Configure dram timing by spd что это в биосе
Технологии шагнули очень далеко вперед
Как настроить тайминги памяти в биосе
Как настроить тайминги памяти в биосе
Настраиваем RAM в BIOS
Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.
Способ 1: Award BIOS
Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.
Способ 2: AMI BIOS
Если БИОС на вашем компьютере от American Megatrends, то кардинально значительных отличий от Award не будет. Но на всякий случай вкратце рассмотрим этот случай.
Способ 3: UEFI BIOS
На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.
Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения. Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется.
Читайте также: Увеличиваем оперативную память на компьютере
Мы рады, что смогли помочь Вам в решении проблемы.
Отблагодарите автора, поделитесь статьей в социальных сетях.
Опишите, что у вас не получилось. Наши специалисты постараются ответить максимально быстро.
Многие ошибочно считают, что установить оперативную память проще простого, настраивать ее якобы не нужно, а разгонять – вообще нет смысла. На самом же деле все намного сложнее и сейчас я в форме вопросов и ответов расскажу, как выжать максимум производительности из оперативной памяти.
Читайте также: Оперативная память – выбор, настройка, разгон. Версия 2018
Можно ли совмещаться память разных моделей, брендов и частот?
В теории для ПК можно использовать несколько модулей оперативной памяти не только от разных производителей, но и с разной частотой. В таком случае вся память будет работать на частоте самого медленного модуля. Но на практике же могут возникнуть конфликты несовместимости: ПК может вообще не запускаться, либо же могут случаться периодические сбои ОС. Поэтому оперативку лучше сразу покупать набором из двух или четырех модулей, особенно если планируете заняться разгоном. В модулях из одного комплекта применяются чипы из одной партии, обладающие идентичным разгонным потенциал.
Насколько полезен многоканальный режим работы памяти?
Все современные процессорные платформы Intel и AMD для настольных ПК поддерживают, как минимум, двухканальный режим работы памяти. В свою очередь процессоры Intel Core i7 Gulftown и Intel Xeon Nehalem и Westmere поддерживают трехканальный режим, а AMD Opteron серии 6000, Intel Core i7 LGA 2011 и Xeon E5 и E7 – вообще четырехканальный (восемь слотов памяти).
Процессору двухканальный режим памяти прибавляет от 5 до 10 процентов производительности, тогда как интегрированному графическому ускорителю – до 50 процентов. Именно поэтому при сборке супердешевого 350-долларового игрового ПК на процессоре AMD A8-7600 со встроенной графикой Radeon R7 мы строго-настрого рекомендуем использовать два модуля памяти.
Читайте также: Оверклокинг для новичка – три способа разогнать AMD Ryzen 3/5/7
При наличии только двух модулей памяти и материнской платы с четырьмя слотами DIMM важно не ошибиться с очередностью установки. Так, чтобы задействовать двухканальный режим, модули нужно останавливать в разъемы через один, то есть первый и третий, либо второй и четвертый. Более универсальным является, пожалуй, второй вариант, так как первый слот может перекрываться крупным процессорным кулером, как то be quiet! Pure Rock. Впрочем, для памяти HyperX Savage и Fury с низкопрофильными радиаторами это не является проблемой.
Проверить, действительно ли память заработала в двухканальном режиме, можно с помощью приложения AIDA64 (пункт меню «Тест кеша и памяти»). Эта же программа поможет измерить быстродействие памяти до и после разгона.
Как настроить частоту и тайминги памяти?
Сразу после установки оперативка зачастую работает на своей минимальной частоте, либо на частоте, которую официально поддерживает процессор. К примеру, 2400-МГц HyperX Savage на процессоре Intel Core i3-4130 по умолчанию заработала на частоте всего лишь 1600 МГц. Выставить максимальную частоту памяти можно в настройках BIOS материнской платы: либо вручную, либо с помощью технологии Intel XMP (поддерживается даже материнками AMD).
Если выбрать вручную 2400 МГц, то память будет работать при стандартных для этой частоты таймингах (задержках) 11-14-14-33. Но на практике HyperX Savage может стабильно работать на той же частоте при меньших таймингах. А ведь именно соотношение высокой частоты и низких таймингов гарантирует высокое быстродействие памяти.
Чтобы не пришлось подбирать значение каждого тайминга вручную, компания Intel разработала технологию под названием Extreme Memory Profile. Она позволяет буквально в два клика выбрать оптимальный профиль работы памяти, заранее приготовленный производителем. Так, наша версия HyperX Savage поддерживает два XMP-профиля: 2400 МГц 11-13-14-32 и 2133 МГц 11-13-13-30. Первый актуален, например, для материнской платы MSI Z97 Gaming 5 с поддержкой разгона памяти до 3300 МГц, а второй – для материнки MSI 970 Gaming, в которой частота оперативки ограничена 2133 МГц.
