Infinity Fabric Clock или FCLK на процессорах AMD, как они работают?
Как вы, наверное, уже знаете, современные процессоры больше не состоят в буквальном смысле из одного чипа, а фактически состоят из ряда взаимосвязанных подсистем, таких как ЦП сам с кеш или Память контроллер. Этот метод соединения, когда мы говорим о процессорах AMD, называется Infinity Fabric и есть свои часы это диктует его операционные характеристики.
Что такое Infinity Fabric на процессорах AMD?
Давайте начнем с самого начала, чтобы поместить вещи в контекст, поэтому давайте сначала определим, что такое Infinity Fabric. Также известная под аббревиатурой IF, мы сталкиваемся с архитектурой межсетевого взаимодействия всей системы, запатентованной AMD (это означает, что мы не можем видеть ее в Intel, например), который отвечает за передачу данных и управление через связанные компоненты, которые, как мы указывали ранее в качестве примера, могут быть, например, кешем или контроллером памяти.
Что такое Infinity Fabric Clock или FCLK?
Например, процессору AMD Ryzen первого поколения требовались модули ОЗУ с тактовой частотой не менее 3200 МГц, чтобы существенно не влиять на производительность Infinity Fabric.
Однако с момента появления процессоров архитектуры AMD Zen 2 это изменилось, и теперь FCLK был отделен от памяти и им можно управлять независимо (по крайней мере, на материнских платах с набором микросхем X570) от системного BIOS, при этом система не страдает такой потерей производительности, когда оперативная память слишком медленная.
Режимы работы
Имейте в виду, что в процессорах AMD Ryzen помимо обычной тактовой частоты у нас есть еще три: Infinity Fabric Clock (FCLK), о которых мы уже говорили, UCLK (скорость контроллера памяти) и MCLK (скорость самой RAM). Infinity Fabric определяет, насколько быстро ядра процессора могут взаимодействовать друг с другом, когда они находятся на другом кристалле, или с секцией ввода-вывода самого процессора.
По умолчанию эти три частоты имеют соотношение 1: 1: 1, или, другими словами, все три работают синхронно, поэтому FCLK также будет привязан к частоте ОЗУ, но, как мы уже говорили ранее, теперь у нас есть возможность изменить это правило.
Другими словами, это означает, что чем выше скорость ОЗУ, тем ниже производительность Infinity Fabric, по крайней мере, достигла определенного предела (3733 МГц, о которых мы упоминали ранее).
Стоит ли увеличивать скорость бега?
Как мы объясняли ранее, FCLK теперь можно модифицировать непосредственно из BIOS на ПК, совместимых с процессором AMD, поэтому, если мы установим действительно быструю память RAM, мы можем быть заинтересованы в увеличении ее рабочей частоты, чтобы иметь лучшую производительность… или нет? Ответ положительный, но с некоторыми «но», поскольку увеличение скорости FCLK требует определенных затрат.
Начнем с того, что мы сталкиваемся с ограничениями, которые мы можем найти при повышении этой рабочей частоты, поскольку это не параметр, который слишком сильно масштабируется. По сути, имеет смысл увеличить скорость работы при использовании ОЗУ 3000 или 3200 МГц, но это вызовет некоторую десинхронизацию задержек ОЗУ и может привести к проблемам в виде синих экранов в дополнение к увеличению задержек ОЗУ.
Теоретически и по мнению известного оверклокера Buildzoid, улучшение FCLK минимум на 166 МГц по сравнению со значением 1: 1 является «прибыльным», несмотря на то, что задержки оперативной памяти увеличиваются. Мы рекомендуем, если вы хотите «поиграть» с этим параметром, поищите вариант, который вам больше всего подходит.
Как изменить часы Infinity Fabric на вашем ПК
Изменить этот параметр можно на материнских платах с набором микросхем AMD X570, и это так же просто, как получить доступ к BIOS и в разделе Overclock или Advanced Options (он меняется в зависимости от производителя) найти параметр FCLK Frequency.
Fclk frequency что это в биосе asrock intel
Как сообщает сайт AnandTech, во время тестирования платформ с процессорами Skylake-K (модели Core i7-6700K и i5-6600K) обнаружилась одна неприятная особенность. При работе с дискретными видеокартами обе новинки по производительности почти всегда уступали платформам поколения Broadwell и Haswell. В среднем отставание Skylake было на уровне 1-3 %, хотя в отдельных случаях снижение средней частоты кадров доходило до 5-7 %. И если в сравнении с процессорами Broadwell грешить можно было на изменившиеся механизмы работы с буфером в виде модуля eDRAM, то почему Skylake отставал от Haswell, оставалось загадкой.
