мощных быстродействующих диодов, идеально подходящих для создания инверторов сварочных аппаратов. Сверхсовременные IGBT серий V, H, HB, M и диоды серии W отличаются малыми потерями на переключения и низким напряжением насыщения. Эти замечательные качества были подтверждены на практике при испытании MMA-инверторов мощностью 4 и 6 кВт.
Рынок сварочного оборудования представляет собой быстроразвивающуюся отрасль силовой электроники. На сегодня существует множество типов сварочных аппаратов:
Наиболее распространенным типом сварочной технологии является MMA. Она отличается простотой и применяется как в профессиональных, так и в бытовых аппаратах. Структура такого сварочного аппарата достаточно проста и состоит из источника тока, выходного выпрямителя (опционально) и системы управления (рисунок 1).
Рис. 1. Упрощенная структурная схема сварочного аппарата
Источник тока может быть реализован на базе мощного сетевого трансформатора (трансформаторный аппарат), либо на базе инвертора (инверторный аппарат). Главными достоинствами трансформаторных аппаратов являются простота и максимальная надежность, а недостатками – большие габариты, грубое регулирование и низкое качество сварки. Инверторные аппараты, использующие современные полупроводниковые силовые ключи, не имеют этих недостатков.
Основными компонентами мощных инверторов являются IGBT-транзисторы и быстродействующие диоды. Компания STMicroelectronics выпускает силовые электронные компоненты, идеально подходящие для построения сварочных аппаратов [1]:
Требования к IGBT в составе сварочных инверторов
Принцип работы инверторного сварочного аппарата достаточно прост (рисунок 2). Питающее напряжение сети выпрямляется и поступает на вход инвертора. Инвертор преобразует постоянное напряжение в переменное, которое передается в нагрузку через высокочастотный силовой трансформатор. Работу инвертора контролирует система управления (СУ). Увеличивая и уменьшая длительности управляющих импульсов, можно изменять передаваемую в нагрузку мощность. Кроме основных блоков, схема содержит и вспомогательные: корректор коэффициента мощности (ККМ) и выходной выпрямитель.
Рис. 2. Структура инверторного сварочного аппарата
Основным блоком инверторного сварочного аппарата является непосредственно инвертор, который может быть реализован по любой из известных топологий. Среди наиболее часто используемых схем можно отметить push-pull, мостовую, полумостовую, полумостовую несимметричную (косой полумост).
Несмотря на многообразие топологий, требования к IGBT оказываются примерно одинаковыми:
К вышесказанному стоит добавить, что, во-первых, при выборе транзисторов для инвертора следует обращать внимание не только на рейтинги токов и напряжений, но и на параметры, определяющие мощность потерь. Во-вторых, требования к низкому напряжению насыщения и высокой рабочей частоте оказываются противоречивыми.
IGBT производства STMicroelectronics сочетают в себе уникальные характеристики: способны коммутировать большую мощность, отличаются высоким быстродействием, при этом – сохраняют низкое значение Uкэ нас. Это стало возможным благодаря использованию новейших технологий.
Мощности потерь и особенности технологии производства IGBT от ST
Основный причиной ограничения мощности инвертора является перегрев IGBT. Он является следствием потерь мощности, рассеиваемой в виде тепла.
Как известно, суммарные потери мощности в IGBT (Pd) складываются из двух составляющих: потери проводимости (Pконд, кондуктивные потери) и потери на переключения (Pперекл) (таблица 1).
Таблица 1. Потери мощности в IGBT
| Параметр | IGBT |
| Суммарные потери | Pd = Pконд + Pперекл |
| Кондуктивные потери | Pконд = Uкэ нас (rms) × Iк × D, где D – коэффициент заполнения |
| Потери на переключение | Pперекл = Eперекл × f, где f – частота переключений, Eперекл = (Eвкл + Eвыкл) — суммарные потери на переключения (приводится в параметрах IGBT) |
| Максимальная мощность, ограничиваемая перегревом кристалла | Pd = (Tj – Tc)/Rth-jc, где Tc – температура корпуса, Tj – температура кристалла, Rth-jc – тепловое сопротивление «кристалл-корпус» (приводится в параметрах IGBT) |
Кондуктивные потери определяются значением напряжения насыщения Uкэ нас. По этой причине его стараются максимально снизить.
Потери на переключения объединяют энергию, затрачиваемую на включение (Eвкл) и на выключение (Eвыкл).
