Ремонт налобного фонаря
Фонарь не включается
Поработав около года, мой налобный фонарь LED Headlight XM-L T6 стал включаться через раз, а то и вообще отключаться без команды. Вскоре перестал включаться совсем.
Первым делом я подумал, что отходит аккумулятор в батарейном отсеке.
Сам бокс рассчитан на литий-ионные аккумуляторы типоразмера 18650 с платой защиты. А я использовал аккумуляторы без защиты и заряжал их универсальной зарядкой Turnigy Accucell 6 (аналог IMAX B6).
Поэтому пришлось нарастить контакты каплей припоя. Как известно, припой сплав мягкий и со временем напайка на контакте могла поистереться, а соединение с аккумулятором нарушиться.
Но, после проверки выяснилось, что причина неисправности кроется вовсе не в плохом контакте, а электронной начинке фонаря.
Любой ремонт начинается с диагностики и разборки. Разбирается фонарь легко. Вынимаем литиевый аккумулятор из батарейного отсека. Далее выкручиваем четыре шурупа.
Под поддоном для аккумуляторов смонтирована небольшая печатная плата.
Данная микросхема поддерживает четыре режима управления светодиодом, в том числе строб, от которого все хотят избавиться. Режимы переключаются циклически по команде с тактовой кнопки без фиксации.
Если бы мой фонарь не сломался, то о четвёртом режиме SOS, который активируется долгим нажатием кнопки (около 3 секунд), я бы и не узнал. Когда покупал, на странице продажи упоминалось только три режима.
Когда же стал изучать даташит на FM2819, то оказалось, что эта микросхема поддерживает четыре режима.
О микросхеме FM2819 я расскажу чуть позднее, а пока разберёмся, за что отвечают остальные элементы схемы.
Жёлтый керамический конденсатор запаян вместо родного, который отвалился, когда я разбирал корпус батарейного отсека. Судя по фото аналогичных фонарей ёмкость конденсатора, который установлен между выводом KEY и минусом «-» питания, может быть в довольно больших пределах. В моём был установлен чип-конденсатор на 10pF (100), а в других фонарях могут быть запаяны и на 10nF (103), и на 100nF (104), а то и вовсе отсутствовать.
Функцию силового ключа, который подаёт напряжение питания от литиевого аккумулятора на мощный светодиод, выполняет P-канальный MOSFET транзистор FDS9435A в корпусе SO-8. На фото видно, что на его корпусе указана сокращённая маркировка 9435A.
О том, как соединять резисторы и рассчитывать их общее сопротивление я рассказывал тут.
Для подсветки тылового индикатора LED HEADLIGHT используется обычный SMD-светодиод красного цвета свечения. На плате обозначен, как LED. Он подсвечивает пластину из белого пластика.
Так как батарейный отсек находится с тыльной части головы, то в ночное время суток такой индикатор хорошо заметен.
Явно не помешает при велопрогулках и ходьбе вдоль дорожных трасс.
Через резистор в 100 Ом плюсовой вывод красного SMD-светодиода подключается к стоку MOSFET-транзистора FDS9435A. Таким образом, при включении фонаря напряжение поступает и на основной светодиод Cree XM-L T6 XLamp, и на маломощный SMD-светодиод красного цвета свечения.
С основными детальками разобрались. Теперь расскажу, что же сломалось.
При нажатии на кнопку включения фонаря было видно, что красный SMD светодиод начинает светить, но очень тускло. Работа светодиода соответствовала штатным режимам работы фонаря (максимальная яркость, низкая яркость и стробоскоп). Стало ясно, что управляющая микросхема U1 (FM2819) скорее всего исправна.
Раз она штатно реагирует на нажатие кнопки, то, возможно, проблема кроется в самой нагрузке – мощном белом светодиоде. Отпаяв провода, идущие на светодиод Cree XM-L T6, и подключив его к самодельному блоку питания, я убедился в его исправности.
Далее решил замерить напряжение на самой плате, чтобы узнать, где потерялись драгоценные вольты от аккумулятора.
При замерах оказалось, что в режиме максимальной яркости, на стоке транзистора FDS9435A всего 1,2V. Естественно, этого напряжения не хватало для питания мощного светодиода Cree XM-L T6, а вот красному SMD-светодиоду его было достаточно, чтобы его кристалл начал тускло светиться.