Как разогнать память?
Разгон чего-либо (процессора, видеокарты, памяти) это всегда лотерея: один экземпляр может разгоняться хорошо, второй точно такой же – плохо. Бояться что память во время разгона выйдет из строя не стоит: если вы установите слишком высокую частоту, она попросту не запустится.
Если у материнской платы нет функции автоматического отката настроек разгона после нескольких неудачных попыток запуска ПК, сбросить настройки можно вручную с помощью перемычки Clear CMOS (другое название JBAT).
В случаев оперативной памяти подбирать экспериментальным методом придется не только частоту и напряжение питания, но и тайминги. Причем не факт, что удастся подобрать соотношение лучше, чем то что предусмотрено максимальным XMP-профилем. В случае HyperX Savage именно это и случилось: разогнать память удалось до частоты 2600 МГц, но тайминги пришлось повысить до 12-14-15-33.
AIDA64 Cache & Memory Benchmark
| Бенчмарк | 2400 МГц (11-13-14-32) | Разгон 2600 МГц (12-14-15-33) | Прирост 2600/2400 МГц, проценты |
| Memory Read, МБ/с | 28479 | 24721 | -15 |
| Memory Write, МБ/с | 36960 | 32572 | -13 |
| Memory Copy, МБ/с | 31109 | 27343 | -14 |
| Memory Latency, нс (меньше лучше) | 55 | 55 | 0 |
Измерение быстродействие памяти вышеупомянутой программой AIDA64 Cache & Memory Benchmark до и после разгона показало падение скорости в среднем на 14 процентов. Так что разгон памяти на 200 МГц выше номинала оказался эффектным в теории, но бесполезным на практике. Но это в случае топовой 2400-МГц версии HyperX Savage, а у более низкочастотной версии, например 1600-МГц, потенциал для ручного разгона намного лучше.
Выводы
Как видите, правильно установить и настроить оперативную память не так уж и сложно, особенно если она поддерживает готовые XMP-профили. Если покупать память комплектом, то можно получить прирост быстродействия не только от двухканального режима, но и от удачного разгона. А чтобы не было несовместимости с крупными процессорными кулерами, лучше выбрать низкопрофильную оперативку, особенно если планируете использовать ближайший к процессору слот памяти.
Разновидности таймингов оперативной памяти
Если вам когда-либо приходилось интересоваться параметрами работы такой важной системы компьютера, как оперативная память, то вам наверняка, не раз встречался такой термин, как тайминги оперативной памяти. Что же он обозначает, и в чем заключается важность этого параметра? Попытаемся разобраться в данном вопросе.
Что представляют собой тайминги ОЗУ
Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются технология ее работы (например, DDR 1, 2 или 3), ее объем, а также тактовая частота. Но помимо этих параметров довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.
Разновидности таймингов
К числу основных относятся:
Аббревиатура CAS обозначает Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки), а RAS — Row Address Strobe (строб-сигнал адреса строки).
Часто, хотя и не всегда, производители микросхем ОЗУ используют четвертый и пятый тайминги. Ими являются Row Active Time (TRAS), обычно приблизительно равный сумме второго тайминга (TRCD) и квадрата тайминга CL, а также Command rate.
Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Например, обозначение 5-6-6-18 свидетельствует о том, что у микросхемы памяти значение CAS Latency равно 5 тактам, RAS to CAS Delay и RAS Precharge равны 6 тактам, значение Row Active Time – 18 тактам.
Тайминг CAS Latency является одним из самых важных таймингов модуля оперативной памяти. Он определяет время, которое требуется модулю памяти, чтобы выбрать необходимый столбец в строке памяти после поступления запроса от процессора на чтение ячейки.
RAS to CAS Delay (TRCD)
Этот тайминг определяет число тактов, которое проходит между снятием сигнала RAS, означающего выбор определенной строки памяти и подачей сигнала CAS, при помощи которого осуществляется выбор определенного столбца (ячейки) в строке памяти.
Этот параметр задает количество времени в тактах, которое проходит между сигналом на предварительную зарядку Precharge и открытием доступа к следующей строке данных.
Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Также в некоторых источниках он может называться SDRAM RAS Pulse Width, RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay.