Энергия на включение Евкл в большей степени определяется встроенным антипараллельным диодом. Для оптимизации этого параметра можно использовать внешний диод с лучшими характеристиками (меньшее время восстановления) или оптимизировать режим переключения (переключения при нулевых токах или напряжениях).
Энергия на выключение Евыкл определяется эффективностью рекомбинации неосновных носителей в структуре IGBT. Затягивание процесса рекомбинации приводит к появлению токового хвоста (рисунок 3), [2].
Рис. 3. Потери на выключение для планарного IGBT
Во время включенного состояния через IGBT протекает ток, и в его слое n- происходит накопление неосновных носителей (дырок из слоя p+). После выключения транзистора число этих накопленных носителей сокращается достаточно медленно, главным образом – за счет неэффективной рекомбинации в низколегированном слое n-. В результате образуется токовый «хвост», приводящий к дополнительным потерям мощности.
Один из способов повышения быстродействия заключается в уменьшении степени легирования области p+. Это приводит к уменьшению числа носителей, а значит – и к ускоренному процессу рекомбинации. Однако уменьшение числа носителей, очевидно, приведет и к возрастанию напряжения насыщения.
Рис. 4. Развитие технологий IGBT производства STMicroelectronics
Таким образом, увеличение быстродействия при сохранении напряжения насыщения возможно только благодаря качественным улучшениям и применению новых технологий. Например, для ускорения процесса рекомбинации между слоями p+ и n- создается слой n+ (рисунок 4а). Быстродействие возрастает, но остается достаточно низким.
Одним из революционных решений, позволившим качественно улучшить характеристики IGBT, стало применение технологии TGFS (Trench Gate Field Stop), (рисунок 4б). Суть TGFS состоит в изменении структуры затвора, который выполняется в изолированной канавке. Проводящий канал становится вертикальным, что уменьшает эффективную толщину слоя n-. Это, с одной стороны, приводит к снижению напряжения насыщения, а с другой – к уменьшению числа накапливаемых носителей.
Наиболее современное поколение IGBT производства STMicroelectronics серии V включает все лучшие технологические решения [2]: TGFS, снижение толщины исходной пластины p-, уменьшение толщин диффузных и эпитаксиальных слоев, увеличение глубины внедрения затвора (рисунок 4в). Это позволяет уменьшить энергию, затрачиваемую на выключение, при сохранении значения напряжения насыщения.
STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT с различными характеристиками. Богатый выбор позволяет найти оптимальные транзисторы с учетом требований к конкретному сварочному аппарату и используемой топологии.
Обзор серий IGBT от ST
Линейка IGBT производства STMicroelectronics содержит четыре серии, представители которых наиболее подходят для сварочных инверторов. Это серии V, HB, H, M. Все эти транзисторы отвечают перечисленным выше требованиям и имеют отличные характеристики [1, 4]:
Серия M предназначена для коммутации напряжений до 1200 В и токов до 40 А (таблица 2). Отличительной особенностью серии является низкое напряжение насыщения (не более 2,2 В) и малая энергия на переключения (от 1,2 мДж). Это делает данные транзисторы оптимальным выбором для инверторов, работающих на частотах до 20 кГц.
Таблица 2. Характеристики IGBT серии M
| Наименование | Корпус | Uкэ макс., В | Iк макс. при Tc = 100°C, А | Uкэ нас. макс., В | Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж | Диод | F макс., кГц | Pd макс., Вт |
| STGW15M120DF3 | TO-247 | 1200 | 15 | 2,2 | 1,2 | есть | 20 | 283 |
| STGW25M120DF3 | TO-247 | 1200 | 25 | 2,2 | 2 | есть | 20 | 326 |
| STGW40M120DF3 | TO-247 | 1200 | 40 | 2,2 | 3 | есть | 20 | 468 |
| STGWA15M120DF3 | TO-247 LONG LEADS | 1200 | 15 | 2,2 | 1,2 | есть | 20 | 283 |
| STGWA25M120DF3 | TO-247 LONG LEADS | 1200 | 25 | 2,2 | 2 | есть | 20 | 326 |
| STGWA40M120DF3 | TO-247 LONG LEADS | 1200 | 40 | 2,2 | 3 | есть | 20 | 468 |
Серия H способна коммутировать напряжения до 1200 В и токи до 40 А (таблица 3). По сравнению с транзисторами серии M, IGBT серии H имеют меньшее значение энергии переключения (от 0,85 мДж) и большее напряжение насыщения (до 2,4 В). По этой причине они подходят для более высокочастотных приложений и способны работать на частотах до 100 кГц.
