Что такое DIMM память?
в Компьютеры 07.09.2018 0 1,440 Просмотров
DIMM – представляет собой двойной модуль линейной памяти, и это тип памяти компьютера, используемый в компьютерах. Модуль DIMM состоит из небольшой печатной платы, которая содержит либо четыре, либо девять (с чётностью) синхронной динамической памяти произвольного доступа (SDRAM) или чипы SDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR) на каждой стороне. Соединительная кромка контактов подключается к гнезду материнской платы и передаёт данные на процессор 64 бит за один раз. Модули DIMM могут поставляться в 64-битных модулях с исправлением ошибок (ECC) или в 72-битных модулях с чётностью.
Существует несколько типов модулей DIMM; но тремя основными типами являются SDRAM, DDR SDRAM и DDR2 SDRAM. Модули DIMM имеют размер от 64 мегабайт (МБ) для более старой SDRAM до 128 гигабайт (ГБ) или более на модуль DDR2 RAM.
Из различных типов модулей DIMM 168-pin SDRAM известен как оригинальный DIMM и имеет данные и тактовые частоты до 133 мегагерц (МГц). Эти модули имеют одну выемку с каждой стороны и две выемки на соединительной кромке. 184-контактная DDR и 240-контактная память DDR2 имеют сходную архитектуру с двумя вырезами с каждой стороны и одной выемкой вдоль соединительной кромки. Память DDR имеет тактовую частоту до 200 МГц и удвоенную скорость передачи данных SDRAM. Память DDR2 имеет тактовую частоту до 200 МГц и скорость передачи данных в четыре раза в SDRAM. Другие типы включают память DDR3, которая имеет более высокую скорость и больше разнообразия, а также SO-DIMM для ноутбуков.
К 2000 году модули DIMM заменили SIMM или единичные модули линейной памяти в качестве стандарта компьютерной памяти в компьютерных системах. В отличие от SIMM, которая содержала 16-битные или 32-битные пути данных и требовала для её работы добавления в паре с другой планкой памяти, чтобы полностью использовать 64-битный путь передачи данных на ПК, скорость передачи данных одного отдельного модуля DIMM отлично соответствовала ширине шины данных процессора Pentium, тем самым устраняя необходимость работы в паре с другим модулем.
Другое различие между двумя типами памяти компьютера заключается в том, как работают соединительные края. Соединительные края обеих сторон DIMM указывают на разные схемы, которые по-разному реагируют на электрические сигналы. Это добавляет больше мощности для вычислительной системы, поскольку возможны несколько линий связи с процессором. SIMM, с другой стороны, имеет те же разъемы на каждой стороне модуля и может управлять одной линией связи с процессором.
Хотя установка DIMM – довольно простой процесс, типы памяти DIMM не взаимозаменяемы друг с другом. Всегда читайте руководство к материнской плате или ПК, чтобы проверить тип модуля памяти перед заменой модулей DIMM или для обновления памяти. Сначала выключите компьютер и отключите его от сети. Снимите корпус и найдите слоты памяти на материнской плате. Слоты DIMM обычно чёрные и расположены близко к процессору. Снимите дополнительное статическое электричество, коснувшись металлического предмета.
Затем установите зажимы эжектора в положение «вниз». Удерживая модуль памяти за края, чтобы избежать прямого контакта с контактами, выровняйте вырезы на соединительной кромке с ключами в гнезде, чтобы они совпадали. Надавите слегка на модуль, пока он не щёлкнет, и оба эжектора не защелкнутся на модуле. Установите крышку компьютера, снова подключите кабели и включите компьютер. В большинстве случаев система должна распознавать сразу новую планку памяти.
Отличия типов оперативной памяти DIMM от SO-DIMM
Приветствую, дорогие читатели! Сегодня никого не удивишь компактным ноутбуком, по мощности превосходящим десктопные компьютеры. Увы, за компактность и мобильность часто приходится переплачивать – сделать деталь с такими же характеристиками, но меньшими габаритами, сложнее технологически.
Сегодня вы узнаете, чем отличается оперативная память DIMM от SODIMM и являются ли они взаимозаменяемыми.
Физические отличия
Обе модификации являются форм-факторами модулей памяти DRAM (подробности можно почитать в статье о типах и стандартах оперативной памяти), сменившим в свое время устаревший SIMM. Контакты на планках памяти расположены с обеих сторон симметрично и работают асинхронно.
При этом есть разница в их количестве: например, 240 у DDR3 DIMM против 204 у DDR3 SODIMM. Отличаются планки оперативки и габаритами. Их ширина стандартизирована и не меняется со сменой поколений: 133,35 мм у «старшей» и 67,5 у «младшей» модификации.
Назвал так я их не чисто фигурально: по распространению DIMM существенно превосходят SODIMM. Таки да: настольных компьютеров, серверов, платежных терминалов и банкоматов, использующих DIMM гораздо больше, чем ноутбуков и планшетов, работающих на SODIMM.
Почему я упомянул платежные терминалы и банкоматы? Внутри это такой же компьютер с некоторыми дополнительными периферическими устройствами – купюроприемником или кардридером. Естественно, из желания сэкономить владельцы не будут комплектовать их более дорогостоящими SODIMM.
Функциональная разница
При походе в магазин за комплектующими и выборе подходящего типа ОЗУ большинство юзеров слышит от консультантов один и тот же вопрос: «Вам для ноутбука или настольного ПК?».