Стало ясно, что неисправен транзистор FDS9435A, который задействован в схеме как электронный ключ.
В замену транзистору ничего подбирать не стал, а купил оригинальный P-канальный PowerTrench MOSFET FDS9435A фирмы Fairchild. Вот его внешний вид.
Как видим, на этом транзисторе присутствует полная маркировка и отличительный знак фирмы Fairchild (F), выпустившей данный транзистор.
Сравнив оригинальный транзистор с тем, что установлен на плате, мне в голову закралась мысль о том, что в фонаре установлена подделка или менее мощный транзистор. Возможно, даже брак. Всё-таки фонарь не успел отслужить и года, а силовой элемент уже «отбросил копыта».
Цоколёвка транзистора FDS9435A выглядит следующим образом.
Как видим, внутри корпуса SO-8 находится всего лишь один транзистор. Выводы 5, 6, 7, 8 объединены и являются выводом стока (Drain). Выводы 1, 2, 3 также соединены вместе и являются истоком (Source). 4-ый вывод – это затвор (Gate). Именно на него приходит сигнал с управляющей микросхемы FM2819 (U1).
В качестве замены транзистору FDS9435A можно использовать APM9435, AO9435, SI9435. Всё это аналоги.
Выпаять транзистор можно как привычными методами, так и более экзотическими, например, сплавом Розе. Также можно применить метод грубой силы – подрезать ножом выводы, демонтировать корпус, а затем отпаять оставшиеся на плате выводы.
После замены транзистора FDS9435A налобный фонарь стал работать исправно.
На этом рассказ о ремонте закончен. Но, не будь я любопытным радиомехаником, то так и оставил бы всё, как есть. Работает и ладно. Но мне не давали покоя некоторые моменты.
Так как изначально я не знал, что микросхема с маркировкой 819L (24) это FM2819, то вооружившись осциллографом, я решил посмотреть, какой сигнал подаёт микросхема на затвор транзистора при разных режимах работы. Интересно же.
При этом транзистор полностью открывается и напряжение на светодиоде Cree XM-L T6 достигает 3,4. 3,5V.
В режиме минимального свечения (1/4 яркости) на транзистор FDS9435A с микросхемы U1 приходит около 0,97V. Это если проводить замеры рядовым мультиметром без наворотов.
На самом же деле в этом режиме на транзистор приходит сигнал ШИМ (широтно-импульсная модуляция). Подключив щупы осциллографа между «+» питания и выводом затвора транзистора FDS9435A, я увидел вот такую картину.
Так как на затвор поступает отрицательное напряжение, то «картинка» на экране осциллографа переворачивается. То есть сейчас на фото в центре экрана показан не импульс, а пауза между ними!
Сама пауза длится около 2,25 миллисекунд (mS) (4,5 деления по 0,5mS). В этот момент транзистор закрыт.
Затем транзистор открывается на 0,75 mS. При этом на светодиод XM-L T6 поступает напряжение. Амплитуда каждого импульса составляет 3V. А, как мы помним, мультиметром я намерил всего лишь 0,97V. В этом нет ничего удивительного, так как мультиметром я мерил постоянное напряжение.
Вот этот момент на экране осциллографа. Переключатель время/деление установил на 0,1, чтобы лучше определить длительность импульса. Транзистор открыт. Не забываем про то, что на затвор приходит минус «-«. Импульс перевёрнут.
Теперь можно посчитать скважность импульсов (S).
S = (2,25mS + 0,75mS) / 0,75mS = 3mS / 0,75mS = 4. Где,
τ- длительность импульса (миллисекунды, mS). У нас это 0,75mS.
Также можно определить коэффициент заполнения (D), который в англоязычной среде называют Duty Cycle (часто встречается во всяких даташитах на электронные компоненты). Обычно он указывается в процентах %.
D = τ/Τ = 0,75/3 = 0,25 (25%). Таким образом, в режиме пониженной яркости светодиод включен лишь на четверть периода.
Когда делал подсчёты первый раз, то коэффициент заполнения у меня вышел 75%. Но потом, увидев в даташите на FM2819 строчку про режим 1/4 яркости, понял, что где-то облажался. Я просто перепутал паузу и длительность импульса местами, поскольку по привычке принял минус «-» на затворе за плюс «+». Поэтому и вышло всё наоборот.