Таблица 3. Характеристики IGBT серии H
| Наименование | Корпус | Uкэ макс., В | Iк макс. при Tc = 100°C, А | Uкэ нас. макс., В | Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж | Диод | F макс., кГц | Pd макс., Вт |
| STGW15H120DF2 | TO-247 | 1200 | 15 | 2,4 | 0,85 | есть | 50 | 260 |
| STGW15H120F2 | TO-247 | 1200 | 15 | 2,4 | 0,85 | нет | 50 | 260 |
| STGWA15H120DF2 | TO-247 LONG LEADS | 1200 | 15 | 2,4 | 0,85 | есть | 50 | 260 |
| STGWA15H120F2 | TO-247 LONG LEADS | 1200 | 15 | 2,4 | 0,85 | нет | 50 | 260 |
| STGW25H120DF2 | TO-247 | 1200 | 25 | 2,4 | 1,4 | есть | 50 | 375 |
| STGW25H120F2 | TO-247 | 1200 | 25 | 2,4 | 1,4 | нет | 50 | 375 |
| STGW40H120DF2 | TO-247 | 1200 | 40 | 2,4 | 2,2 | есть | 100 | 468 |
| STGW40H120F2 | TO-247 | 1200 | 40 | 2,4 | 2,2 | нет | 100 | 468 |
Серия HB не является основной для построения сварочных инверторов, однако ее характеристики также на высоте (таблица 4). Напряжение насыщения для этих IGBT являются рекордными среди всех семейств и начинаются от 1,65 В. Энергия переключения, во многих случаях не превышает 0,6 мДж. Рабочая частота для представителей семейства достигает 50 кГц.
Таблица 4. Характеристики IGBT серии HB
| Наименование | Корпус | Uкэ макс., В | Iк макс. при Tc = 100°C, А | Uкэ нас макс., В | Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж | Диод | F макс., кГц | Pd макс., Вт |
| STGFW20H65FB | TO-3PF | 650 | 20 | 1,65 | 0,6 | нет | 50 | 58 |
| STGFW30H65FB | TO-3PF | 650 | 30 | 1,65 | 0,6 | нет | 50 | 58 |
| STGFW40H65FB | TO-3PF | 650 | 40 | 1,8 | 0,6 | нет | 50 | 58 |
| STGW20H65FB | TO-247 | 650 | 20 | 1,65 | 0,6 | нет | 50 | 260 |
| STGW30H65FB | TO-247 | 650 | 30 | 1,65 | 0,6 | нет | 50 | 260 |
| STGW40H65DFB | TO-247 | 650 | 40 | 1,8 | 0,6 | есть | 50 | 283 |
| STGW40H65FB | TO-247 | 650 | 40 | 1,8 | 0,6 | нет | 50 | 283 |
| STGW60H65DFB | TO-247 | 650 | 60 | 1,75 | 1 | есть | 50 | 375 |
| STGW60H65FB | TO-247 | 650 | 60 | 1,75 | 1 | нет | 50 | 375 |
| STGW80H65DFB | TO-247 | 650 | 80 | 1,6 | 1,3 | есть | 50 | 469 |
| STGW80H65FB | TO-247 | 650 | 80 | 1,8 | 1,9 | нет | 50 | 469 |
| STGWA80H65FB | TO-247 LONG LEADS | 650 | 80 | 1,8 | 1,9 | нет | 50 | 469 |
| STGWT20H65FB | TO-3P | 650 | 20 | 1,65 | 0,6 | нет | 50 | 260 |
| STGWT30H65FB | TO-3P | 650 | 30 | 1,65 | 0,6 | нет | 50 | 260 |
| STGWT40H65DFB | TO-3P | 650 | 40 | 1,8 | 0,6 | есть | 50 | 283 |
| STGWT40H65FB | TO-3P | 650 | 40 | 1,8 | 0,6 | нет | 50 | 283 |
| STGWT60H65DFB | TO-3P | 650 | 60 | 1,75 | 1 | есть | 50 | 375 |
| STGWT60H65FB | TO-3P | 650 | 60 | 1,75 | 1 | нет | 50 | 375 |
| STGWT80H65DFB | TO-3P | 650 | 80 | 1,6 | 1,3 | есть | 50 | 469 |
| STGWT80H65FB | TO-3P | 650 | 80 | 1,8 | 1,9 | нет | 50 | 469 |
Серия V, как было сказано выше, является флагманом в номенклатуре STMicroelectronics. Благодаря новейшим технологиям, у данных IGBT практически полностью отсутствует токовый «хвост», и энергия на выключение оказывается минимальной – от 0,2 мДж (таблица 5), при этом напряжение насыщения не превышает 2,15 В. Все это позволяет использовать транзисторы серии V в быстродействующих инверторах с максимальной частотой переключения до 120 кГц.