Уточнение необходимо, так как эти типы памяти не являются взаимозаменяемыми. Материнки, на которых есть слоты под обе модификации – большая редкость, поэтому и стоят они соответственно. Да и обычному пользователю покупать такую «мать» совершенно незачем.
Как правило, SODIMM не оснащают кулером, ибо поместить такую «бандуру» внутри ноутбука чрезвычайно сложно – там каждый миллиметр на вес золота.
Мощные же модули DIMM, особенно топовые, часто оборудованы кулером. Причем не тупо присобаченным куском железяки, а стильным девайсом, над которым потрудились талантливые дизайнеры. Какая разница, что его не видно внутри компа?
У обеих модификаций не являются также взаимозаменяемыми планки разных поколений: прорези ключа расположены в разных местах.
Что касается рабочих характеристик, то могут отличаться у разных моделей планок одного типа, но минимальные и максимальные параметры у DIMM и SODIMM регламентированы и находятся в одном диапазоне. Как сказано выше, при прочих равных параметрах SODIMM обычно стоит дороже. Подробнее об оперативной памяти и ее основных характеристиках вы можете узнать из этой статьи.
И, предугадывая запросы пользователей, отвечу, что лучше – DIMM или SODIMM. Вопрос, по сути не вполне корректный: это тоже самое, что сравнивать автокран и бульдозер. Оба относятся к строительной технике и каждый по-своему хорош, но задачи выполняют они немного разные.
Скажу так: преимущество SODIMM – компактные размеры. Преимущество DIMM – более приемлемая стоимость и простота установки. Кто сомневается в последнем утверждении, попробуйте разобрать любой ноутбук и вынуть планку оперативки.
Спасибо за внимание и до встреч на страницах этого блога! Не забываем подписываться на рассылку и делиться публикациями в социальных сетях.
Что такое регистровая RDIMM-память и зачем нужен ECC
Содержание
Содержание
Что такое RDIMM, для чего нужен регистр
Оперативная память в сокращении может называться ОЗУ. Ее также называют оперативным запоминающим устройством, памятью с произвольным доступом, RAM. ОЗУ также можно ласково назвать «оперативкой». RAM логически состоит из ячеек памяти. Каждая ячейка хранит количество бит, равное степени двойки. 2^3=8 бит, 2^4=16 бит, 2^5=32 бит, 2^6=64 бит. У каждой ячейки памяти есть свой адрес. Адрес ячейки «оперативки» выглядит следующим образом: FFFFFFFFF.
Регистровой памятью (Registered DIMM, RDIMM) называют модули ОЗУ, которые имеют на «борту» отдельный регистр для адресов «оперативки» и команд.
Контроллер ОЗУ в процессоре обращается к регистрам, регистры же направляют информацию в микросхемы памяти. Такая организация «оперативки» позволяет увеличить количество модулей на канал RAM за счет снижения электрической нагрузки на контроллер памяти. Контроллер находится либо в северном мосту материнской платы, либо в процессоре. Также вдвое уменьшается емкость модулей памяти, если модуль содержит два регистра.
Регистровая память отличается от обычной, небуферизованной «оперативки», более высокими задержками при чтени и записи информации в модулях ОЗУ. Это происходит из-за того, что модули содержат дополнительный промежуточный узел — буфер. Чтение/запись производит контроллер памяти в процессоре или северном мосту материнской платы. Работа с этим узлом, естественно, требует дополнительного времени работы. Но при этом отметим то, что уменьшается нагрузка на процессор, так как буфер отвечает за непосредственную работу с банками памяти.
Каждый модуль ОЗУ содержит микросхему SPD (Serial Presence Detect). Данная микросхема содержит прошивку модуля памяти. Эта прошивка определяет работу более простых микросхем.
Регистровая и буферизованная память — одно и то же
Регистровая память — это буферизованная память. Как было обозначено выше — регистр — это буфер для адресов и команд при работе с памятью. Процессор или северный мост материнской платы отправляют данные, адреса ячеек памяти и команды. Регистры выполняют команды по указанным адресам.
Такая память стоит дороже обычной, небуферизованной памяти. Используется она исключительно в серверах, потому что позволяет получить больший объем памяти на один процессор в сервере.
Что такое FB-DIMM
FB-DIMM, Full Buffered Dual Inline Memory Module — полностью буферизованная DIMM — это планки ОЗУ DDR2. Плашки ОЗУ при этом используют последовательный интерфейс передачи данных между модулями памяти и контроллером «оперативки». В отличие от стандартных модулей RAM, они используют не 240-pin, а 96-pin из 240 возможных пинов. Такая организация работы позволяет организовывать с помощью контроллеров памяти большее количество каналов на материнской плате. Вплоть до 6 каналов. Данные модули памяти несовместимы с обычными планками «оперативки».
Последовательный интерфейс — это интерфейс передачи данных, при работе которого данные передаются по одному проводу или дорожке на печатной плате друг за другом. Таких проводов (дорожек) может быть несколько, но принцип передачи данных при этом не меняется.
Advanced Memory Buffer, AMB — микросхема, которая организует работу модулей памяти FB-DIMM. Эта микросхема располагается прямо на планке «оперативки».
В один канал памяти при такой организации работы модулей ОЗУ возможна установка до 8 планок «оперативки». Это позволяет, в случае с RAM DDR2, добиться емкости ОЗУ до 192 Гигабайт на один сервер.
В связи с тем, что микросхема AMB добавляет свои задержки в работу модуля памяти, данные плашки работают несколько медленнее модулей RDIMM, регистровой ОЗУ. Но, так как общее количество памяти в данном случае возрастает, то общая производительность системы также возрастает.