В режиме «STROBE» мне не удалось посмотреть ШИМ сигнал, так как осциллограф аналоговый и довольно старый. Синхронизировать сигнал на экране и получить чёткое изображение импульсов мне не удалось, хотя было видно его наличие.
Типовая схема включения и цоколёвка микросхемы FM2819. Может, кому пригодится.
Не давали мне покоя и некоторые моменты, связанные с работой светодиода. Со светодиодными фонарями я раньше, как-то не имел дела, а тут захотелось разобраться.
Когда я полистал даташит на светодиод Cree XM-L T6, который установлен в фонаре, то понял, что номинал токоограничительного резистора маловат (0,13 Ом). Да, и на плате одно посадочное место под резистор было свободно.
Когда шерстил по интернетам в поисках информации о микросхеме FM2819, то видел фото нескольких печатных плат аналогичных фонарей. На одних были запаяны четыре резистора по 1 Ому, а на некоторых вообще SMD-резистор с маркировкой «0» (перемычка), что, на мой взгляд, вообще является преступлением.
Светодиод – это нелинейный элемент, и, поэтому, последовательно с ним необходимо включать токоограничивающий резистор.
Если заглянуть в даташит на светодиоды серии Cree XLamp XM-L, то можно обнаружить, что их максимальное напряжение питания составляет 3,5V, а номинальное 2,9V. При этом ток через светодиод может достигать величины в 3А. Вот график из даташита.
Номинальным током для таких светодиодов считается ток в 700 mA при напряжении в 2,9V.
Конкретно в моём фонаре ток через светодиод составил 1,2 A при напряжении на нём в 3,4. 3,5V, что явно многовато.
Чтобы уменьшить прямой ток через светодиод я запаял вместо прежних резисторов четыре новых номиналом в 2,4 Ом (типоразмер 1206). Получил общее сопротивление в 0,6 Ом (мощность рассеивания 0,125W * 4 = 0,5W).
После замены резисторов прямой ток через светодиод составил 800 mA при напряжении в 3,15V. Так светодиод будет работать при более мягком тепловом режиме, и, надеюсь, прослужит долго.
Поскольку резисторы типоразмера 1206 рассчитаны на мощность рассеивания в 1/8W (0,125 Вт), а в режиме максимальной яркости на четырёх токоограничивающих резисторах рассеивается мощность около 0,5Вт, то от них желательно отвести излишнее тепло.
Для этого зачистил от зелёного лака медный полигон рядом с резисторами и напаял на него каплю припоя. Такой приём частенько применяется на печатных платах бытовой электронной аппаратуры.
После доработки электронной начинки фонаря покрыл печатную плату лаком PLASTIK-71 (электроизоляционный акриловый лак) для защиты от конденсата и влаги.
При расчётах токоограничительного резистора я столкнулся с некоторыми тонкостями. За напряжение питания светодиода стоит принимать напряжение на стоке MOSFET транзистора. Дело в том, что на открытом канале MOSFET-транзистора теряется часть напряжения из-за сопротивления канала (R(ds)on).
Чем выше ток, тем большее напряжение «оседает» по пути Исток-Сток транзистора. У меня при токе в 1,2А оно составило 0,33V, а при 0,8А – 0,08V. Также часть напряжения падает на соединительных проводах, которые идут с клемм аккумулятора на плату (0,04V). Казалось бы, такая мелочь, а в сумме набегает 0,12V. Так как под нагрузкой напряжение на Li-ion аккумуляторе проседает до 3,67. 3,75V, то на стоке MOSFET’а уже 3,55. 3,63V.
Ещё 0,5. 0,52V гасит цепь из четырёх параллельных резисторов. В итоге на светодиод приходит напряжение в районе 3-ёх с небольшим вольт.
На момент написания этой статьи в продаже появилась обновлённая версия рассмотренного налобного фонаря. В нём уже встроена плата контроля заряда/разряда Li-ion аккумулятора, а также добавлен оптический датчик, который позволяет включать фонарь жестом ладони.