Иногда для характеристики модуля памяти также используется тайминг Command Rate. Он определяет общую задержку при обмене командами между контроллером памяти и модулем ОЗУ. Обычно равен всего 1-2 тактам.
Также для определения параметров работы ОЗУ иногда используются вспомогательные тайминги оперативной памяти, такие, как RAS to RAS Delay, Write Recovery Time, Row Cycle Time, Write To Read Delay и некоторые другие.
Настройка таймингов средствами BIOS
В большинстве случаев BIOS устанавливает тайминги автоматически. Как правило, вся необходимая информация о таймингах содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти. Однако при необходимости значения таймингов можно устанавливать и вручную – BIOS большинства материнских плат предоставляет для этого широкие возможности. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. Кроме того, пользователь может оставить значения, используемые BIOS по умолчанию, выбрав вариант Auto.
Пример окна настройки таймингов BIOS
Почему возникает необходимость в самостоятельной установке таймингов? Это может потребоваться в разных случаях, например в ходе мероприятий по разгону оперативной памяти. Как правило, установка меньших значений таймингов позволяет увеличить быстродействие оперативной памяти. Однако в ряде случаев бывает полезной и установка больших значений таймингов по сравнению с номиналом – это позволяет улучшить стабильность работы памяти. Если вы затрудняетесь с установкой данных параметров и не знаете, какие величины таймингов лучше всего установить, то следует довериться значениям BIOS по умолчанию.
Заключение
Тайминги представляют собой числовые параметры, отражающие задержки выполнения операций в микросхеме памяти, обусловленные спецификой работы модулей ОЗУ. Они относятся к числу важных характеристик оперативной памяти, от которых во многом зависит производительность ОЗУ. При выборе модулей памяти следует руководствоваться следующим правилом – чем меньше будет значение таймингов для памяти, работающей по одной и той же технологии (DDR 1, 2 или 3), тем лучше будут скоростные параметры модуля. Номинальные значения таймингов для любых модулей ОЗУ определяются производителем модулей и хранятся в чипе SPD. Тем не менее, в ряде случаев пользователи могут менять значение стандартных таймингов при помощи средств BIOS.
Настройки BIOS
Очевидно, что от того, как именно настроит BIOS то или иное устройство, зависит быстродействие и стабильность всей системы в целом. Программа Setup, доступ к которой можно получить, нажав «DEL» (или «F2») при загрузке, как раз и позволяет изменять те значения, которые загружаются в регистры различных устройств, прежде всего чипсета материнской платы. Кстати, хранятся они в памяти, питаемой от батарейки, а память эту называют CMOS (Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor, потребляющая небольшую мощность в статическом режиме логика).
Часть первая. Настраиваем память
Прежде чем начинать описание опций BIOS, затрагивающих работу памяти (обычно они находятся в Advanced Chipset Setup), нужно хотя бы приблизительно разобраться, как именно происходит к ней доступ.
Кроме того, современные микросхемы памяти содержат в себе несколько независимых банков. Работа с банком начинается с его активации (открытия) и заканчивается закрытием, после чего данные в нем обновляются (перезаряжаются ячейки динамической памяти, содержимое которых имеет свойство быстро обнуляться).
Итак, работа с памятью происходит по следующему алгоритму:
• активируется банк подачей сигнала RAS;
• происходит задержка, пока данные поступают из выбранной строки банка в усилитель (задержка RAS-to-CAS);
• подается сигнал CAS на выборку первого слова из строки;
• данные поступают на шину, при этом происходит задержка (CAS Latency);
• следующее слово выдается уже без задержки, так как оно содержится в подготовленной строке;
• когда цикл выборки пакета из четырех слов завершен, и больше нет обращений к этой строке, происходит закрытие банка; данные возвращаются в ячейки (задержка RAS Precharge).
SDRAM Cycle Length (CAS Latency, CAS Delay)
Число тактов, требуемых для выдачи данных на шину после поступления сигнала CAS. Самый важный параметр, влияющий на производительность. Если память позволяет, нужно выставлять значение 2.
RAS-to-CAS Delay (Trcd)
Число тактов, необходимых для поступления строки данных в усилитель. Тоже оказывает влияние на производительность. Значение 2 предпочтительнее и подходит в большинстве случаев.
SDRAM RAS Precharge Time (TRP)
Время перезарядки ячеек памяти после закрытия банка. Обычно используется значение 2, хотя чипсеты VIA позволяют установить 3 (см. ниже).
SDRAM RAS Time (TRAS)
Время, в течение которого банк остается открытым и не требует обновления (перезарядки). Как правило, такой отдельной опции нет, она комбинируется с последующей.