Краткая история оперативной памяти
Ниже приводится краткая история развития типов ОЗУ. Начинаем мы ее со времени выпуска памяти SDRAM. Это произошло в 1996 году. Пропускная способность данной RAM составила 1.1 GBps.
Следующей памятью в таблице указана память RDRAM. Она была выпущена в 1998 году. Это была абсолютно новая архитектура ОЗУ. Совершенно новый стандарт от фирмы Rambus. Было выпущено несколько поколений памяти. Она отличалась более высокими частотами, стабильными таймингами, вот только при этом задержки функционирования памяти были немного выше. К сожалению, данная память не выдержала конкуренции на рынке и вынуждена была сойти со сцены рынка памяти.
Следующими в таблице указаны линейки RAM DDR. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Этот стандарт ОЗУ был выпущен на рынок в 2000 году. Данная память используется и на текущий момент. При этом развивается стандарт для достижения более высоких скоростей функционирования.
Последним типом RAM DDR, выпущенным на рынок, на данный момент является память DDR4.
DIMM и SO-DIMM: разница в производительности?
Это физическое различие, и особенно узость соединительных контактов и их меньшее количество, может привести нас к мысли, что память SO-DIMM всегда будет иметь более низкую производительность, чем память DIMM, но так ли это?
RAM DIMM и SO-DIMM, есть ли разница в производительности?
Проблема и разница в производительности между этими двумя форматами заключается просто в ограничениях модулей SO-DIMM. Как мы уже отмечали ранее, они меньше, с меньшим количеством соединительных штифтов, а также уже и ближе друг к другу. Это делает электрические ограничения более явными, и доказательством этого является то, что в настоящее время самые быстрые и наиболее эффективные модули SO-DIMM, которые мы можем найти, работают на частоте 4,000 МГц, тогда как в формате DIMM мы можем найти их на частоте 4,600 МГц и даже больше.
Аналогично, разница, связанная с производительностью, которую мы можем найти, заключается в стабильности. С DIMM производители имеют больше возможностей для установки более качественных радиаторов или печатных плат с большим количеством слоев, в то время как с размером формата SO-DIMM они намного более ограничены в этом отношении и поэтому не могут предложить такую же стабильность, особенно когда мы говорим о разгоне.
В эпоху, в которой мы живем, когда высокопроизводительные ноутбуки и мини-ПК (включая игровые) находятся в полном разгаре, вам ни в коем случае не следует снижать производительность вашей оперативной памяти, поскольку она будет такой же быстрой и эффективной, как и ОЗУ настольного ПК.
Итак, вы уже знаете: при прочих равных нет (теоретической) разницы в производительности между модулями памяти DIMM и SO-DIMM, но проблема в том, что производителям довольно сложно подобрать скорости и задержки, которые они могут предложение в формате DIMM из-за ограничений, которые они имеют в отношении размера модулей SO-DIMM. В любом случае, самые большие различия заключаются в максимальной заводской скорости и стабильности, что напрямую связано с возможностью разгона.
Registered DIMM: основные моменты
Как известно, одним из самых главных требований к модулю памяти (впрочем, как и к любому другому устройству) является максимальная отказоустойчивость стабильное функционирование без сбоев и ошибок в течение как можно большего непрерывного промежутка времени. Модули памяти класса PC Registered DIMM разработаны специально для обеспечения максимальной отказоустойчивости подсистемы памяти. Кроме этого они предоставляют два отдельных режима функционирования, оптимизации доступа к микросхемам памяти и выполнения операций, речь о которых пойдет далее.
Вся последующая информация, касающаяся топологии печатной платы (PCB Printed Circuit Board), а также рекомендаций и требований по разводке PCB, является базовой и может быть применена при рассмотрении не только конкретных типов модулей памяти, а и любых периферийных устройств, работающих на больших частотах общая разница минимальна. Отличия во временных параметрах, отдельных монтируемых компонентах (типа специфических микросхем), используемых конкретных топологических схемах и геометрии сигнальных линий исключительно численные и зависят от типа устройства и схемы согласования, применяемых в данных модулях памяти.
В настоящей статье довольно подробно описаны как основные отличительные особенности модулей памяти типа Registered DIMM, так и требования к разводке сигнальных трасс на печатной плате, включая узкоспециализированную информацию о монтируемых компонентах, которая может быть полезна для более детального ознакомления со спецификацией. Кажущуюся на первый взгляд слишком специфической информацию просто необходимо дать, чтобы (по мере возможности) отпали многочисленные возникающие вопросы о нестабильности работы как модулей памяти в целом, так и вообще устройств. Важно, чтобы читатель понял сложность разработки и реализации конечных продуктов такого уровня, как описываемые далее модули Registered DIMM, что поможет сузить в некоторых случаях круг поиска либо необходимого оборудования, либо причины возможных проблем неисправности или нестабильного функционирования. Таким образом, данный материал, думается, будет интересен самым широким слоям пользователей: либо уже столкнувшимся с определенными проблемами, либо желающим разобраться (на абсолютно разном уровне) и узнать больше об описываемых ниже модулях памяти, либо для тех, кто еще не остановил свой выбор на необходимом продукте данного класса и занимается постоянным поиском.SDRAM Registered DIMM, как концепция Registered DIMM
Модули 168pin, 3.3V, 72bit ECC SDRAM Registered DIMM (в дальнейшем SDRAM Registered DIMM, поскольку схема ECC принята за своего рода стандарт де-факто в данных модулях) в отличие от обычных обычных SDRAM DIMM имеют усовершенствованный механизм функционирования, обеспечивающий их гарантированную работу на частоте 100 MГц. Сама спецификация РС100 разработана именно для производства памяти, работающей на частоте 100 MГц, и использует технологию, применяющуюся при производстве пакетно-конвейерной кэш-памяти, что дает возможность уменьшить время запроса/вывода данных на шине с 10 нс до 8 нс, т.е. даже меньше, чем длительность периода тактовой частоты 100 MГц шины (tCK=10 нс).