Arm9435 что за деталь
Наименование прибора: 9435
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
9435 Datasheet (PDF)
0.1. mmjt9435.pdf Size:94K _motorola
Order this documentMOTOROLAby MMJT9435/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMMJT9435Preliminary Data SheetMotorola Preferred DeviceBipolar Power TransistorsPNP Silicon» Collector Emitter S
0.2. nds9435a.pdf Size:166K _fairchild_semi
January 2002 NDS9435A 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 5.3 A, 30 V RDS(ON) = 50 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench RDS(ON) = 80 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide rang
0.3. fds9435a.pdf Size:64K _fairchild_semi
0.4. si9435dy.pdf Size:66K _vishay
0.5. si9435bdy.pdf Size:241K _vishay
0.6. dmjt9435.pdf Size:102K _diodes
DMJT9435LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Ideally Suited for Automated Assembly Processes Case: SOT-223 Low Collector-Emitter Saturation Voltage Case Material: Molded Plastic, «Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideal for Medium Power
0.7. di9435t.pdf Size:73K _diodes
DI9435SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK 0.
0.8. mmjt9435.pdf Size:85K _onsemi
0.11. fds9435a.pdf Size:194K _onsemi
FDS9435A 30V P-Channel PowerTrench Features MOSFET 5.3 A, 30 V R = 50 m @ V = 10 VDS(ON) GSGeneral Description R = 80 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSThis P-Channel MOSFET is a rugged gate version of ON Low gate chargeSemiconductors advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring Fast switching speed
0.12. nsb9435t1g.pdf Size:143K _onsemi
0.13. ut9435h.pdf Size:244K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT9435H Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT9435H provide excellent RDS(ON), low gate charge and fast switching speed. It has been optimized for power management applications. SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package PackingLead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6 7 8UT9435HL-AA3-R UT9
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT9435HZ Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT9435HZ is a P-channel enhancement power MOSFET. It has low gate charge, fast switching speed andperfect RDS(ON). This device is generally applied in power management applications. SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package PackingL
0.15. ut9435.pdf Size:186K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT9435 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT9435 is P-Channel Power MOSFET, designed with high density cell with fast switching speed, ultra lowon-resistance, and excellent thermal and electrical capabilities. Used in commercial and industrial surface mount applicationsand suited for low voltage applications such as DC/DC
0.16. sid9435.pdf Size:667K _secos
0.18. ssg9435p.pdf Size:628K _secos
0.19. ssd9435.pdf Size:826K _secos
0.20. ssg9435.pdf Size:3159K _secos
0.21. tsm9435cs.pdf Size:226K _taiwansemi
0.22. cjq9435.pdf Size:3380K _jiangsu
0.24. cem9435.pdf Size:384K _cet
0.26. wtk9435.pdf Size:1366K _wietron
WTK9435Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-5.3 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:-30 VOLTAGE* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R
0.27. wtc9435.pdf Size:402K _wietron
0.28. wtn9435.pdf Size:529K _wietron
WTN9435Surface Mount P-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode Power MOSFET-6.0 AMPERES2,4 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free-30 VOLTAGE1GATE41. GATE2. DRAINFeatures:13. SOURCE32SOURCE 4. DRAIN 3* Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON)
0.29. wtd9435.pdf Size:377K _wietron
WTD9435Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-20 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)SOURCERDS(ON)
0.30. se9435lt1.pdf Size:469K _willas
0.31. wpm9435.pdf Size:831K _willsemi
WPM9435WPM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.comDescription The WPM9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, noteb
0.32. h9435s.pdf Size:106K _hsmc
0.41. am9435p.pdf Size:320K _analog_power
0.42. afp9435ws.pdf Size:593K _alfa-mos
0.43. afp9435s.pdf Size:593K _alfa-mos
0.44. 9435.pdf Size:1329K _shenzhen
0.46. mtp9435q8.pdf Size:343K _cystek
0.47. btb9435j3.pdf Size:355K _cystek
Spec. No. : C809J3 Issued Date : 2008.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date: 2014.03.25 Page:1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435J3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-252 BTB9435J3(DPAK) BBase B C E CCollector EEmitter O
0.48. mtp9435l3.pdf Size:358K _cystek
0.49. btb9435l3.pdf Size:259K _cystek