реклама
Поскольку аналогичные результаты тестирования были у коллег, авторы сайта обратились с вопросами к Intel и ASUS. Последняя, как вы можете понять, предоставила на тесты материнскую плату. Как выяснилось после с трудом добытой информации, в процессорах Skylake некий регистр работает не так, как планировалось. Со слов одного из инженеров на IDF 2015, компания Intel работает над проблемой. Речь идёт о регистре, который отвечает за значение тактовой частоты кольцевой шины. Точнее, за участок между процессором и PCI Express Graphics (PEG). В ASUS пояснили, также, это может быть связано с неправильной установкой значения FCLK.
По требованию Intel значение частоты FCLK для мобильных платформ устанавливается по отношению к опорному генератору BCLK множителем x8 (800 МГц), а для настольных платформ — x10 (1 ГГц). По умолчанию производители плат даже для настольных систем устанавливали меньшее значения частоты — 800 МГц. В связи с этим знанием, кстати, все опубликованные тесты Skylake, считает источник, можно теперь подвергнуть сомнению. Без знания установки множителя FCLK, а оно может стоять в режиме автоматической установки с непредсказуемым результатом, говорить о правильном тестировании платформ Intel Skylake становится неправомочно.
Как выбрать и настроить память для Ryzen 5000, чтобы не профукать 15 % FPS на ровном месте
⇡#Магия синхронизма: частота контроллера памяти и шины Infinity Fabric
Чтобы понять, что не так с режимом DDR4-4000 (и более скоростными) в Ryzen 5000, нужно немного углубиться в их внутреннее устройство. Процессоры этого семейства собраны из чиплетов двух типов – 7-нм восьмиядерных CCD-чиплетов, которые содержат внутри себя вычислительные ядра, и 12-нм чиплета IOD, в котором находятся контроллеры памяти, PCIe 4.0 и некоторых других внешних интерфейсов. Соединяются чиплеты между собой специальной 32-битной шиной Infinity Fabric, которая работает на своей независимой частоте.
Поскольку контроллер памяти в Ryzen физически оторван от процессорных ядер, он также имеет свою рабочую частоту. И в сумме всё это приводит к тому, что скорость работы подсистемы памяти определяется сразу тремя частотами: частотой модулей памяти, частотой контроллера памяти и частотой шины Infinity Fabric, связывающей контроллер с процессорными ядрами и L3-кешем.
Естественно, максимальная производительность всего этого комплекса достигается в том случае, когда Infinity Fabric, контроллер памяти и сама память работают синхронно, то есть на одинаковой частоте, однако добиться этого для любых вариантов модулей DDR4 SDRAM невозможно. Но AMD хотя бы постаралась, чтобы правило синхронного тактования соблюдалось в максимально возможном количестве случаев. И если в системе используется DDR4-3600 или менее скоростная память, то синхронность достигается автоматически. Но для более быстрых модулей памяти всё получается уже иначе.
| Частота памяти (mclk) | Частота контроллера (uclk) | Частота Infinity Fabric (fclk) | |
|---|---|---|---|
| До DDR4-3600 | mclk до 1800 МГц | uclk = mclk | fclk = mclk |
| DDR4-3600 | mclk = 1800 МГц | uclk = 1800 МГц | fclk = 1800 МГц |
| После DDR4-3600 | mclk выше 1800 МГц | uclk = mclk/2 | fclk = 1800 МГц |
В таблице выше показано, как ведут себя частоты контроллера памяти и шины Infinity Fabric при переходе через режим DDR4-3600. В более скоростных режимах частота Infinity Fabric перестаёт расти вслед за частотой памяти и остаётся на отметке 1800 МГц, активируя асинхронность.
Что касается контроллера памяти, то его частота связана с частотой памяти, но он может работать как на частоте памяти, так и на половине её частоты. При этом есть и ещё одно условие: его частота не может быть выше частоты Infinity Fabric. В результате если частота Infinity Fabric перестаёт соответствовать частоте памяти, контроллер памяти вынужден переходить в более медленный режим половинной частоты. В итоге получается два принципиально различных варианта: либо всё работает синхронно и всё хорошо, либо все частоты, связанные с подсистемой памяти, выходят из связки, и это порождает дополнительные и довольно весомые задержки. Именно из-за них мы и наблюдаем снижение производительности Ryzen 7 5800X при установке в систему DDR4-4000.