Геометрия печатной платы Registered DIMM полностью соответствует требованиям, предъявляемым в рамках стандарта ANSI Y14.5M-1994, который сертифицирован для стандартных модулей класса Unbuffered/Buffered SDRAM DIMM.
| Габаритные размеры PCB Registered DIMM | ||||
| Габарит | Минимальный | Типичный | Максимальный | |
| Длина печатной платы модуля, мм | 133.22 | 133.37 | 133.52 | |
| Высота печатной платы модуля, мм | 38.12 | 43.18 | ||
| Толщина печатной платы модуля, мм | 1.17 | 1.27 | 1.37 | |
| Толщина модуля, включая монтаж микросхем, мм | 8.13 | |||
| Высота сигнального вывода, мм | 1.95 | 2.40 | 2.65 | |
| Ширина сигнального вывода, мм | 0.95 | 1.00 | 1.05 | |
| Расстояние между соседними сигнальными выводами, мм | 0.22 | |||
| Ширина механического ключа, мм | 2.00 ±0.10 mm | |||
| Примечание: | согласно ANSI Y14.5M-1994, расхождение не должно превышать ±0.13 от указанного размера | |||
Схемотехнически модуль SDRAM Registered DIMM, кроме микросхем памяти и, обязательно, микросхемы последовательного детектирования (SPD Serial Presence Detect), содержит и другие компоненты. Во-первых, это 18 бит 1:1 микросхемы-регистры (Register) типа 16835 или 162835 (с внутренними демпфирующими резисторами, сглаживающими «выбросы», обуславливаемые влияниями паразитных емкостей и индуктивностей, Internal Damping Resistor), обеспечивающих страничную организацию памяти. Во-вторых микросхема PLL (Phase Locked Loop) типа 2509 (1:9) и 2510 (1:10) фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) с обратной связью (автоматическая регулировка) для задания и точного удержания необходимого значения частоты. Некоторые конфигурации позволяют не использовать микросхему ФАПЧ Non PLL Implementation. Микросхемы серии Register 16835/162836 и PLL 2509/2510 рекомендуются к применению, однако могут заменяться на эквивалентные.
Микросхемы-регистры играют роль транзитных буферов, перераспределяя адреса, и применяются для трансляции команд с их последующей передачей в микросхему памяти с задержкой в 1 такт. Тем не менее, данное +1T пенальти обычно включается в общий цикл ожидания контроллера памяти, обслуживающего Registered DIMM, поэтому в конечном итоге не выполняется никаких фаз дополнительно вводимой задержки. Микросхема PLL значительно уменьшает нагрузку на систему синхронизации, а устройства Register на командно-адресные сигнальные линии, что в результате позволяет использовать до 36 микросхем памяти на полную физическую строку (две физические строки или полный банк). Стандартно, микросхемы SDRAM имеют параллельную схему включения, что суммарно увеличивает потребляемый ток всеми устройствами, кроме чего не имеют возможности самоуправления (отключения) командно-адресного интерфейса. Буферные регистры наоборот обладают интерфейсом отключения входов, поэтому в состоянии деактивации ток утечки отсутствует.
Полная спецификация на модули SDRAM Registered DIMM указана в документах JESD21-C-4.5.7 и JESD JC-40, и все требования, описанные в рамках этих технических документов, должны строго выполняться сторонними разработчиками. Схемотехнические модификации не запрещаются, однако требуют жесткого согласования с требованиями, определяемыми рамками стандартов в части, касающейся сигнального интерфейса для выполнения обязательной тайминговой программы поддержки коммутаций 66/100 MГц (два специфических режима функционирования модулей Registered DIMM). После введения некоторых модификаций по оптимизации нагрузок на основные линии или маршрута прохождения сигнала (трассировка), разработанная схема должна подвергнуться тщательному анализу на специальных симуляторах и пройти лабораторные проверки по обеспечению выполнения основных требований касательно целостности сигнала и дальнейшего гарантированного четкого функционирования.
Конфигураций (модификаций) модулей памяти SDRAM Registered DIMM, описываемых в рамках упоминавшихся ранее стандартов, в виду специфичности применения существует довольно мало. Они характеризуются четкой схемой использования компонентов, что сказывается на общем объеме модуля памяти (несколько модификаций модулей объема 64, 128, 256, 512 и 1024 Mбайт) и нагрузке на основные сигнальные линии. Количество строк (# Rows of SDRAM) определяет нагрузку на линию RAS# и прямо указывает количество физических банков (1 или 2), занимаемых одним модулем в системе. Количество логических банков (# Banks in SDRAM) определяет архитектуру используемой микросхемы памяти и характеризует количество внутренних банков (в микросхемах SDRAM они «независимы» используют собственные для каждого банка усилители, формирователи сигналов и другую логику), определяющих количество массивов ячеек и объем памяти микросхемы.