Таблица 5. Характеристики IGBT серии V
| Наименование | Корпус | Uкэ макс., В | Iк макс. при Tc = 100°C, А | Uкэ нас. макс., В | Eвыкл тип. при Tc = 125°C, мДж | Диод | F макс., кГц | Pd макс., Вт |
| STGB20V60DF | D2PAK | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | есть | 120 | 167 |
| STGB20V60F | D2PAK | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | нет | 120 | 167 |
| STGFW20V60DF | TO-3PF | 600 | 20 | 1,8 | 0,2 | есть | 120 | 52 |
| STGFW20V60F | TO-3PF | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | нет | 120 | 167 |
| STGP20V60DF | TO-220AB | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | есть | 120 | 167 |
| STGP20V60F | TO-220AB | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | нет | 120 | 167 |
| STGW20V60DF | TO-247 | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | есть | 120 | 167 |
| STGW20V60F | TO-247 | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | нет | 120 | 167 |
| STGWT20V60DF | TO-3P | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | есть | 120 | 167 |
| STGWT20V60F | TO-3P | 600 | 20 | 2,15 | 0,2 | нет | 120 | 167 |
| STGB30V60DF | D2PAK | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | есть | 120 | 260 |
| STGB30V60F | D2PAK | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | нет | 120 | 260 |
| STGFW30V60DF | TO-3PF | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | есть | 120 | 58 |
| STGFW30V60F | TO-3PF | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | нет | 120 | 58 |
| STGP30V60DF | TO-220AB | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | есть | 120 | 260 |
| STGP30V60F | TO-220AB | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | нет | 120 | 260 |
| STGW30V60DF | TO-247 | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | есть | 120 | 260 |
| STGW30V60F | TO-247 | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | нет | 120 | 260 |
| STGWT30V60DF | TO-3P | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | есть | 120 | 260 |
| STGWT30V60F | TO-3P | 600 | 30 | 2,15 | 0,3 | нет | 120 | 260 |
| STGB40V60F | D2PAK | 600 | 40 | 2,15 | 0,5 | нет | 120 | 283 |
| STGFW40V60DF | TO-3PF | 600 | 40 | 2,15 | 0,5 | есть | 120 | 62,5 |
| STGFW40V60F | TO-3PF | 600 | 40 | 2,15 | 0,45 | нет | 120 | 60 |
| STGP40V60F | TO-220AB | 600 | 40 | 2,15 | 0,5 | нет | 120 | 283 |
| STGW40V60DF | TO-247 | 600 | 40 | 2,15 | 0,5 | есть | 120 | 283 |
| STGW40V60F | TO-247 | 600 | 40 | 2,15 | 0,5 | нет | 120 | 283 |
| STGWT40V60DF | TO-3P | 600 | 40 | 2,15 | 0,5 | есть | 120 | 283 |
| STGW60V60DF | TO-247 | 600 | 60 | 2,15 | 0,75 | есть | 120 | 375 |
| STGW60V60F | TO-247 | 600 | 60 | 2,15 | 0,75 | нет | 120 | 375 |
| STGWT60V60DF | TO-3P | 600 | 60 | 2,15 | 0,75 | есть | 120 | 375 |
| STGFW80V60F | TO-3PF | 600 | 80 | 2,15 | 1,15 | нет | 120 | 79 |
| STGW80V60DF | TO-247 | 600 | 80 | 2,15 | 1,15 | есть | 120 | 469 |
| STGW80V60F | TO-247 | 600 | 80 | 2,15 | 1,15 | нет | 120 | 469 |
| STGWT80V60DF | TO-3P | 600 | 80 | 2,15 | 1,15 | есть | 120 | 469 |
| STGWT80V60F | TO-3P | 600 | 80 | 2,15 | 1,15 | нет | 120 | 469 |
Для наименования IGBT представленных серий используется код, состоящий из восьми позиций (таблица 6). Он содержит тип компонента, обозначение корпуса, название семейства, напряжение пробоя, наличие диода и его характеристики. Стоит отметить, что версии транзисторов с диодом с низким падением напряжения (индекс DL) не подходят для работы в составе сварочных инверторов.