Однако есть и ещё один важный нюанс. Описанная выше связь частот – это механизм, который реализован в системах на базе процессоров Ryzen 5000 по умолчанию. В действительности же у пользователя есть доступ как к изменению частоты Infinity Fabric вручную, так и к смене режимов тактования контроллера памяти – синхронно с модулями DDR4 SDRAM или на половинной частоте.
В результате пользователь сам может попытаться включить производительный синхронный режим для более быстрых, нежели DDR4-3600, вариантов памяти. И в ряде случаев это действительно работает. Так, благодаря ручной настройке частот с Ryzen 5000 может синхронно работать не только DDR4-3600, но и более быстрая DDR4-3800 (чем мы и воспользовались для тестов в предыдущем разделе). В этом случае достаточно вручную зафиксировать частоту Infinity Fabric на значении 1900 МГц, и это чаще всего будет работать без каких-либо проблем. Однако для более быстрых вариантов памяти, таких как DDR4-4000, добиться стабильности в синхронном режиме уже почти невозможно.
Когда AMD анонсировала процессоры семейства Ryzen 5000, она обещала, что с ними при удачном стечении обстоятельств сможет работать синхронно и DDR4-4000, то есть утверждалось, что частота 2000 МГц для шины Infinity Fabric вполне реальна.
Однако это утверждение не прошло проверку жизнью. Установить частоту Infinity Fabric и контроллера памяти в 2000 МГц возможно, но при таких настройках в операционной системе начинают фиксироваться множественные ошибки WHEA (Windows Hardware Error), которые связаны с искажением данных, передаваемых по Infinity Fabric. В большинстве своём эти ошибки исправляются механизмами Windows 10, однако некоторые из них могут привести к краху системы и появлению «синих экранов». Иными словами, система, работающая в таком состоянии, не может считаться стопроцентно стабильной, и максимально доступным синхронным режимом памяти для процессоров Ryzen 5000 следует считать DDR4-3800, а не DDR4-4000.
Чтобы оценить штраф, который налагается при отключении синхронного режима памяти, мы протестировали, как Ryzen 7 5800X работает с DDR4-3800 при трёх схемах тактования: 1900:1900:1900 – когда частоты памяти, Infinity Fabric и контроллера памяти совпадают; 1900:1900:950 – когда память и Infinity Fabric работают синхронно, но контроллер переведён в режим половинной частоты; 1900:1800:950 – когда Infinity Fabric работает на асинхронной частоте 1800 МГц.
Кроме того, попутно мы попытались ответить на вопрос о целесообразности разгона Infinity Fabric в системах, где память работает на более низкой частоте. На тех же графиках присутствуют результаты, полученные при использовании в системе DDR4-3200 в трёх режимах: 1600:1600:1600 – полностью синхронном; 1600:1900:1600 – асинхронном при разгоне Infinity Fabric до 1900 МГц; 1600:1900:800 – асинхронном, где Infinity Fabric разогнана, а контроллер памяти заторможен до половинной частоты. Все тесты проведены с двумя модулями по 16 Гбайт.
Из результатов синтетических тестов видно, что нарушение синхронности в трёх частотах приводит не столько к падению практической пропускной способности подсистемы памяти, сколько к увеличению задержки. В конечном итоге латентность возрастает почти на 20 %, причём основная часть этого штрафа возникает при включении в контроллере памяти режима половинной частоты, а вовсе не тогда, когда частота Infinity Fabric перестаёт совпадать с частотой памяти.
В приложениях использование асинхронных режимов не кажется опасным для производительности. Существенное падение быстродействия заметно только при архивации. Однако в целом видно, что отсутствие согласованности между частотами ни к чему хорошему не приводит. Даже разгон частоты Infinity Fabric выше частоты памяти оказывает на итоговую производительность негативное влияние.
В итоге получается, что использовать с Ryzen 7 5800X память в режимах быстрее DDR4-3800 действительно не имеет смысла. При этом нужно обязательно следить, чтобы соблюдалось равенство частоты памяти, частоты Infinity Fabric и частоты контроллера памяти. Проверить правильность их тактования можно диагностическими утилитами, например в HWINFO64.