Идентификация модуля системой происходит, как обычно, при помощи схемы последовательного детектирования (SPD), оговоренной в рамках JESD21C-4.1-R91. Ключевыми моментами в карте программирования EEPROM для корректного распознавания модуля SDRAM Registered DIMM и его функционирования являются байты: 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 11, 13, 14, 21, 126 и 127 (см. пример карты программирования).
Рассмотрим подробнее особенности функционирования в системе модуля. Схема синхронизации SDRAM Registered DIMM выглядит следующим образом. От внешнего системного тактового генератора (CK97/CK98 или его эквивалента) синхросигналы поступают непосредственно на микросхему ФАПЧ, имеющую петлю обратной связи (с емкостью в цепи ОС для уменьшения фазовых ошибок) для подавления возможной девиации входящего тактового сигнала. Микросхема PLL коммутирует тактовые сигналы отдельно для микросхем SDRAM и Register с умышленным перекосом в 250 пс для обеспечения поступления большего количества адресов и увеличения длительности подготовки контрольных сигналов через микросхему Register на микросхемы SDRAM. Дополнительный перекос синхросигналов на микросхемы SDRAM и Register (±50 пс) обусловлен разностью длин сигнальных трасс к данным микросхемам на PCB. Фазовое отношение между системным синхросигналом и входным тактовым сигналом ФАПЧ является системозависимым. Кроме этого, вводится умышленный перекос 2.14 нс (±0.41нс) на тактовом входе (PCLKIN) контроллеров памяти базовых логик (например, FW82443BX или FW82443GX) от системного тактового синтезатора для совместимости с сигнальным протоколом PC100 SDRAM Unbuffered DIMM, согласно JESD21C-4.5.4-R9, чтобы была возможность использования в системе «разноплановых» модулей памяти.
Поэтому, протокол синхросигналов SDRAM Registered DIMM одной тактовой частоты и линией опорного напряжения (VREF = 1.4V) выглядит следующим образом. После коммутации, синхросигнал появляется на микросхемах Register, затем, после задержки в 250 пс, синхросигналы от системного тактового генератора появляются одновременно (с сигналом с PLL) на DIMM и входах микросхем SDRAM, а еще через 2140 пс синхросигнал появляется на входе контроллера памяти базовой логики. Здесь нужно учесть, что для тактовых сигналов системы (вход PCLKIN), микросхем SDRAM, Register и PLL опорным является передний фронт импульса синхросигнала на входе микросхемы ФАПЧ. Все умышленные задержки и выравнивание фазы контролируются емкостями и/или длинами сигнальных трасс.
Сигнал REGE подается на микросхему Register совместно с напряжением VDD через резистивную развязку и инвертирующий элемент. Именно этот сигнал и определяет один из двух режимов функционирования модуля: режим Buffered работает только при 15 нс тактовом импульсе (66.67 MГц), а режим Registered только при частоте шины 100 MГц (10 нс период).
Умышленно вводимый запас времени (Margin) для режима Buffered получается из тайминговых параметров режима Registered. Для полностью завершенных систем с высоким уровнем анализа таймингов, разработчик должен складывать/вычитать с/из этим запасом времени другие параметры. К последним относятся: время распространения сигнала от контроллера памяти до разъема DIMM (tSF System to DIMM Flight Time), перекос сигнала (Clock Skew), случайные выбросы (Clock Jitter), синхронизация внешнего регистра с задержкой на выходе (External Register Clock to Output Delay) и т.д. Тайминги в режиме Registered крайне критичны, а в режиме Buffered представляются на основе анализа таймингов режима Registered.
Схемотехника модулей SDRAM Registered DIMM основывается на обычной схеме построения ECC-модулей (72bit), одно- и двухстрочной организации, и предусматривает использование х4 (иногда х8, но ограничения по нагрузке на линиях DQ[63:0], DQMB[7:0], WE# и S[3:0]# должны быть рассчитаны дополнительно) микросхем SDRAM, полностью отвечающих стандарту РС100, прошедших тестирование в специальных условия.
Компоненты (микросхемы памяти, PLL и микросхемы-регистры) монтируются с одной (Single Side) и с двух сторон (Double Side) печатной платы, позиционируясь друг относительно друга, исходя из требований, предъявляемых к распределению монтажных мест и разводке трасс. Емкостные и резистивные развязки для микросхем SDRAM должны монтироваться в непосредственной близости от энергетических выводов один из способов уменьшения влияния дифференциальной формы ЭМИ (электромагнитной интерференции), возникающей вокруг сигнальных трасс в виде токовых петель. Двухрядная, двухсторонняя организация модулей, называемая Stacked, схемотехнически реализуется или планарно в два ряда, или использует накладной монтаж микросхем памяти друг на друга (IC-Tower), имеющих специальную цоколевку для конфигураций высокой плотностью расположения (Stacked SDRAM). Схема Stacked DIMM предполагает размещение на одном модуле 36 микросхем памяти, что при общей 64bit (+8 bit ECC) шине данных возможно только при использовании микросхем памяти организации х4, занимает две физические строки (полный банк) и определяет максимальную нагрузку на линии DQ[63:0], DQMB[7:0], WE# и S[3:0]#. В этом случае сигналы выбора кристалла CS#[1:0] и разрешения синхронизации CKE[1:0] имеют коммутируемые назначения: первая копия этих сигналов (CS0# и CKE0) управляет нижним рядом, а вторая (CS1# и CKE1) верхним.