Spec. No. : C809L3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.01.16 Revised Date: Page:1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435L3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTB9435L3SOT-223 C E C BBase B CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) P
0.51. apm9435k.pdf Size:513K _anpec
0.52. apm9435.pdf Size:154K _anpec
0.53. 9435.pdf Size:1433K _goford
0.54. stm9435.pdf Size:112K _samhop
0.55. ssf9435.pdf Size:577K _silikron
0.56. brcs9435sc.pdf Size:1386K _blue-rocket-elect
BRCS9435SC Rev. I Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P Power Trench MOS P-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features RDS ON Low gate charge, Fast switching speed, High
0.57. st2sb9435u.pdf Size:555K _semtech
0.60. ftk9435.pdf Size:330K _first_silicon
0.61. apm9435k.pdf Size:1488K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAPM9435K (APM9435KC)SOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source47 Drain3 SourceG8 Drain4 Gate5 162738 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo
0.62. ki9435dy.pdf Size:1809K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI9435DY SOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 58m (VGS =-10V) RDS(ON) 89m (VGS =-4.5V) Fast switching speed1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate5 46 37 28 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain
0.63. kx9435.pdf Size:1434K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFETKX9435 Features VDS (V) =-30V1.70 0.1 A (VGS =-10V) RDS(ON) 55m (VGS =-10V) RDS(ON) 90m (VGS =-4.5 V) Low Gate ChargeD0.42 0.10.46 0.1 Fast Switching Characteristic1.GateG2.DrainS3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou
0.64. si9435dy.pdf Size:1809K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI9435DYSOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 50m (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) Fast switching speed1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate5 46 37 28 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-
0.65. si9435bdy.pdf Size:1669K _kexin
0.66. am9435.pdf Size:486K _ait_semi
0.67. am9435.pdf Size:726K _axelite
0.68. blm9435.pdf Size:140K _belling
P-Channel Enhancement BLM9435 Mode MOSFET BLM9435BLM9435 BLM9435FEATURES APPLICATIONS VDS VGS RDSon TYP ID Load Switch 51mR@-10V 5.4A 30V 20V TFT panel power switch 68mR@-4V5 DCDC conversion DESCRIPTION Pin Configuration This device is produced with high cell density, DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state
0.69. blm9435a.pdf Size:273K _belling
0.70. chm9435ajgp.pdf Size:103K _chenmko
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435AJGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and re
0.71. chm9435azgp.pdf Size:110K _chenmko
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435AZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SO-8 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.052.0+0
0.72. cht9435zgp.pdf Size:150K _chenmko
0.73. chm9435gp.pdf Size:338K _chenmko
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM9435GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small flat package. (SOT-23)* Advanced trench process technology * High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance (1)(
0.74. gsm9435ws.pdf Size:951K _globaltech_semi
0.75. gsm9435s.pdf Size:955K _globaltech_semi
0.76. me9435 me9435-g.pdf Size:1173K _matsuki_electric
ME9435/ ME9435-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)60m@VGS=-10V The ME9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)90m@VGS=-4.5V effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) This high density process is especially tailored to mini
0.77. me9435a me9435a-g.pdf Size:1289K _matsuki_electric
ME9435A/ME9435A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)40m@VGS=-10V The ME9435A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)60m@VGS=-4.5V effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) This high density process is especially tailored to m
0.78. mmp9435.pdf Size:209K _m-mos
0.80. ssm9435gm.pdf Size:522K _silicon_standard
0.81. ssm9435k.pdf Size:200K _silicon_standard
0.82. ssm9435gh ssm9435gj.pdf Size:293K _silicon_standard
0.83. st9435a.pdf Size:394K _stansontech
0.84. st9435gp.pdf Size:359K _stansontech
0.85. stp9435.pdf Size:396K _stansontech
0.86. tp9435pr.pdf Size:314K _tiptek
TP9435PR P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES ADVANCED TRENCH PROCESS TECHNOLOGY HIGH DENSITY CELL DESIGN FOR ULTRA LOW ON-RESISTANCE FULLY CHARACTERIZED AVALANCHE VOLTAGE AND CURRENT IMPROVED SHOOT-THROUGH FOM BOTH NORMAL AND PB FREE PRODUCT ARE AVAILABLE :NORMAL : 80
20% PB PB FREE: 99% SN ABOVE MECHANICAL DATA
0.87. es9435.pdf Size:406K _eternal
0.88. 9435.pdf Size:1353K _guangdong_hottech
0.89. jsm9435.pdf Size:424K _jsmsemi
0.90. lpm9435.pdf Size:574K _lowpower
0.91. si9435.pdf Size:3139K _cn_szxunrui
0.92. pt9435.pdf Size:1269K _cn_puolop