SDRAM Cycle Time (TRC, TRAS/TRC)
Иногда встречается и такая опция. Она устанавливает время простаивания банка памяти, не занятого обменом данными. Изменять значение по умолчанию не имеет смысла.
RAS Precharge Control (Page Closing Policy)
Bank X/Y DRAM Timing
Memory Timing by SPD
Однако не во всех случаях SPD дает положительный эффект. Во-первых, недобросовестные производители памяти могут «зашить» в ППЗУ завышенные значения, и память будет сбоить. Во-вторых, при проблемах с чтением SPD все настройки памяти будут выставлены по минимуму. Поэтому включать данную опцию нужно с осторожностью, будучи уверенным, что микросхемы SPD всех модулей памяти исправны.
Следующие опции тоже относятся к работе контроллера памяти, но от качества модулей или микросхем не зависят.
Memory Hole at 15-16М
Эта опция изначально предназначена для устранения проблемы несовместимости со старыми ISA-устройствами. Некоторые из них требовали монопольного выделения диапазона адресов в пределах 16-го мегабайта. Сейчас такие устройства найти нелегко, поэтому Memory Hole можно было бы смело считать анахронизмом. Если бы не один непонятный побочный эффект: часто включение этой опции помогает решить проблему нестабильной работы чипсетов VIA со звуковыми картами Creative (SB Live!) и Aureal. Видимо, при этом происходит перераспределение выделяемых устройствам адресов. Правда, можно потерять доступ к памяти за пределами 16 Мб, особенно в Linux, если не принять специальных мер. Но если у вас никаких проблем не наблюдается, то и не включайте эту опцию.
Эта опция затрагивает только некоторые чипсеты VIA. У них имеется четырехступенчатый конвейерный буфер, предназначенный для обслуживания операций чтения данных из памяти. Конечно, лучше включить все ступени (4 level) и получить дополнительные 5-10% производительности.
Когда PCI-устройство, работая в режиме захвата шины (Bus Mastering), выполняет обращение к памяти, во внутренний буфер контроллера поступает один байт с заданным адресом. Но если включить эту опцию, в буфер будут считаны несколько последующих байтов, поэтому очередной запрос PCI-устройства будет выполнен без обращения к памяти. Для звуковых карт и FireWire-контроллеров она особенно важна.
Как известно, большинство (до 90%) запросов к памяти связаны с чтением данных, а не с записью. Тем не менее, запись в память необходима, однако шина не позволяет производить обе операции одновременно. Поэтому при необходимости записи хотя бы одного байта любой процесс чтения будет прерван. Чтобы этого не случалось, существует «Read Around Write»-буфер, в который поступают данные, требующие последующего помещения в память. Таким образом, операция записи производится только тогда, когда в буфере накоплено достаточно данных. Если же данные еще не успели записаться, то вообще можно обойтись без чтения из памяти, используя буфер как кэш. Очевидно, что эту опцию лучше включать. Правда, есть сведения, что при этом не будет работать видеокарта на чипе i740.
Fast R-W Turn Around
System ROM Cacheable
Video RAM Cacheable
Опция Auto Configuration отвечает за способ определение параметров работы оперативной памяти.
Auto (или Enabled) – автоматическое определение автоматическая или ручная установка частоты работы оперативной памяти (информация берется из микросхемы SPD модуля памяти);
Disabled (или Manual)– ручное определение параметров доступа к оперативной памяти.
Опция также может иметь другие названия:
Примечание 1. Оперативная память (Random Access Memory, RAM, системная память) – это энергозависимая компьютерная память, которая предназначена для временного хранения активных программ и данных, используемых процессором во время выполнения операций.
Примечание 2. Микросхема SPD – это специальная микросхема, в которой хранятся данные о параметрах модуля оперативной памяти (ёмкость, тип, временные характеристики, рабочее напряжение, число банков, серийный номер модуля, дату изготовления модуля). Во время включения компьютера BIOS настраивает параметры работы системной памяти, согласно информации, отображенной в микросхеме SPD.
Примечание 3. Модуль оперативной памяти (оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) – это печатная плата с контактами, на которой расположены чипы оперативной памяти, объединенные в единую логическую схему.
Программа Setup BIOS фирмы AWARD Software International Inc на системных платах GIGABYTE TECHNOLOGY
Название данной опции у данного производителя в данной версии BIOS:
Set Memory Clock значение по умолчанию [Auto]
| Обозначение опции BIOS | Описание опции в БИОСе | Переведенное значение опции БИОС |
|---|---|---|
| [Auto] |