Сигнальный интерфейс модулей SDRAM Registered DIMM предусматривает семь сигнальных категорий, разбитых по принципам особенностей топологической реализации.
| Сигнальные категории модуля SDRAM Registered DIMM | |||
| Сигнальная группа | Сигнал | Сигнальная группа | Сигнал |
| Синхронизация | CK[3:0] | Выбор кристалла | S[3:0]# |
| Данные | DQ[63:0], CB[7:0] | Разрешение синхронизации | CKE[1:0] |
| Маскирование данных, 1 | DQMB [0,2,3,4,6,7] | Адресация и контроль | A[13:0], BA[0,1], RAS#, CAS#, WE# |
| Маскирование данных, 2 | DQMB [1,5] | ||
Исходя из правил схемотехнической реализации модулей, основанной на особенностях интерфейса микросхем Register и PLL, а также учитывая их электрические параметры и внешние ограничения по нагрузке, разработаны схемотехнические рекомендации (базовый дизайн) SDRAM Registered DIMM для разных конфигураций.
Так, для 64 Мбайт Unstacked-модулей SDRAM Registered DIMM и для модулей, использующих 18 микросхем SDRAM (128, 256 и 512 Мбайт), используется две микросхемы Register. Для Stacked-модулей SDRAM Registered DIMM, использующих 36 микросхем SDRAM (256, 512 и 1024 Мбайт) три микросхемы Register.
Общее правило распределения нагрузки на выходах микросхемы PLL такое: четыре микросхемы SDRAM на один выход OUTх микросхемы ФАПЧ (сигнал PCLK). Последний выход OUTn остается зарезервированным для создания петли обратной связи, назначение которой описывалось ранее, со входом FDBK (FeeDBacK) микросхемы фазовой автоподстройки частоты.
| Использование микросхем Register в модулях SDRAM Registered DIMM | ||||
| Модуль DIMM | Номер Register | Количество Register | Емкость, Мбайт | |
| Stacked DIMM | с микросхемой PLL | 162835 | 3 | 256/512/1024 |
| Unstacked DIMM | с микросхемой PLL | 16835 | 2 | 128/256/512 |
| 64 Mбайт DIMM | с микросхемой PLL | 162835 | 2 | 64 |
| 64 Mбайт DIMM | без микросхемы PLL | 162835 | 2 | 64 |
Топологическая схема PCB модулей SDRAM Registered DIMM предусматривает соответствие материала печатной платы требованиям материалов электронной техники UL-94V-0 (текстолит), задержку распространения по внутренним слоям (Soi) 2.0-2.2 нс/фут, задержку распространения по внешним слоям (Sou) 1.6-2.2 нс/фут, полное сопротивление трассы (Zo) 58.5–71.5 Ом, шестислойную схему 4mil типа S-G-S-S-P-S при топологическом интервале 2.9-4-2.8-4-2.9 mils или шестислойную схему 6mil типа S-G-S-S-P-S при топологическом интервале 1.8-2.6-8.2-2.6-1.8 mils, где mil=0.0025 см. Плата должна иметь в основе полностью заполненные по площади сечения модуля энергетический (P) и экранирующий (G) слои, и выполняться согласно одной из двух уже просчитанных топологий (базовый дизайн), используя 4/6 mil ширину сигнальной трассы (слой S).
Дальнейшее развитие специфики Registered DIMM и увеличение частоты функционирования памяти дало толчок к появлению модулей PC133 SDRAM Registered DIMM, работающих соответственно на частоте 133 MГц. Однако в рамках основных документов спецификации JEDEC на модули этого класса соответствующих изменений произведено не было, что говорит о «узком круге» стандартизации в рамках отдельной спецификации, разработанной небольшой группой производителей и согласовано с разработчиками базовых логик (чипсетов). Поскольку общая схема согласования и топологических требований для каждой сигнальной группы известна, была сделана поправка на системные тайминги, регламентированные рамками требований открытой спецификации PC133: кроме использования микросхем памяти, гарантированно функционирующих на частоте 133 MГц, были сделаны поправки в модели согласования (сигнальная группа синхронизации CK[3:0] и CKE[1:0]), модификация и перерасчет топологии (остальные сигнальные группы) в следствие чего расширен базовый дизайн модуля и убран режим функционирования Buffered (на модулях PC133 SDRAM Registered DIMM линия REGE подтягивается до высокого уровня внешним резистором). Основной упор был, понятно, сделан на перерасчет таймингов PLL. Таким образом, новые модули PC133 SDRAM Registered DIMM предполагают модифицированный механизм функционирования исключительно в режиме Registered на частоте 133 MГц.
«Родственный» стандарт 184pin, 2.5V (SSTL_2), 64/72bit PC DDR SDRAM Registered DIMM, в отличие от ранее рассмотренного SDRAM Registered DIMM, разработан для применения в системах, поддерживающих технологию памяти DDR SDRAM, (PC200/PC266 с синхронизацией 100/133 MHz соответственно), оговоренную в рамках документа JEDEC JC-42.3-98-227A.