Заодно там же стоит проконтролировать отсутствие ошибок WHEA, которые появляются в системах на базе Ryzen 5000 при переразгоне Infinity Fabric.
⇡#Тайминги: они важнее частоты или нет?
Раз мы сегодня говорим обо всех факторах, которые влияют на производительность памяти и в конечном итоге всей системы, обойти стороной тайминги просто невозможно. В процессорах Ryzen 5000, основанных на микроархитектуре Zen 3, произошли значительные изменения, самым заметным из которых стало объединение восьми ядер в одном CCX-комплексе. Это привело к удвоению размера L3-кеша, адресуемого каждым вычислительным ядром, что, в свою очередь, повлекло за собой снижение усреднённых задержек, которые возникают при обращениях процессора к данным. В теории это могло бы означать и снижение влияния на производительность таймингов памяти, которое в процессорах прошлого поколения было определённо заметным.
Но простой тест позволяет убедиться, что схема таймингов, с которой работает тот или иной комплект памяти, продолжает влиять на быстродействие всей системы. Чтобы убедиться в этом, мы протестировали 32-Гбайт комплект DDR4-3600, состоящий из двух модулей, с четырьмя различными схемами таймингов, начиная с 14-14-14-28 и заканчивая 20-20-20-40. Результаты получились вполне показательными.
Если судить по числам в синтетическом бенчмарке AIDA64 Cachemem, то схема таймингов в первую очередь оказывает влияние на практическую латентность. Агрессивная схема задержек 14-14-14-28 позволят выиграть у средних таймингов 18-18-18-36 до 6 % в латентности. При отсутствии заметных различий в пропускной способности при чтении, записи и копировании это кажется совсем немного – изменение частоты работы памяти даёт куда больший эффект.
Не слишком выигрывают от снижения таймингов и приложения. Даже если сравнивать между собой результаты, полученные с худшей и лучшей схемой задержек, то получится, что максимальный разрыв в производительности достигает лишь 5 %. Причём такая разница наблюдается всего единожды – при измерении скорости архивации данных.
Но для игр тайминги всё-таки кажутся довольно важной характеристикой. Кадровая частота может различаться на величину до 6 % в относительном выражении. Таким образом, выбор памяти с агрессивными настройками может быть вполне оправдан. Однако нельзя не сделать важную оговорку о том, что те самые 6 % разницы, которые мы увидели при переходе от максимально вялой схемы 20-20-20-40 к очень бодрым 14-14-14-28, можно было бы получить за счёт увеличения частоты работы памяти на 400-500 МГц. Это создаёт впечатление, что частота памяти – более важная характеристика, нежели её задержки.
⇡#Тонкая подстройка таймингов без страданий и боли
Большинство пользователей не занимается тонкой настройкой таймингов памяти, полагаясь на XMP-профили. И это вполне закономерно: профили XMP как раз и были введены в употребление для того, чтобы снять с пользователей груз по подбору идеальных параметров памяти, которые позволят выжать из имеющихся модулей максимум возможного. Однако из-за того, что профили XMP делаются универсальными и способными подойти для совершенно различных систем, предлагаемые ими установки всегда можно улучшить, и нередко – весьма существенно. Это касается как первичных таймингов, которые указываются в спецификациях модулей, так и вторичных параметров, которые в действительности тоже могут сильно повлиять на производительность, – в конечном итоге после тщательной настройки рассчитывать можно как минимум на 5 % дополнительного прироста FPS в играх.
Другое дело, что заниматься подгонкой многочисленных параметров подсистемы памяти, число которых превышает три десятка, захотеть могут лишь только самые отчаянные энтузиасты, которые готовы тратить на идеальную подгонку настроек своей сборки даже не часы, а дни и недели. К счастью, существует довольно простой путь, как можно срезать этот угол, – в этом может помочь полезная утилита DRAM calculator for Ryzen, созданная хорошо известным (в узких кругах) разработчиком Юрием Бублием (1usmus).
Утилита DRAM calculator for Ryzen предлагает заранее подобранные оптимизированные профили настроек для многих распространённых комплектов памяти. Достаточно указать базовые характеристики комплекта – тип чипов, лежащих в его основе, версию печатной платы DIMM, объём модулей и их ранговость, – как программа предложит свою схему рекомендуемых таймингов, которую останется лишь перенести в BIOS Setup. Естественно, стабильность работы при этом не гарантируется, но в большинстве случаев DRAM calculator for Ryzen предлагает дельные варианты, которые, с одной стороны, нормально работают, а с другой – позволяют нарастить производительность на несколько процентов благодаря тщательно подобранным настройкам.