Таблица 6. Именование IGBT производства STMicroelectronics
| STG | W | 60 | V | 60 | D | F | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Поколение технологии | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Технология Trench gate Field Stop | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Встроенный диод: Код напряжения пробоя: Максимальный ток при 100°С
Большинство IGBT представленных семейств выпускается в двух вариантах: со встроенным быстродействующим диодом и без него. Характеристики этих диодов достаточно хороши. Однако в случае необходимости требуется применять внешние диоды, например, в схеме асимметричного моста. При этом следует обратить внимание на мощные быстродействующие диоды серии W производства STMicroelectronics. Обзор мощных диодов серии W от STМощные быстродействующие диоды серии W разработаны специально для работы в составе мощных импульсных преобразователей с жесткими условиями переключений. Для этого их характеристики соответствующим образом оптимизированы (таблица 7): Таблица 7. Мощные быстродействующие диоды производства STMicroelectronics
Результаты практического применения IGBT от ST в MMA-инверторахДля подтверждения преимуществ транзисторов IGBT производства STMicroelectronics были построены и испытаны сварочные инверторы: MMA160 (входная мощность 3,8 кВт) и MMA200 (входная мощность 6 кВт) [3]. Условия проведения испытаний были одинаковыми [3]: Инвертор MMA160 был построен на базе транзисторов STGW40V60DF (рисунок 5). Частота переключений составляла 63 кГц.
Рис. 5. Схема инвертора MMA160 В ходе испытаний производились замеры входной мощности, входного тока и температуры корпуса транзисторов. При увеличении входной мощности от 2 кВт до максимальной мощности в 3,8 кВт происходил разогрев транзисторов и рост энергии на выключение (таблица 8). Таблица 8. Результаты испытаний инвертора MMA 160
Инвертор показал устойчивую работу во всем диапазоне мощностей. Отключение при максимальной мощности произошло только по истечении 10 минут 17 секунд, после срабатывания защиты от перегрева (105°С). Максимальное значение энергии на выключение IGBT при этом увеличивалось с 311 мДж до 550 мДж, что является хорошим результатом и соответствует заявленному в документации значению (таблица 5). Инвертор MMA200 был построен с использованием спаренных IGBT STGW60H65DFB (рисунок 6). Рабочая частота составила 63 кГц. Для дополнительной защиты транзисторов были применены снабберные RC-цепочки.
Рис. 6. Схема инвертора MMA200 В ходе испытаний входная мощность MMA200 увеличивалась с 2,6 кВт до 5,8 кВт. Инвертор продемонстрировал устойчивую работу во всех режимах и выключился после срабатывания температурной защиты спустя 8 минут 15 секунд после выхода на мощность 5,8 кВт. При увеличении входных токов происходил рост температуры транзисторов и увеличение энергии на выключение (таблица 9). Диапазон изменений энергии на выключение составил 586…947 мДж, что соответствует заявленному значению. Таблица 9. Результаты испытаний инвертора MMA200
Проведенные испытания подтвердили отличные характеристики, заявленные производителем. Таким образом, IGBT производства компании STMicroelectronics идеально подходят для построения инверторов сварочных аппаратов. ЗаключениеВ номенклатуре компании STMicroelectronics есть четыре серии IGBT, предназначенных для работы в жестких условиях переключения в составе сварочных инверторов. Данные транзисторы отвечают всем необходимым для этого требованиям. Их основными достоинствами являются: Кроме IGBT, STMicroelectronics предлагает разработчикам мощные быстродействующие диоды серии W, которые отличаются малым временем восстановления и низким прямым падением напряжения. Отличные характеристики силовых компонентов производства ST подтверждены практикой. Для этого инженерами компании были созданы и испытаны сварочные инверторы MMA160 и MMA200, построенные на основе транзисторов STGW40V60DF и STGW60H65DFB.  Привет, друзья! Сегодня мы с вами поговорим о замечательной  Привет, дорогие дети! Сегодня я хочу рассказать вам  Дорогие дети, сегодня мы поговорим о загадочной поговорке «  Привет, дорогие дети! Сегодня мы поговорим о забавной | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