Основное отличие данного стандарта от рассматриваемого ранее на схемотехническом уровне заключается в том, что он поддерживает конфигурации как расширенной шины с поддержкой кода коррекции ошибок (72bit, 64bit+8bit ECC), так и стандартной (64bit). Модуль DDR SDRAM Registered DIMM основывается на SSTL_2-совместимом питающем протоколе (2.5V I/O, VDD=VDDQ=2.5V ±0.2V). Он содержит 13/14 bit микросхемы-регистры SSTL Register типа 1:2/1:1 соответственно, обеспечивающие страничную организацию памяти, и микросхему PLL (1:10), также функционирующую на SSTL-уровнях. Схемы распределения нагрузки на микросхемы Register и PLL несколько отличаются от описываемых ранее, использующихся в SDRAM Registered DIMM. Кроме данных компонент, некоторые конфигурации модулей включают еще и дополнительно коммутаторы на полевых транзисторах (FET-switches) основанных на схеме с открытым ненагруженным стоком (Open-Drain), применяющиеся для улучшения помехозащищенности проходящего сигнала и активизации соответствующих микросхем памяти.
По оснащенности вышеперечисленными компонентами, а также по базовому дизайну (об этом подробнее далее) модули DDR SDRAM Registered DIMM делятся на группы, спецификации на которые в последствии могут расширяться. DDR Registered DIMM модули с высокой плотностью размещения компонентов имеют монтаж микросхем памяти, отличающийся от применяемого в SDRAM Registered DIMM двухрядное расположение микросхем с обоих сторон печатной платы не используется, а применяется исключительно накладной монтаж IC-Tower.
В модулях DDR SDRAM Registered DIMM используют дифференциальный протокол синхронизации дифференциальные входные синхропары CK[1:0]/CK[1:0]# (позитивный сигнал/негативный «двойник») точка пересечения (средняя точка, уровень опорного напряжения) которых (по фронту CK[1:0]) являются опорной относительно поступления адресных и контрольных сигналов. Топология сигнальных трасс, временные протоколы и требования стандарта DDR SDRAM Registered DIMM отличаются лишь численно от общих требований Registered DIMM с упором на технологию DDR (обмен данными происходит по фронту и срезу (Both Edges) основных синхросигналов, CK[1:0]#). Как и в предыдущем случае, все требования, выдвигаемые для функционирования в режиме Registered с использованием микросхем Registered и PLL, четко оговорены в рамках документа JESD JC-40. Конфигурации модулей DDR SDRAM Registered DIMM объемом 64, 128, 256, 512, 1024 и 2048 Mбайт поддерживают микросхемы памяти емкостью 64, 128, 256 и 512 Mбит организации х4/х8 (Planar Components), применяющиеся для производства планарных модулей (Planar или Unstacked DIMM), и х4 высокой плотности упаковки (High Stack Package), использующихся при реализации модулей с высокой плотностью размещения компонентов (Stacked DIMM).
Цоколевка модуля DDR SDRAM Registered DIMM полностью соответствуют стандарту DDR SDRAM DIMM с/без ECC. Ранее отсутствовавший в спецификации SDRAM Registered DIMM асинхронный LVCMOS низкоуровневый сигнал RESET# применяется для гарантированного перевода выходов микросхемы Register в активное низкое состояние по требованию. Сигналы маскирования DM[8:0], имеющие высокий активный уровень, совместно с действующими входными данными DQ[63:0] имеют умышленно введенную однотактную задержку формирования после поступления команды записи. Фронт и срез сигналов DQS[8:0] применяются для стробирования приема/передачи данных непосредственно по линиям DQ[63:0]: в режиме передачи для считываемых данных, в режиме приема для записываемых, причем фронт и срез является командным для чтения данных, а середина строба для записи. Вывод FETEN является опциональным и используется в конфигурациях, имеющих коммутаторы на полевых транзисторах (группы F, H и K). Линии VDDSPD, VDDID и VDDQ выполняют соответственно функции питания микросхемы SPD (данный вывод должен быть изолирован от линий питания VDD и VDDQ), идентификационного флага напряжения VDD и питания линий данных. Уникальный сигнал REGE, осуществляющий переключение между двумя специфическими режимами функционирования, отсутствует в настоящем стандарте DDR SDRAM Registered DIMM, что говорит о функционировании исключительно в режиме Registered.
Идентификация модуля системой происходит, как обычно, при помощи схемы последовательного детектирования (см. пример карты программирования), оговоренной в рамках JEDEC ballot JC-42.5-5-99-102, описывающего стандарт стандарт SPD для DDR SDRAM Registered DIMM. Однако данное требование целиком опирается на основной стандарт последовательного детектирования, описываемый в упоминающемся ранее документе JESD21C-4.1-R91.
Габаритные размеры PCB DDR SDRAM Registered DIMM полностью соответствуют типоразмерам Registered DIMM, приводимым ранее. Топологическая схема предусматривает соответствие материала печатной платы требованиям UL-94V-0, задержку распространения по внутренним слоям (Soi) 2.0-2.2 нс/фут, задержку распространения по внешним слоям (Sou) 1.6-2.2 нс/фут, полное сопротивление трассы (Zo) 54-66 Ом и восьмислойную схему 4/6 mil типа S-G-P-S-S-P-G-S.
Общие требования по трассировке и расчету параметров модулей Registered DIMM сводятся к рассмотрению нескольких моментов в расчете топологии модуля и размещении связующих компонентов. Для стандартов SDRAM Registered DIMM и DDR SDRAM Registered DIMM данные требования и различия носят численный характер, поэтому конечный производитель должен учитывать настоящие рекомендации. Рассмотрим требования для DDR SDRAM Registered DIMM.
Задержка подачи управляющих синхросигналов к микросхемам памяти на модуле оптимизирована для высокоскоростных операций на уровне топологии и трассировки печатной платы. Полная задержка поступления синхросигнала складывается из времени задержки распространения от интерфейса модуля до входных выводов микросхемы PLL, времени задержки распространения по сигнальной трассе от микросхемы ФАПЧ до микросхемы SDRAM и задержки «pin-pin» на пассивных компонентах типа серий резисторов. Эта суммарная задержка рассчитывается и моделируется непосредственно производителем модуля согласно общей спецификации и требованиям к тайминговой программе конкретной сигнальной группы. Иными словами, предлагается конкретная базовая модель с точно рассчитанными параметрами (Reference Net, например, в случае DDR SDRAM Registered DIMM семь модификаций A, B, C, E, F, H и K), имеющая конкретную топологию, изменяя которую добиваются оптимизации согласования по таймингам и маршрута сигналов, однако установленные временные и нагрузочные параметры остаются постоянными.
Изначально, номинальная задержка распространения сигнала от входа PLL до входа соответствующей микросхемы принята за 0 пс. Промежуток подачи синхросигнала на вход микросхемы ФАПЧ не должен регулироваться источниками вариаций временных параметров, включающих входную емкость PLL, допустимые отклонения номиналов использующихся резисторов и емкостных характеристик выводов, а также импедансных вариаций (изменение полного сопротивления), которые могут давать эффект. Однако, реализуя эти вариации, можно изменять и контролировать задержку в промежутке ±100 пс на рассматриваемом участке.
Наиболее важный фактор, влияющий на параметры опорного синхросигнала это обеспечение четко рассчитанного промежутка поступления синхросигнала на микросхему памяти. Базовый дизайн модуля памяти предполагает заранее рассчитанную сеть параметров со стандартными задержками. Конкретный производитель конечного модуля может изменять эти параметры в пределах ранее указываемого промежутка (±100 пс) при помощи петли обратной связи в цепи микросхемы PLL, учитывая возможные «всплески». Данное значение не включается в крайний результат «погрешности» временного перекоса на PLL, возникновения фазовой ошибки и отклонения от номинала конденсатора в цепи ОС.
Непосредственно синхросигнал, поступающий на микросхему Register, должен совпадать по фазе с синхросигналом микросхем памяти с возможностью отклонения в определенные ранее ±100 пс. Фактическая же задержка может варьироваться и зависит от входной емкости микросхем памяти, входной емкости микросхемы Register, перекоса на выходе PLL, обусловленного паразитными наводками на РСВ, и уже конкретно топологическими отклонениями, вызванными несовершенностью технологии изготовления и имеющих вторичный эффект. В случае прихода синхросигнала на вход микросхемы Register раньше, чем синхросигнала на вход микросхем памяти, синфазность можно исправить увеличением в цепи микросхемы-регистра номинала сопрягающего (выравнивающего) конденсатора (Clock Padding Capacitor), компенсирующего временной сдвиг между сигналами, затягивая фронт и срез тактового импульса.
Все вносимые изменения в базовую модель требуют тщательной перепроверки новой модели. Моделирование позволяет непосредственно каждому производителю модуля памяти добиваться комбинированием параметров номинального 0ps отношения между входящим синхросигналом микросхем Register и микросхем памяти (синфазность). Данное условие довольно критично и его анализ позволяет рассчитывать и точно удерживать требуемые характеристики, составляющие такой параметр, как целостность сигнала (Signal Integrity) на входах микросхем памяти и Register. Например, там где «регистровые» синхросигналы не «вмещаются» в идеальное тайминговое окно (четкое совпадение соответствующих значений на конкретном участке), не менее критичные пост-регистровые тайминги необходимо корректировать для обеспечения четкого выполнения операций и гарантированного функционирования модуля, а также устранения возникновения возможных «плывущих» таймингов (рассредоточение временных параметров).
Итак, после краткого технического экскурса становится очевидным область применения модулей Registered DIMM это, конечно же, системы с максимальной степенью отказоустойчивости (например, сервера), базирующиеся, на логических наборах, поддерживающих модули PC Registered DIMM. Например, SDRAM Registered DIMM поддерживается наборами i82440BX и i82440GX производства Intel и логиками ServerWorks ServerSet III xE производства ServerWorks, а модули DDR SDRAM Registered DIMM чипсетами AMD-760MP и AMD-760MPX. Для такого заключения есть абсолютно все основания: наличие на модуле отдельной реализации фазовой автоподстройки частоты с обратной связью (PLL) для стабилизации протокола группы синхросигналов и уменьшения нагрузки на сигнальные линии, 72bit организация модуля с кодом коррекции ошибок (ECC) для выделения и устранения возможных ошибок, наличие специализированной микросхемы страничной адресации (Registered), плюс, схемотехнически индивидуальный подход с некоторыми собственными правилами разводки и монтажа требования для «встречного» согласования по временным параметрам и минимизации влияния ЭМИ.
Необходимо заметить, что, поскольку модуль памяти Registered DIMM является довольно специфическим устройством с особенностями функционирования, далеко не каждый логический набор (чипсет) поддерживает эту разновидность модулей синхронного ДОЗУ. Производитель материнской платы, использующий такой чипсет, обязан предоставить список вендоров (конечных производителей), модули памяти которых успешно прошли тестирование на данной платформе. Поэтому для компоновки конечной системы следует подбирать модули памяти согласно предлагаемого списка производителя платформы сертифицированных модулей памяти. Справедливости ради надо также заметить, что некоторые производители материнских плат полностью исключают поддержку модулей, отличных от Registered DIMM (в такой системе обычные модули Unbuffered DIMM функционировать не будут), поэтому необходимо внимательно изучать спецификацию желаемой платформы.