Узнать необходимые характеристики установленного в системе комплекта памяти можно с помощью другой утилиты — Thaiphoon Burner. Она поможет определить лежащие в основе модулей памяти аппаратные компоненты, указывать которые нужно в DRAM calculator for Ryzen.
Утилита DRAM calculator for Ryzen может предложить профили настроек не только для номинальной частоты памяти, но и для повышенной частоты, которые можно применить при разгоне модулей DDR4 SDRAM. Важно лишь предварительно убедиться, что имеющаяся память способна функционировать на такой частоте в принципе.
Как всё это работает и какой вклад вносит в производительность, мы проверили в следующем тесте, в рамках которого протестировали систему на Ryzen 7 5800X с имеющимися модулями DDR4-3600 компании Crucial несколько раз. При этом мы сравнили разные варианты их настройки: базовый – в режиме DDR4-3600 с таймингами, установленными по XMP; тайминги из профиля DRAM calculator for Ryzen и тайминги, подобранные вручную. Причём два последних варианта были использованы дважды: как в номинальном для памяти режиме DDR4-3600, так и при её разгоне до максимальной осмысленной частоты DDR4-3800.
Конкретные значения таймингов, которые получились в каждом таком случае, можно посмотреть при помощи ещё одной полезной утилиты — ZenTimings.
Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core
На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.
Делимся переводом, приятного прочтения.
Содержание
Подготовка
Ожидания и ограничения
В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).
Материнская плата
Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).
Микросхемы (чипы памяти)
Отчёты Thaiphoon Burner
По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.
Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.
Масштабирование напряжения CL11
На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:
| Чип | tCL | tRCD | tRP | tRFC |
| 8 Гб AFR | Да | Нет | Нет | ? |
| 8 Гб CJR | Да | Нет | Нет | Да |
| 8 Гб Rev. E | Да | Нет | Да | ? |
| 8 Гб B-die | Да | Да | Да | Да |
Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.
Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).
Ожидаемая максимальная частота
Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:
| Чип | Ожидаемая максимальная частота (МГц) |
| 8 Гб AFR | 3600 |
| 8 Гб CJR | 4000* |
| 8 Гб Rev. E | 4000+ |
| 8 Гб B-die | 4000+ |
* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.
Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).
B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.
Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.
Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.
А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.
Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.
Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В
Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.
Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.
Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.
Встроенный контроллер памяти (IMC)
IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?
Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:
предоставлено: Silent_Scone.
Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.
Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:
| Частота (МГц) | VCCSA/VCCIO (В) |
| 3000-3600 | 1,10 – 1,15 |
| 3600-4000 | 1,15 – 1,20 |
| 4000+ | 1,20 – 1,25 |
Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.
tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.
В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.
Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.
На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.
«На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.
У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.
«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»
| Ryzen | Латентность (нс) |
| 1000 | 65-75 |
| 2000 | 60-70 |
| 3000 | 65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK) |
Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.
Разгон
Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.
Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:
Нахождение максимальной частот
На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.
Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.
2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.
3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)
4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.
В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.
5. Запустите тест памяти на свой выбор.
6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.
7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.
8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.
Пробуем повысить частоты
2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.
Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы
Оптимизация таймингов
Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.
На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)
2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.
| Тайминги | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
| tRRDS tRRDL tFAW | 6 6 24 | 4 6 16 | 4 4 16 |
| tWR | 16 | 12 | 10 |
3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).
4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:
| Чип | tRFC (нс) |
| 8 Гб AFR | 260-280 |
| 8 Гб CJR | 260-280 |
| 8 Гб Rev. E | 300-350 |
| 8 Гб B-die | 160-180 |
5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:
| Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
| tWTRS tWTRL | 4 12 | 4 8 | — |
| tRTP | 12 | 10 | 8 |
| tCWL | tCL | tCL-1 | tCL-2 |
На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.
6. Третьестепенные тайминги:
Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)
| Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
| tRDRDSCL tWRWRSCL | 4 4 | 3 3 | 2 2 |
Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.
А тут тайминги на B-die, к сведению.
tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.
Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.
7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.
Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX
Дополнительные советы
Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.
Также будет интересно:
